获得在树脂绝缘构件的外周部处抑制树脂从树脂绝缘构件泄漏并使可靠性提高的半导体装置。半导体装置具备：模块部(2)；树脂绝缘构件(12)，与模块部(2)粘接；冷却部(13)，经由树脂绝缘构件(12)而与模块部(2)连接；以及流动防止构件(11)，被模块部(2)和冷却部(13)夹持，配置在树脂绝缘构件(12)的周围，相比树脂绝缘构件(12)容易压缩变形。构件(12)容易压缩变形。构件(12)容易压缩变形。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电力用半导体装置、电力用半导体装置的制造方法以及电力转换装置
[0001]本专利技术涉及隔着导热性树脂绝缘层地形成了密封有功率半导体元件的功率模块和散热构件的电力用半导体装置、电力用半导体装置的制造方法以及电力转换装置。
技术介绍
[0002]在功率模块中，散热性是重要的课题之一。作为其解决策略之一，实际使用了在作为散热构件的散热器与功率模块之间配置兼具粘接功能、电绝缘功能以及导热功能的导热性树脂绝缘层的电力用半导体装置。在该导热性树脂绝缘层中，使用了含有无机充填材料的热硬化性树脂片、含浸了热硬化性树脂的无机成形体片以及涂敷膜等。这样的导热性树脂绝缘层通过进行加热加压处理而在功率模块与散热器之间显现出粘接功能。
[0003]导热性树脂绝缘层在因加热使树脂硬化之前成为软化状态，通过加压而使树脂流动，原本所具有的空隙变小，由此获得所期望的电绝缘性能。可是，在导热性树脂绝缘层的端部，由于加压，作用着树脂将要从端边漏出的力，产生树脂流动。此时，在导热性树脂绝缘层的端部周边，产生树脂流动，故而应填埋空隙的树脂不足，空隙无法充分变小，或是多个空隙连结起来而变大地成长等，有时无法获得所期望的电绝缘性能。
[0004]因而，为了解决该课题，设置导热性树脂绝缘片的厚度规定构件，规定导热性树脂绝缘片的厚度，由此限制因加压导致的树脂从导热性绝缘树脂片泄漏的漏出量(例如专利文献1)。
[0005]在先技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2012－174965号公报
技术实现思路
[0008]专利技术所要解决的课题
[0009]但是，在专利文献1所述的电力用半导体装置中，虽然设置导热性绝缘树脂片的厚度规定构件来将加压时的导热性绝缘树脂片的厚度规定成所期望的厚度，但却无法抑制因加压导致的树脂从导热性绝缘树脂片的流出，在导热性绝缘树脂片的端部周边产生空隙，无法充分地获得电绝缘性，有时电力用半导体装置的可靠性会变差。
[0010]本专利技术是鉴于上述那样的课题而做出的，其目的在于获得抑制在加压时树脂从导热性绝缘树脂片流出、获得电绝缘性并使可靠性提高的电力用半导体装置。
[0011]用于解决课题的方案
[0012]本专利技术所涉及的电力用半导体装置具备：模块部；树脂绝缘构件，该树脂绝缘构件与模块部粘接；冷却部，该冷却部经由树脂绝缘构件而与模块部连接；以及流动防止构件，该流动防止构件被模块部和冷却部夹持，配置在树脂绝缘构件的周围，且比树脂绝缘构件容易压缩变形。
[0013]专利技术的效果
[0014]根据本专利技术，由于在树脂绝缘构件的外周部设置流动防止构件，所以，可抑制树脂绝缘构件的端部周边处的空隙的产生，能使电力用半导体装置的可靠性提高。
附图说明
[0015]图1是示出本专利技术的实施方式1中的电力用半导体装置的平面结构示意图。
[0016]图2是示出本专利技术的实施方式1中的电力用半导体装置的剖面结构示意图。
[0017]图3是示出本专利技术的实施方式1中的电力用半导体装置的加压前的剖面结构示意图。
[0018]图4是示出本专利技术的实施方式1中的电力用半导体装置的加压后的剖面结构示意图。
[0019]图5是示出本专利技术的实施方式1中的电力用半导体装置的其他流动防止构件的加压前的剖面结构示意图。
[0020]图6是示出本专利技术的实施方式1中的电力用半导体装置的其他流动防止构件的加压后的剖面结构示意图。
[0021]图7是示出本专利技术的实施方式1中的电力用半导体装置的侧面外观的外面结构示意图。
[0022]图8是示出本专利技术的实施方式1中的电力用半导体装置的平面结构示意图。
[0023]图9是示出本专利技术的实施方式1中的其他电力用半导体装置的侧面外观的外面结构示意图。
[0024]图10是示出本专利技术的实施方式1中的其他电力用半导体装置的平面结构示意图。
[0025]图11是示出比较例中的电力用半导体装置的剖面结构示意图。
[0026]图12是示出比较例中的电力用半导体装置的平面结构示意图。
[0027]图13是示出本专利技术的实施方式1中的流动防止构件的平面结构示意图。
