【技术实现步骤摘要】
氮化硅膜蚀刻组合物以及利用该组合物的蚀刻方法
[0001]本专利技术涉及一种氮化硅膜蚀刻组合物、利用该组合物的氮化硅膜的蚀刻方法 以及半导体器件的制造方法。
技术介绍
[0002]氧化硅膜(SiO2)以及氮化硅膜(SiN
x
)是在半导体制造工艺中使用的代表 性绝缘膜。其中,氮化硅膜用作半导体器件中的盖层、间隔层或硬掩模层。氧化 硅膜以及氮化硅膜可单独使用,或以一层以上的氧化硅膜以及一层以上的氮化硅 膜交替层叠而成的层叠体使用。
[0003]针对氮化硅膜的蚀刻,使用约160℃的高温的磷酸水溶液,该磷酸水溶液由 高纯度的磷酸以及去离子水构成。然而,所述磷酸水溶液的氮化硅膜相对于氧化 硅膜的蚀刻选择比偏低,为30以下,因此,难以应用于氮化硅膜和氧化硅膜的 层叠结构。另外,包含磷酸的氮化硅膜蚀刻组合物在高温下持续进行基于水分蒸 发的浓缩,对氮化物膜和氧化物膜的蚀刻率造成影响,因此需要持续供给纯水(去 离子水)。然而,即使所供给的纯水的量发生微小变化也会在去除氮化硅膜时导 致缺陷。
[0004]为了解 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氮化硅膜蚀刻组合物,其中,包含:磷酸,含由以下化学式1表示的重复单元的硅化合物,以及余量的水;[化学式1]在所述化学式1中,R1至R4各自独立地为氢、卤素基、氰基、硝基、氨基、羟基、C1‑
20
烷氧基、C1‑
20
烷基、C3‑
20
环烷基、C3‑
20
杂环烷基、C3‑
20
杂芳基、C6‑
20
芳基、C1‑
20
氨基烷基或R
11
至R
14
各自独立地为氢、C1‑
20
烷基或C1‑
20
羟烷基,选自R1至R4中的至少两者中的一者为C1‑
20
氨基烷基,另一者为2.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻组合物,其中,在所述化学式1中,R1为C1‑7氨基烷基,R2至R4中的至少一者为其余两者为氢、卤素基、氰基、硝基、氨基、羟基、C1‑7烷氧基、C1‑7烷基、C1‑7氨基烷基或R
11
至R
14
各自独立地为氢、C1‑7烷基或C1‑7羟烷基。3.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻组合物,其中,在所述化学式1中,R1为C1‑7氨基烷基,R2至R4中的至少一者为其余两者为氢、卤素基、羟基、C1‑7烷氧基、C1‑7氨基烷基或R
11
至R
14
各自独立地为氢、C1‑7烷基或C1‑7羟烷基。4....
【专利技术属性】
技术研发人员:金东铉,朴贤宇,洪性俊,李明镐,宋明根,金薰植,高在中,李鸣仪,
申请(专利权)人:易安爱富科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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