一种基于反向I-V特性的二极管漏电分析方法技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，公开了一种基于反向I

【技术实现步骤摘要】
一种基于反向I
‑
V特性的二极管漏电分析方法


[0001]本专利技术属于半导体
，具体涉及一种基于反向I
‑
V特性的二极管漏电分析方法。

技术介绍

[0002]宽禁带半导体材料是在第一代元素半导体材料(如硅)和第二代化合物半导体材料(砷化镓、磷化镓、磷化铟等)之后发展起来的第三代半导体材料。比较常见的第三代半导体材料有金刚石、氮化镓、氮化铝、碳化硅等。第三代半导体材料相较于前两代，具有高热导率、高载流子迁移率、高击穿电场以及禁带宽度大等特点，因而在高功率电力电子、射频、高温、辐照等环境和应用下都具有巨大的潜力。但第三代半导体材料制成的器件始终无法突破材料的极限，这主要归因于材料外延生长过程中引入的缺陷、杂质，杂质和缺陷会形成陷阱能级和局域态，由于第三代半导体材料的禁带宽度大，上述陷阱能级多位于禁带之中，成为载流子捕获和发射中心，进而影响器件的光电特性。
[0003]其中，局域态和陷阱能级对光电特性的影响主要是提供载流子的隧穿通道；电子可以通过禁带中的局域态逐步跃迁到导带之中成为“自由电子”，在电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于反向I
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V特性的二极管漏电分析方法，其特征在于：包括下列步骤：步骤一、制备二极管的样品用于测试分析；步骤二、对二极管的样品进行变温反向I
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V特性测试，测得的不同温度下的反向I
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V特性数据；步骤三、通过不同漏电流输运机制的漏电流计算公式对上一步所得的反向I
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V特性数据进行拟合，分析出对应的漏电流输运机制。2.根据权利要求1所述的一种基于反向I
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V特性的二极管漏电分析方法，其特征在于：还包括：步骤四、通过EMMI获取所述二极管的缺陷位置，所述缺陷位置对应于发光点。3.根据权利要求1或2所述的一种基于反向I
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V特性的二极管漏电分析方法，其特征在于：所述步骤三中，应用漏电流计算公式的漏电流输运机制至少包括VRH机制、SCLC机制和PF
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emission机制三者中的一种或几种。4.根据权利要求3所述的一种基于反向I
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V特性的二极管漏电分析方法，其特征在于：所述步骤三中，在表示反向I
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V特性数据的测试结果图中，每一支曲线代表了一个温度下的反向I
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V特性测试结果，当应用漏电流计算公式的漏电流输运机制不止一种时，根据电压大小对所述反向I
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V特性数据进行分段拟合，确定各段反向I
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V特性数据与漏电流输运机制的相关性。5.根据权利要求3所述的一种基于反向I
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V特性的二极管漏电分析方法，其特征在于：所述VRH机制的漏电流计算公式为公式(1)，其中I为漏电流，I0是零场下的电流，E为空间电荷区的电场强度，T0是特征温度，k
B
是玻尔兹曼常数，e为自然常数，exp()表示以自然常数e为底的指数函数,T为温度，C和a都是常数，与材料的性质相关，对宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄永，王宇轩，陈财，陈兴，王东，吴勇，常娟雄，邵语嫣，刘晓磊，陈军飞，操焰，陆俊，季亚军，沈琪，
申请(专利权)人：西安电子科技大学芜湖研究院，
类型：发明
国别省市：