一种图形轮廓质量提高方法技术

本发明专利技术提供了一种图形轮廓质量提高方法，应用于半导体领域。本发明专利技术通过通入惰性气体轰击图形化的光刻胶层，以打断图形化的光刻胶层的表层中的官能团和碳原子之间的化学键，使图形化的光刻胶层的表层中短碳链能相互连接而形成长碳链，由此使得图形化的光刻胶层的表层转化为硬化膜层，然后以具有该硬化膜层的光刻胶层为掩膜，对待图形化层进行刻蚀时，该硬化膜层可以避免光刻胶层因刻蚀而出现顶角被削角的问题，由此，可使得待图形化层被刻蚀后形成的目标图形的侧壁轮廓较直，从而满足产品对目标图形的轮廓形貌的质量要求。目标图形的轮廓形貌的质量要求。目标图形的轮廓形貌的质量要求。

【技术实现步骤摘要】
一种图形轮廓质量提高方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种图形轮廓质量提高方法。

技术介绍

[0002]目前的图形刻蚀方法，一般首先需要在待刻蚀膜层(即待图形化层)上覆盖一层或多层的光刻胶层，然后对光刻胶层进行光刻，以图形化光刻胶层，再以图形化后的光刻胶层为掩膜，对待刻蚀膜层进行刻蚀，从而在待刻蚀膜层中获取到尺寸和轮廓精度较高的图形。
[0003]然而，为保证待刻蚀膜层刻蚀后形成的图形轮廓比较直，在通入刻蚀气体时，需要选择较高的偏置功率对待刻蚀膜层进行刻蚀，但由于该刻蚀工艺(例如采用CF4气体进行刻蚀)可能会消耗光刻胶顶角，使得光刻胶不能够完全遮挡下方需要保留的待刻蚀膜层，进而导致待刻蚀膜层刻蚀后图形顶部会有削角且图形侧壁为斜坡的情况，难以满足产品对图形的轮廓形貌(即竖直侧壁形貌)的质量要求。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种图形轮廓质量提高方法，在以图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀下方的待图形化层时，可有效保证在待图形化层中形成的图形的轮廓质量。
[0005]为解决上述技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图形轮廓质量提高方法，其特征在于，包括：S1：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底的表面依次形成有待图形化层和图形化后的光刻胶层，所述光刻胶层至少包括短碳链以及通过化学键连接到所述短碳链的任意碳原子上的官能团，所述官能团含有不同于碳的至少一种元素；S2：通入惰性气体轰击所述光刻胶层的表层，以打断所述光刻胶层的表层中的所述官能团与所述碳原子之间的化学键，并使得所述短碳链相互连接而形成长碳链，以使所述光刻胶层的表层转化为硬化膜层，所述长碳链中相连的碳原子数目多于所述短碳链中相连的碳原子数目；S3：以具有所述硬化膜层的所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述待图形化层，以使所述待图形化层形成目标图形。2.如权利要求1所述的图形轮廓质量提高方法，其特征在于，所述S1中的所述待图形化层自下而上依次包括依次层叠在半导体衬底上的介质层和抗反射涂层；所述S3中，刻蚀所述待图形化层至暴露出所述半导体衬底的表面。3.如权利要求1所述的图形轮廓质量提高方法，其特征在于，所述S2中通入的惰性气体包括氩气和/或氦气。4.如权利要求1所述的图形轮廓质量提高方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁奥博，孟艳秋，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：