一种同轴封装超辐射发光二极管及其实现方法技术

本发明专利技术涉及光纤传感技术领域，提供了一种同轴封装超辐射发光二极管及其实现方法。所述超辐射发光二极管芯片3和热敏电阻4焊接在过渡热沉5上，过渡热沉5焊接在热沉7上；反射镜6胶粘在热沉7上，并和超辐射发光二极管芯片3匹配对准；所述热沉7焊接在半导体制冷器2上，所述超辐射发光二极管芯片3、热敏电阻4和半导体制冷器2分别与TO管座1底部对应的引脚电连接，实现超辐射发光二极管芯片3温控输出。本发明专利技术具有结构紧凑，功耗低、易于集成为光收发一体模块的优点。模块的优点。模块的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种同轴封装超辐射发光二极管及其实现方法


[0001]本专利技术涉及光纤传感
，特别是涉及一种同轴封装超辐射发光二极管及其实现方法。

技术介绍

[0002]超辐射发光二极管既具有激光器功率大，耦合效率高的优点，又具有发光管频谱宽的优点，主要应用在光纤陀螺、光纤应力传感、数字化变电站中的电流电压互感器等领域，是影响这些系统精度的最重要因素之一，是系统中不可替代的核心部分。由于超辐射发光二极管的发射波长和功率与管芯工作温度相关，需要对超辐射发光二极管进行精密温度设定和控制，保证在工作过程中管芯温度不会随着环境温度变化而变化。在现有的超辐射发光二极管封装中，能够实现精密温度控制的，同时又带有尾纤耦合输出的基本为蝶形封装，该封装因价格高昂限制了应用场合，并且体积较大难以适应应用越来越广泛的小型化封装要求。
[0003]鉴于此，克服该现有技术所存在的缺陷是本
亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于达成现有技术中的对于一种带有尾纤耦合输出的且能够实现精密温度控制的小型化、低成本封装的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同轴封装超辐射发光二极管，其特征在于，包括TO管座(1)、半导体制冷器(2)、超辐射发光二极管芯片(3)、热敏电阻(4)、过渡热沉(5)、反射镜(6)、热沉(7)、TO管帽(8)，具体的：所述超辐射发光二极管芯片(3)和热敏电阻(4)焊接在过渡热沉(5)上，过渡热沉(5)焊接在热沉(7)上；反射镜(6)胶粘在热沉(7)上，并和超辐射发光二极管芯片(3)匹配对准；所述热沉(7)焊接在半导体制冷器(2)上，所述超辐射发光二极管芯片(3)、热敏电阻(4)和半导体制冷器(2)分别与TO管座(1)底部对应的引脚电连接，实现超辐射发光二极管芯片(3)温控输出；所述TO管帽(8)焊接在所述TO管座(1)之上。2.根据权利要求1所述的同轴封装超辐射发光二极管，其特征在于，所述半导体制冷器(2)包括制冷底面(21)和制冷顶面(22)，以及设置在制冷底面(21)和制冷顶面(22)之间的导热柱阵列(23)，具体的：所述制冷底面(21)固定在所述TO管座(1)上，制冷顶面(22)与制冷底面(21)平行设置，并且，制冷底面(21大于制冷顶面(22)的区域用于设置所述半导体制冷器(2)的两个电极；制冷顶面(22)用于焊接所述热沉(7)。3.根据权利要求1所述的同轴封装超辐射发光二极管，其特征在于，所述TO管帽(8)顶部中央加工有非球面聚焦透镜(81)，则所述反射镜(6)作成直角梯形结构，其中梯形的斜面制作成45
°
，并且与所述超辐射发光二极管芯片(3)的出光轴相对，用于将水平射出的超辐射光垂直反射到所述TO管帽(8)顶部中央的非球面聚焦透镜(81)。4.根据权利要求1所述的同轴封装超辐射发光二极管，其特征在于，所述过渡热沉(5)制作成凹型，相应凹型过渡热沉(5)的凹口区域用于容纳所述反射镜(6)；其中，所述过渡热沉(5)的外轮廓的尺寸与所述半导体制冷器(2)的上表面相同。5.根据权利要求1所述的同轴封装超辐射发光二极管，其特征在于，所述超辐射发光二极管芯片(3)和热敏电阻(4)焊接在过渡热沉(5)上，具体为：所述过渡热沉(5)制作成三角体，其中，过渡热沉(5)上设置超辐射发光二极管芯片(3)的靠边区域被镂空出平面(51)，过渡热沉(5)上相邻镂空平面(51)的斜边上设置有用于嵌入热敏电阻(4)...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛玉秀，李彬，杨帆，黄杰丛，陈小梅，杜闯，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：