【技术实现步骤摘要】
高分辨角速度传感器、其制作方法及应用
[0001]本专利技术涉及一种传感器,具体涉及一种高分辨角速度传感器、其制作方法及应用。
技术介绍
[0002]可实现自主测量的惯性技术一直是国防和国民经济建设中诸多领域的“眼睛”。基于Sagnac效应的光学陀螺,因其具有全固态化、性能稳定、动态范围宽、耐冲击、抗干扰、启动快等优点,成为角速度测量的主力军。紧凑、稳定的谐振型微光学陀螺(R
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MOG)成为新的研究热点。由外光注入无源环形谐振腔(PRR)获得顺(逆)时针传播的两束谐振光干涉构成的无源R
‑
MOG成为公认的最可行方案。因而,谐振型集成光学陀螺获得高分辨需满足两个基本条件:窄线宽激光器;高分辨角速度传感器。实现高分辨角速度传感器的基础和关键是实现大直径高品质因子(Q)的PRR。以低损耗材料实现高品质因子的PRR成为主要解决途径。因此,自无源R
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MOG问世以来,国内外陆续采用多种低损材料(如SiO2、玻璃、聚合物、Si、SOI、SiN、铌酸锂和光纤)制备高品质因子PRR(Ap ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高分辨角速度传感器,其特征在于,包括半导体光学放大器和无源环形谐振腔,所述半导体光学放大器内嵌于环形谐振腔内,所述半导体光学放大器在被注入载流子时能够产生增益,从而补偿所述无源环形谐振腔自身产生的损耗。2.根据权利要求1所述的高分辨角速度传感器,其特征在于,还包括输入输出波导,所述输入输出波导与无源环形谐振腔相邻设置并相互耦合。3.根据权利要求1所述的高分辨角速度传感器,其特征在于:所述半导体光学放大器包括在衬底上依次生长的缓冲层、下分别限制层、有源增益层、上分别限制层、第一包覆层和接触层;以及所述无源环形谐振腔包括在衬底上依次形成的缓冲层、下分别限制层、混杂后的量子阱区、上分别限制层和第一包覆层,或者,所述无源环形谐振腔包括在所述衬底上依次形成的缓冲层、无源波导层和第二包覆层。4.根据权利要求3所述的高分辨角速度传感器,其特征在于:所述衬底包括Si衬底、GaAs衬底、InP衬底或GaN衬底。5.根据权利要求4所述的高分辨角速度传感器,其特征在于:所述衬底为InP衬底,且所述衬底为P型衬底、N型衬底或者半绝缘衬底;和/或,所述缓冲层为InP缓冲层;和/或,所述上分别限制层、下分别限制层的材质包括InGaAsP、InGaAlAs或者InGaNAs;和/或,所述上分别限制层、下分别限制层的厚度为0.01
‑
1.5μm;和/或,所述有源增益层包括In
x
Ga1‑
x
As
y
P1‑
y
层、In
x1
Ga1‑
x1
As
y1
P1‑
y1
/InGa1‑
x2
As
y2
P1‑
y2
或In
x3
Ga1‑
x3
As
y3
P1‑
y3
/In
x4
Ga
y4
Al1‑
x4
‑
y4
As多量子阱中的任一种,其中x、x1、x2、x3、x4、y、y1、y2、y3、y4均大于或等于0而小于或等于1;和/或,所述第一包覆层、第二包覆层为InP...
【专利技术属性】
技术研发人员:张瑞英,
申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,
类型:发明
国别省市:
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