【技术实现步骤摘要】
一种BiVO4/CoP薄膜电极及其制备方法和应用
[0001]本专利技术属于金属防腐
,具体涉及一种BiVO4/CoP薄膜电极及其制备方法和应用。
技术介绍
[0002]金属材料是人类历史上使用时间最长的材料之一。它们在工业、农业生产和科学研究领域中广泛用作结构材料和功能材料。然而,金属的热力学不稳定状态使其在使用过程中不可避免地具有腐蚀的趋势。金属腐蚀具有很大的破坏性。
[0003]目前,金属防腐技术可分为两类:物理屏障保护和电化学保护方法。物理屏障保护是通过在金属基板的表面上涂覆钝化层以防止氧气、水、盐的接触和渗透,从而防止金属与这些物质发生化学反应。电化学保护法则是通过外加电流使金属制品的电位发生变化,从而减缓或抑制金属制品的腐蚀。电化学保护分为两种,即阳极保护法和阴极保护法。其中,光电阴极保护是一种新型的阴极保护技术,不以防腐材料作为牺牲剂,无需消耗防腐材料,仅使用绿色清洁的太阳能来减缓甚至抑制金属材料的腐蚀,实现永久的保护。
[0004]光电阴极保护主要通过金属与光电极(由半导体材料制备得到) ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种BiVO4/CoP薄膜电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将乙酸盐、次亚磷酸盐、可溶性钴盐与溶剂混合,得到混合电解质溶液;将BiVO4光电极置于所述混合电解质溶液中,以BiVO4光电极为工作电极,采用三电极系统进行循环伏安电沉积,在所述BiVO4光电极表面形成CoP助催化剂层,得到BiVO4/CoP薄膜电极。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述混合电解质溶液中乙酸盐的浓度为0.5~5mol/L,次亚磷酸盐的浓度为0.01~0.5mol/L,可溶性钴盐的浓度为0.02~1mol/L。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述三电极系统的对电极为铂网电极,参比电极为氯化银电极。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述循环伏安电沉积的条件包括:扫描速率为50~200mV/s,电位范围为
‑
0.9~0V,循环...
【专利技术属性】
技术研发人员:熊贤强,张晓,褚雨潇,武承林,吴琛琦,张川群,
申请(专利权)人:台州学院,
类型:发明
国别省市:
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