【技术实现步骤摘要】
控制读取请求的方法和具有主机装置的存储器控制器
[0001]本专利技术总体涉及半导体器件领域。更具体地,本专利技术的实施方式涉及存储器装置,包括易失性存储器装置和非易失性存储器装置,诸如闪存装置、电阻式随机存取存储器(ReRAM)和/或导电桥接RAM(CBRAM)进程和装置。
技术介绍
[0002]非易失性存储器(NVM)越来越多地见于诸如固态硬盘、可移除数字图片卡、汽车电子产品、家用电器等应用中。闪存是当今使用的主流NVM技术。然而,闪存具有诸如相对高功率以及相对慢操作速度的局限性。微处理器的性能可能对存储器时延非常敏感。与微处理器相比,许多非易失性存储器装置具有相对慢的访问时间或时延。另外,微处理器/主机与存储器之间的各种通信协议(诸如,串行外围设备接口(SPI))的许多实现可能增加比存储器阵列本身所需更多的时延。
技术实现思路
[0003]本专利技术提供了一种控制读取请求的方法,所述方法包括:
[0004]a)在主机装置中从总线主控器接收所述读取请求,其中,所述主机装置通过接口联接至存储器装置; ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种控制读取请求的方法,所述方法包括以下步骤:a)在主机装置中从总线主控器接收所述读取请求,其中,所述主机装置通过接口联接至存储器装置;b)确定所述读取请求的配置状态;c)将所述读取请求的属性与存储在所述主机装置中的预定属性进行比较;d)当所述读取请求的所述属性与所述预定属性匹配时,对所述读取请求的所述配置状态进行调整;以及e)经由所述接口将具有调整后的配置状态的所述读取请求从所述主机装置发送到所述存储器装置。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述读取请求的所述属性包括所请求的地址的最低有效位LSB。3.根据权利要求2所述的方法,其中,当所述LSB对应于所述存储器装置中的对齐地址时,对所述读取请求的所述配置状态进行调整。4.根据权利要求3所述的方法,其中,对所述配置状态进行调整的步骤包括:改变操作码。5.根据权利要求3所述的方法,其中,所述对齐地址在所述存储器装置中被双字对齐。6.根据权利要求1所述的方法,其中:a)所述存储器装置包括非易失性存储器;并且b)所述接口包括串行接口。7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述读取请求的所述属性包括长突发请求。8.根据权利要求7所述的方法,其中,对所述配置状态进行调整的步骤包括:改变间隔。9.根据权利要求1所述的方法,其中,对所述配置状态进行调整的步骤包括:改变操作码、模式、虚设周期数和间隔中的至少一者。10.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:在所述存储器装置中选择用于所述读取请求的虚设周期数。11.一种具有主机装置的存储器控制器,所述主机装置被适...
【专利技术属性】
技术研发人员:G,
申请(专利权)人:爱德斯托科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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