半导体激光器的故障分析方法、样品的制备方法及系统技术方案

本申请提供了一种半导体激光器的故障分析方法、样品的制备方法及系统。该方法包括：通过固化剂对待分析半导体激光器进行封胶固化，固化剂以及TO支架形成密封区域将芯片密封在密封区域内；对封胶固化后的待分析半导体激光器进行研磨直至所述芯片的晶背露出，得到研磨后的半导体激光器；基于晶背在对研磨后的半导体激光器进行热点定位以便进行失效分析，以此可以使得有激光器晶背完全露出，避免因研磨应力过大导致的器件研磨露出后导致损伤或碎裂，突破了目前激光器样品只能从正面进行失效定位之瓶颈。位之瓶颈。位之瓶颈。

【技术实现步骤摘要】
半导体激光器的故障分析方法、样品的制备方法及系统


[0001]本申请涉及失效分析样品制备
，尤其是涉及一种半导体激光器的故障分析方法、样品的制备方法及系统。

技术介绍

[0002]半导体激光器产品过往在失效定位时,因金属层遮蔽导致热点位置不清楚。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种半导体激光器的故障分析方法和半导体激光器故障分析样品的制备方法，以解决现有技术中存在的正面失效定位因金属层遮蔽无法有效定位的技术问题。
[0004]第一方面，本申请提供一种半导体激光器的故障分析方法，所述半导体激光器包括芯片以及TO支架，所述芯片固定在所述TO支架上，所述方法包括：通过固化剂对待分析半导体激光器进行封胶固化，所述固化剂以及所述TO支架形成密封区域将所述芯片密封在所述密封区域内；对封胶固化后的待分析半导体激光器进行研磨直至所述芯片的晶背露出，得到研磨后的半导体激光器；基于所述晶背在对所述研磨后的半导体激光器进行热点定位以便进行失效分析。
[0005]在一些可选的实现中，所述TO支架包括固晶平台，所述芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器的故障分析方法，其特征在于，所述半导体激光器包括芯片以及TO支架，所述芯片固定在所述TO支架上，所述方法包括：通过固化剂对待分析半导体激光器进行封胶固化，所述固化剂以及所述TO支架形成密封区域将所述芯片密封在所述密封区域内；对封胶固化后的待分析半导体激光器进行研磨直至所述芯片的晶背露出，得到研磨后的半导体激光器；基于所述晶背在对所述研磨后的半导体激光器进行热点定位以便进行失效分析。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述TO支架包括固晶平台，所述芯片固定于所述固晶平台的侧面；所述对封胶固化后的待分析半导体激光器进行研磨直至所述芯片的晶背露出，得到研磨后的半导体激光器，包括：从所述固晶平台固定有所述芯片的对侧对所述封胶固化后的待分析半导体激光器进行研磨，直至露出所述芯片的晶背，得到研磨后的半导体激光器。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述从所述固晶平台的一侧对所述封胶固化后的待分析半导体激光器进行研磨，直至露出所述芯片的晶背，得到研磨后的半导体激光器，包括：从所述固晶平台固定有所述芯片的对侧对所述封胶固化后的待分析半导体激光器使用第一颗粒度的研磨工具进行研磨，直至去除所述固晶平台的铜支架；使用第二颗粒度的研磨工具继续进行研磨直至边角薄化开始溃缩时使用第三颗粒度的研磨工具继续进行研磨；对残留金属进行修正后，使用第四颗粒度的研磨工具进行抛光，抛光完成后得到研磨后的半导体激光器；其中，所述第一颗粒度大于所述第二颗粒度大于所述第三颗粒度大于所述第四颗粒度。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一颗粒度为180目，所述第二颗粒度为400目，所述第三颗粒度为2000目，所述第四颗粒度为4000目。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：获取所述封胶固化后的待分析半导体激光器在研磨过程中的图像，通过图像识别确定研磨状态，所述研磨状态包括铜支架去除完成状态、边角薄化开始溃缩状态以及具有残留金属状态。6.根据权利要求1
‑
4任意一项所述的方法，其特征在于，在研磨...

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊宗，高强，郑朝晖，
申请(专利权)人：上海季丰电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：