横向光电探测器制造技术

本发明专利技术提供一种横向光电探测器。该横向光电探测器包括：衬底；第一外延层，形成于衬底上，且背离衬底的一侧形成有隔离平台；阳极区和阴极区，形成于第一外延层上，且阳极区和阴极区通过隔离平台隔离，隔离平台的上表面高于阳极区的上表面以及阴极区的上表面；其中，阳极区、隔离平台和阴极区形成横向PIN结；第一电极，形成于阳极区上；第二电极，形成于阴极区上。本发明专利技术能够提高半导体光电探测器工作性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
横向光电探测器


[0001]本专利技术涉及光电探测器
，尤其涉及一种横向光电探测器。

技术介绍

[0002]半导体光电探测器具有灵敏度高、可靠性好、体积小、便于集成等优点，在火灾探测、通信、遥感、预警等军民领域具有广阔的应用前景。
[0003]传统的半导体光电探测器，多采用纵向结构，由于短波长的入射光信号在半导体材料内部的吸收长度较短，通常在材料表面被吸收，无法在探测器内部形成光电流，造成探测器对短波长信号的响应度较低，也即传统的半导体光电探测器工作性能较差且灵敏度低。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种横向光电探测器，以解决传统的半导体光电探测器工作性能较差且灵敏度低的问题。
[0005]本专利技术实施例提供了一种横向光电探测器，包括：
[0006]衬底；
[0007]第一外延层，形成于衬底上，且背离衬底的一侧形成有隔离平台；
[0008]阳极区和阴极区，形成于第一外延层上，且阳极区和阴极区通过隔离平台隔离，隔离平台的上表面高于阳极区的上表面以及阴极区的上表面；其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种横向光电探测器，其特征在于，包括：衬底；第一外延层，形成于所述衬底上，且背离所述衬底的一侧形成有隔离平台；阳极区和阴极区，形成于所述第一外延层上，且所述阳极区和所述阴极区通过所述隔离平台隔离，所述隔离平台的上表面高于所述阳极区的上表面以及所述阴极区的上表面；其中，所述阳极区、所述隔离平台和所述阴极区形成横向PIN结；第一电极，形成于所述阳极区上；第二电极，形成于所述阴极区上。2.如权利要求1所述的横向光电探测器，其特征在于，所述阳极区为第一掺杂浓度的重掺杂P型区；所述阴极区为第二掺杂浓度的重掺杂N型区；所述第一外延层为第三掺杂浓度的轻掺杂P型或者轻掺杂N型半导体材料；其中，第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度均大于所述第三掺杂浓度。3.如权利要求2所述的横向光电探测器，其特征在于，所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度均处于10
18
～10
20
cm
‑3范围；所述第三掺杂浓度处于10
14
～10
18
cm
‑3范围，且不包括10
18
cm
‑3。4.如权利要求1所述的横向光电探测器，其特征在于，所述衬底为半绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：周幸叶，吕元杰，王元刚，郭红雨，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：