【技术实现步骤摘要】
一种适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法及装置
[0001]本专利技术涉及量子测控
，具体提供一种适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法及装置。
技术介绍
[0002]量子计算机被认为是多种技术分支中最有潜力的一条技术路线，受到了广泛的关注。常用的超导量子芯片工作在低温环境中，而测控系统工作在常温环境中，两者通过线缆实现互联。为了实现更多量子比特芯片的测控，需要设计工作在低温环境下的测控电路。低温环境下电子器件的工作特性会发生变化，而常规器件模型无法对低温电路进行仿真，因此需要对器件在低温工作环境下进行准确建模。
技术实现思路
[0003]本专利技术的技术任务是针对上述存在的问题，提供一种能够满足低温电路仿真需求，节约研发时间和成本的适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法。
[0004]本专利技术进一步的技术任务是提供一种适用于量子测控系统的电子器件低温建模的装置。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了如下技术方案：
[0006]一种适用于量子测控系统的电子...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法，其特征在于：该方法选取晶体管在低温环境下进行测量，在测试数据的基础上建立电子器件的低温模型。2.根据权利要求1所述的适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、将电子器件测试样品放入低温腔中；S2、测量低温环境下电子器件测试样品的参数；S3、选取常温下电子器件模型；S5、提取低温环境下的测量参数，调整低温环境下的模型参数；S6、增加电阻修正KINK效应。3.根据权利要求2所述的适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法，其特征在于：步骤S1中，将电子器件测试样品焊接到PCB裸板上，通过测试杆送入低温腔中。4.根据权利要求3所述的适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法，其特征在于：步骤S2中，对电子器件测试样品在低温下的参数进行测试，包括电流电压特性、阀值电压和开关比。5.根据权利要求4所述的适用于量子测控系统的电子器件低温建模的方法，其特征在于：所述开关比为电子器件开启和关断电流之比。6....
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