[0028]图14是示出本专利技术的实施方式1中的其他流动防止构件的平面结构示意图。
[0029]图15是示出本专利技术的实施方式1中的其他流动防止构件的平面结构示意图。
[0030]图16是示出本专利技术的实施方式1中的其他流动防止构件的平面结构示意图。
[0031]图17是示出本专利技术的实施方式1中的其他流动防止构件的平面结构示意图。
[0032]图18是示出本专利技术的实施方式1中的电力用半导体装置的制造工序的平面结构示意图。
[0033]图19是示出本专利技术的实施方式1中的电力用半导体装置的制造工序的平面结构示意图。
[0034]图20是示出本专利技术的实施方式1中的电力用半导体装置的制造工序的平面结构示意图。
[0035]图21是示出本专利技术的实施方式1中的其他电力用半导体装置的制造工序的平面结构示意图。
[0036]图22是示出本专利技术的实施方式1中的其他电力用半导体装置的制造工序的平面结构示意图。
[0037]图23是示出本专利技术的实施方式1中的其他电力用半导体装置的制造工序的平面结
构示意图。
[0038]图24是示出本专利技术的实施方式2中的电力用半导体装置的剖面结构示意图。
[0039]图25是示出本专利技术的实施方式2中的其他电力用半导体装置的剖面结构示意图。
[0040]图26是示出本专利技术的实施方式3中的电力用半导体装置的剖面结构示意图。
[0041]图27是示出本专利技术的实施方式3中的电力用半导体装置的制造工序的剖面结构示意图。
[0042]图28是示出本专利技术的实施方式3中的电力用半导体装置的制造工序的剖面结构示意图。
[0043]图29是示出本专利技术的实施方式3中的其他电力用半导体装置的剖面结构示意图。
[0044]图30是示出本专利技术的实施方式3中的其他电力用半导体装置的剖面结构示意图。
[0045]图31是示出本专利技术的实施方式4中的应用了电力转换装置的电力转换系统的构成的框图。
具体实施方式
[0046]首先，关于本专利技术的电力用半导体装置的整体构成，参照附图来进行说明。另外，附图为示意性质，并不反映所示构成要素的准确尺寸等。另外，标注相同的附图标记的部分是相同或者与之相当的部分，这在说明书的全文中是共通的。
[0047]实施方式1.
[0048]图1是示出本专利技术的实施方式1中的电力用半导体装置的平面结构示意图。图2是示出本专利技术的实施方式1中的电力用半导体装置的剖面结构示意图。图1是透过密封构件5地从上面观看电力用半导体装置100的平面结构示意图。图2是图1的单点划线AA处的剖面结构示意图。
[0049]在附图中，电力用半导体装置100具备模块部2、本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电力用半导体装置，其中，上述电力用半导体装置具备：模块部；树脂绝缘构件，该树脂绝缘构件与上述模块部粘接；冷却部，该冷却部经由上述树脂绝缘构件而与上述模块部连接；以及流动防止构件，该流动防止构件被上述模块部和上述冷却部夹持，配置在上述树脂绝缘构件的周围，且比上述树脂绝缘构件容易压缩变形。2.如权利要求1所述的电力用半导体装置，其中，在上述模块部，在比上述树脂绝缘构件靠外周侧的位置设有第一突起部，上述流动防止构件被上述第一突起部和上述冷却部夹持。3.如权利要求1或2所述的电力用半导体装置，其中，在上述冷却部，在比上述树脂绝缘构件靠外周侧的位置设有第二突起部，上述流动防止构件被上述第二突起部和上述模块部夹持。4.如权利要求1～3中任一项所述的电力用半导体装置，其中，上述流动防止构件为线材，上述树脂绝缘构件的外周部处的上述线材的交叉部或者连接部处于上述树脂绝缘构件的角部。5.如权利要求4所述的电力用半导体装置，其中，上述线材设有多个。6.如权利要求1～5中任一项所述的电力用半导体装置，其中，在上述模块部以及上述冷却部中的任一方设有上述流动防止构件定位用的槽。7.如权利要求1～6中任一项所述的电力用半导体装置，其中，在上述流动防止构件的外周侧，在上述模块部以及上述冷却部中的任一方设有流动防止加强壁。8.如权利要求7所述的电力用半导体装置，其中，上述流动防止构件的高度比上述流动防止加强壁的高度高。9.如权利要求1～8中任一项所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：小林浩，山根朋久，曾田真之介，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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