一种具有大π共轭面的有机化合物及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种具有大π共轭面的有机化合物及其制备方法和应用，属于有机材料技术领域。本发明专利技术的具有大π共轭面的有机化合物，所述具有大π共轭面的有机化合物具有式I所示的结构。本发明专利技术的具有大π共轭面的有机化合物以引入乙炔基的苯基乙烯作为电子受体，这种大的平面共轭结构可以有效的提高非线性光学系数，以乙炔基和亚胺基作为共轭桥，以苯胺为电子给体，当电子给体、共轭桥、电子受体组合在一起后，分子中的发色团近似在一个二维平面，分子内电子的运输大大加强，提高了整体分子的非线性吸收系数。本发明专利技术的具有大π共轭面的有机化合物具有良好的溶解性以及较高的热稳定性。合物具有良好的溶解性以及较高的热稳定性。合物具有良好的溶解性以及较高的热稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种具有大
π
共轭面的有机化合物及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及一种具有大π共轭面的有机化合物及其制备方法和应用，属于有机材料


技术介绍

[0002]随着光学研究的快速发展，现阶段对通信信息材料的要求越来越高，非线性光学材料在光波频率转化和光信号处理方面有着巨大的应用前景，具有优异非线性光学性能的材料一直是研究的热点。无机非线性材料是现阶段非线性光学器件的主要应用材料，但其自身光电系数小，响应时间长等缺点限制了无机非线性光学材料的广泛应用。与无机非线性光学材料相比，有机非线性材料具有非线性光学系数高、响应快速、光学损伤阈值高等优点，逐渐成为研究的热点。但是目前报道的大多数有机非线性化合物，结构复杂，合成步骤繁琐，并且非线性光学性能较差，限制了有机光学材料在光学器件上的应用。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种具有大π共轭面的有机化合物，用于解决目前有机非线性化合物的非线性光学性能较差的问题。
[0004]本专利技术的第二个目的在于提供一种具有大π共轭面的有机化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有大π共轭面的有机化合物，其特征在于，具有式I所示的结构，式I中，R1为取代或未取代的亚芳基、取代或未取代的亚芳杂基中的一种；取代的亚芳基为C1～C
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烷基或C1～C
10
烷氧基取代的亚芳基；取代的亚芳杂基为C1～C
10
烷基或C1～C
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烷氧基取代的亚芳杂基；R2和R3各自独立地选自氢或式II所示的取代基，且R2和R3中的一个或两个为式II所示的取代基；式II中，R4和R5各自独立地选自C1～C
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烷基、C1～C
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烷氧基、C1～C
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烷氧基烷基或C1～C6羟烷基；R6、R7、R8和R9各自独立地选自氢、羟基或C1～C5烷基。2.如权利要求1所述的具有大π共轭面的有机化合物，其特征在于，式I中，所述亚芳基为亚苯基或亚联苯基；所述亚芳杂基中的杂原子为氧或硫。3.如权利要求1或2所述的具有大π共轭面的有机化合物，其特征在于，式I中，R1为未取代的亚芳基或未取代的亚芳杂基，所述未取代的亚芳基为所述未取代的亚芳杂基为式II中，所述R4和R5各自独立地选自甲基、乙基、丁基、甲氧基、乙氧基、乙氧基乙基、羟乙基或羟丙基。4.如权利要求1
‑
3任一项所述的具有大π共轭面的有机化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将如式III所示的化合物和如式IV所示的化合物进行席夫碱反应，
式III中，R1为取代或未取代的亚芳基、取代或未取代的亚芳杂基中的一种；取代的亚芳基为C1～C
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烷基或C1～C
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烷氧基取代的亚芳基；取代的亚芳杂基为C1～C
10
烷基或C1～C
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烷氧基取代的亚芳杂基；式IV中，R2和R3各自独立地选自氢或式II所示的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高丽君，周立明，方少明，李碧宇，宋瑛林，李峰，
申请(专利权)人：郑州轻工业大学，
类型：发明
国别省市：