一种晶圆的处理方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆的处理方法，属于晶圆处理技术领域，包括：提供一晶圆；在所述晶圆的上表面涂覆光刻胶；所述晶圆上表面边缘具有至少一个无胶区域，去除位于所述无胶区域的所述光刻胶；让掩膜版与所述晶圆贴合；光刻处理；让所述晶圆与所述掩膜版分离。通过去除无胶区域的光刻胶，这样就会在晶圆表面形成台阶差，晶圆边缘与掩膜版之间就会存在间隙。在光刻后，在晶圆与掩膜版脱离过程中，外部空气较容易从间隙处进入到贴合的界面处，让晶圆与掩膜版界面处负压能够正常释放，晶圆与掩膜版可以很顺利脱离。很顺利脱离。很顺利脱离。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的处理方法


[0001]本专利技术涉及晶圆加工处理
，尤其涉及一种晶圆的处理方法。

技术介绍

[0002]在分立器件制造工艺中，接触式曝光机仍被广泛使用，接触式光刻过程中，通过承片台上的真空吸孔将晶圆固定住，涂覆光刻胶后的晶圆与掩膜版需要紧密贴合，光刻结束时也是通过底部真空吸力使晶圆与掩膜版脱离。
[0003]当晶圆与掩膜版紧密贴合后，界面处空气被挤压出来。而在脱离时，晶圆微小形变后在贴合界面处形成负压，晶圆被外部气压压在掩膜版上，无法正常脱离。
[0004]在中国专利申请号：CN201210063076.X中公开了一种晶圆边缘曝光工艺的检测方法，提供测试晶圆，在所述测试晶圆表面临近边缘处设置有至少一个定位图标群组；在所述测试晶圆表面涂覆光刻胶，并进行晶圆边缘曝光工艺；利用掩膜版对所述测试晶圆表面的光刻胶进行全面图形曝光；对所述光刻胶进行显影；根据所述图案化的光刻胶的边界位置与所述定位图标群组的位置关系确定晶圆边缘光刻胶的去除宽度是否符合工艺要求，根据图案化的光刻胶的边界外是否有残留的光刻胶确定晶圆边缘曝光工艺的曝光强度是否符合工艺要求。该技术方案在光刻后，晶圆与掩膜版无法顺利脱离。鉴于此，故提出本申请。

技术实现思路

[0005]为解决
技术介绍
中存在的至少一个方面的技术问题，本专利技术提出一种晶圆的处理方法，有效解决上述技术问题。
[0006]本专利技术提出的一种晶圆的处理方法，包括：
[0007]提供一晶圆；
[0008]在所述晶圆的上表面涂覆光刻胶；
[0009]所述晶圆上表面边缘具有至少一个无胶区域，去除位于所述无胶区域的所述光刻胶；
[0010]让掩膜版与所述晶圆贴合；
[0011]光刻处理；
[0012]让所述晶圆与所述掩膜版分离。
[0013]优选地，所述无胶区域的数量为多个，绕所述晶圆的周向间隔分布。
[0014]优选地，所述无胶区域自所述晶圆的边缘向中部延伸。
[0015]优选地，所述无胶区域沿所述晶圆的径向的宽度为1
‑
3mm。
[0016]优选地，利用去胶剂去除位于所述无胶区域的所述光刻胶。
[0017]优选地，所述去胶剂为丙酮。
[0018]本专利技术公开的一个方面带来的有益效果是：
[0019]通过去除无胶区域的光刻胶，这样就会在晶圆表面形成台阶差，晶圆边缘与掩膜版之间就会存在间隙。在光刻后，在晶圆与掩膜版脱离过程中，外部空气较容易从间隙处进
入到贴合的界面处，让晶圆与掩膜版界面处负压能够正常释放，晶圆与掩膜版可以很顺利脱离。
附图说明
[0020]图1为本专利技术公开的晶圆的俯视图；
[0021]图2为本专利技术公开的流程图。
具体实施方式
[0022]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互的结合；下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”和“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的位置或元件必须具有特定方位、以特定的方位构成和操作，因此不能理解为本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0024]参照图1、2，本专利技术提出的一种晶圆的处理方法，包括：
[0025]提供一晶圆1；在所述晶圆1的上表面涂覆光刻胶2。
[0026]所述晶圆1上表面边缘具有至少一个无胶区域101，去除位于所述无胶区域101的所述光刻胶2。
[0027]让掩膜版与所述晶圆1贴合；光刻处理；让所述晶圆1与所述掩膜版分离。
[0028]本实施例通过去除无胶区域101的光刻胶2，这样就会在晶圆1表面形成台阶差，晶圆1边缘与掩膜版之间就会存在间隙。在光刻后，在晶圆1与掩膜版脱离过程中，外部空气较容易从间隙处进入到贴合的界面处，让晶圆1与掩膜版界面处负压能够正常释放，晶圆1与掩膜版可以很顺利脱离。
[0029]进一步的，所述无胶区域101的数量为多个，绕所述晶圆1的周向间隔分布。方便晶圆1与掩膜版界面处负压释放，方便晶圆1与掩膜版分离。无胶区域101的数量没有限制，可以2个，对称布置，也可以更多。不影响正常光刻处理即可。
[0030]进一步的，所述无胶区域101自所述晶圆1的边缘向中部延伸。方便晶圆1与掩膜版界面处负压释放。
[0031]进一步的，所述无胶区域101沿所述晶圆1的径向的宽度为1
‑
3mm。不影响中部区域的光刻胶2。无胶区域101的形状没有限制，可以规则，也可以非规则。
[0032]进一步的，利用去胶剂去除位于所述无胶区域101的所述光刻胶2。进一步的，所述去胶剂为丙酮。在晶圆1涂覆光刻胶2后，可以利用丙酮沿晶圆1边缘擦拭掉一部分光刻胶2，在晶圆1表面形成无胶区域101。方便光刻晶圆1与掩膜版分离。
[0033]以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其
专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的处理方法，其特征在于，包括：提供一晶圆；在所述晶圆的上表面涂覆光刻胶；所述晶圆上表面边缘具有至少一个无胶区域，去除位于所述无胶区域的所述光刻胶；让掩膜版与所述晶圆贴合；光刻处理；让所述晶圆与所述掩膜版分离。2.根据权利要求1所述的晶圆的处理方法，其特征在于，所述无胶区域的数量为多个，绕所述晶圆的周向间隔分布。3.根据权利要求1所述的晶圆的处理方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：石峰，万远涛，廖世容，
申请(专利权)人：浙江光特科技有限公司，
类型：发明
国别省市：