一种高线性低功耗型混频器制造技术

本实用新型专利技术属于混频器的技术领域，具体涉及一种高线性低功耗型混频器，这种高线性低功耗型混频器包括：依次电性连接的H型架构混频器核、本振信号单端转差分电路和整形驱动电路；所述H型架构混频器核包括变压器T1、变压器T2、变压器T3和场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、场效应晶体管Q4；其中，所述变压器T1由上到下依次包含第一二级线圈、中心二级筛选线圈和第二二级线圈，所述第一二级线圈电性连接变压器T2和变压器T3，所述第二二级线圈电性连接变压器T2和变压器T3。这种高线性低功耗型混频器具有降低能耗，减少使用成本的效果。的效果。的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种高线性低功耗型混频器


[0001]本技术属于混频器的
，具体涉及一种高线性低功耗型混频器。

技术介绍

[0002]介绍现有技术的方案，对于技术，可以例举现有专利文献进行说明。
[0003]现有的，公告号为CN110463033A的中国专利公开了一种用于增强型线性混频的系统，包括：输入源信号耦合器；本地振荡器(LO)信号耦合器；主混频器，其通过外差法将主混频器输入信号和主混频器LO信号组合，以生成主混频器输出信号；失真源混频器，其通过外差法将失真混频器输入信号和失真混频器LO 信号组合，以生成失真混频器输出信号；以及输出信号耦合器，其将主混频器输出信号和失真混频器输出信号组合，以生成非线性度减小的输出信号。
[0004]上述中的现有技术方案存在以下缺陷：虽然能够增强线性混频，但是整体功率较高，使用能耗高，提高使用成本，并且不符合现在国情提倡的低能耗环保理念。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是提供一种高线性低功耗型混频器，以解决混频器能耗高的技术问题，达到降低能耗，减少使用成本的目的。
[0006]为了解决上述技术问题，本技术提供了一种高线性低功耗型混频器，包括：
[0007]依次电性连接的H型架构混频器核、本振信号单端转差分电路和整形驱动电路；
[0008]所述H型架构混频器核包括变压器T1、变压器T2、变压器T3和场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、场效应晶体管Q4；
[0009]其中，所述变压器T1由上到下依次包含第一二级线圈、中心二级筛选线圈和第二二级线圈，所述第一二级线圈电性连接变压器T2和变压器T3，所述第二二级线圈电性连接变压器T2和变压器T3；
[0010]当电压输入为正信号时，场效应晶体管Q2和场效应晶体管Q3为导通状态，形成接地的低阻抗，同时场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q4为截止状态，变压器T2和变压器T3中的电流在中频输出端汇合相加；
[0011]当电压输入信号为负信号时，场效应晶体管Q2和场效应晶体管Q3为截止状态，同时场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q4为导通状态，所述第一二级线圈和第二二级线圈连接于电路中。
[0012]进一步的，所述中心二级筛选线圈大于所述第一二级线圈和第二二级线圈。
[0013]进一步的，所述本振信号单端转差分电路中的本振信号经过D触发器转化为差分信号，经过整形驱动电路放大至方波信号，所述方波信号驱动H型架构混频器核。
[0014]进一步的，射频巴伦电路，所述射频巴伦电路将射频信号转化为差分信号，在将混频后的差分中频信号转化成单端信号输出。
[0015]本技术的有益效果是：
[0016]1、通过四个场效应晶体管的两两轮换实用，使得本实用的本振的正负半周各有一对场效应管轮流工作。这种混频器具有很好的动态范围，较低的插入损耗。
[0017]2、把本振信号的输入形式从正弦波信号变成方波信号，从而有效降低了本振驱动电路的复杂度，降低了整体电路的功耗，减少了电路的使用面积，从面具有高线性度、低损耗、低功耗、小体积的优点。
[0018]为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本技术的高线性低功耗型混频器的H型架构混频器核的电路图；
[0021]图2是本技术的高线性低功耗型混频器的本振信号单端转差分电路和整形驱动电路的电路图。
具体实施方式
[0022]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0023]实施例：
[0024]如图1和图2所示，一种高线性低功耗型混频器，包括：依次电性连接的H 型架构混频器核、本振信号单端转差分电路和整形驱动电路；H型架构混频器核包括变压器T1、变压器T2、变压器T3和场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、场效应晶体管Q4；其中，变压器T1由上到下依次包含第一二级线圈、中心二级筛选线圈和第二二级线圈，第一二级线圈电性连接变压器T2和变压器T3，第二二级线圈电性连接变压器T2和变压器T3。
[0025]H型架构混频器核的工作过程为：当电压输入为正信号时，场效应晶体管 Q2和场效应晶体管Q3为导通状态，形成接地的低阻抗，同时场效应晶体管Q1 和场效应晶体管Q4为截止状态，变压器T2和变压器T3中的电流在中频输出端汇合相加；当电压输入信号为负信号时，场效应晶体管Q2和场效应晶体管Q3 为截止状态，同时场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q4为导通状态，第一二级线圈和第二二级线圈连接于电路中。
[0026]在本实施例中，中心二级筛选线圈大于第一二级线圈和第二二级线圈。
[0027]如图2所示，本振信号单端转差分电路中的本振信号经过D触发器转化为差分信号，经过整形驱动电路放大至方波信号，方波信号驱动H型架构混频器核。
[0028]本是实力还包括射频巴伦电路，射频巴伦电路将射频信号转化为差分信号，在将混频后的差分中频信号转化成单端信号输出。
[0029]在本实施例中，混频器的大小设置为38*20*15厘米。
[0030]通过测试验证，这种混频器的IIP3值高达+35dBm，供电电源为+5V，工作电流为+150mA，体积为38*20*15，满足了低功耗高动态的要求，同时实现了小型化的目标。
[0031]综上所述：通过四个场效应晶体管的两两轮换实用，使得本实用的本振的正负半周各有一对场效应管轮流工作。这种混频器具有很好的动态范围，较低的插入损耗。把本振信号的输入形式从正弦波信号变成方波信号，从而有效降低了本振驱动电路的复杂度，降低了整体电路的功耗，减少了电路的使用面积，从面具有高线性度、低损耗、低功耗、小体积的优点。
[0032]本申请中选用的各个器件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件，其结构和原理都为本领域技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知。
[0033]所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本技术实施例方案的目的。
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高线性低功耗型混频器，其特征在于，包括：依次电性连接的H型架构混频器核、本振信号单端转差分电路和整形驱动电路；所述H型架构混频器核包括变压器T1、变压器T2、变压器T3和场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、场效应晶体管Q4；其中，所述变压器T1由上到下依次包含第一二级线圈、中心二级筛选线圈和第二二级线圈，所述第一二级线圈电性连接变压器T2和变压器T3，所述第二二级线圈电性连接变压器T2和变压器T3；当电压输入为正信号时，场效应晶体管Q2和场效应晶体管Q3为导通状态，形成接地的低阻抗，同时场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q4为截止状态，变压器T2和变压器T3中的电流在中频输出端汇合相加；当电压输入信号为负信...

【专利技术属性】
技术研发人员：李如亚，袁芬俊，陈文华，尤云鹏，
申请(专利权)人：江苏常无通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：