一种多频馈电网络、TR模块及相控阵天线制造技术

本发明专利技术公开了一种多频馈电网络、TR模块及相控阵天线，馈电网络多层板固定于腔体腔内，射频输入连接器连接馈电网络多层板的第一接口，供电与控制信号连接器连接馈电网络多层板的第二接口；各CQFN封装管壳均设置于馈电网络多层板上，各射频芯片组一一对应封焊于CQFN封装管壳内，各射频输出连接器分别与各CQFN封装管壳一一相连，后端连接TR组件，TR组件连接天线；馈电网络多层板上集成有供电与控制信号线路以及多路传输线路，各路传输线路分别与第一接口和各CQFN封装管壳相连，各路传输线路间存在隔离和屏蔽设施，供电与控制信号线路分别与第二接口和各CQFN封装管壳相连。本发明专利技术可实现多频馈电功能和芯片气密功能，集成度高，结构简单，装配难度低。装配难度低。装配难度低。

【技术实现步骤摘要】
一种多频馈电网络、TR模块及相控阵天线


[0001]本专利技术涉及相控阵天线领域，尤其是一种具有气密特性的高集成度多频馈电网络、包含该多频馈电网络的TR组件，以及对应的相控阵天线。

技术介绍

[0002]随着近些年来微波毫米波技术的快速发展，人们对于微波毫米波系统的集成度、多频率、多功能等方面的要求也越来越高。而馈电网络作为相控阵天线前端的重要组成部分，对TR组件和整个天线前端的性能有着重要影响。传统的馈电网络大多只能传输一种频率的射频信号，无法满足如今相控阵天线前端多频率工作的要求；并且传统的馈电网络大多数具有尺寸较大的缺点，难以实现芯片级的气密特性，在系统可靠性和使用寿命方面有明显的缺陷。
[0003]在进一步检索中也发现有多频馈电网络的设计，例如CN111525284A公开的多频复合大功率瓦片式有源相控阵天线，或者CN113725629A公开的一种高功率双频双极化瓦式有源相控阵天线，其均属于多于一个射频频率的馈电网络设计。但是，此类多频（双频及以上）馈电网络设计需要在每一层级单独设计一个频率的射频网络，多个频率需要堆叠多层结构，仍然具有尺寸较大的缺点，在组装难度上也较为繁琐。此外，此类馈电网络层与TR组件需要设计在一起进行气密封焊，无法实现芯片级气密。

技术实现思路

[0004]本专利技术的专利技术目的在于：针对上述存在的问题，提供一种具有气密特性的高集成度多频馈电网络，可以实现多频馈电功能和芯片气密功能，并具有集成度高、结构简单和装配难度低的优点，在微波毫米波相控阵领域具有广泛的应用价值。
[0005]本专利技术采用的技术方案如下：一种具有气密特性的高集成度多频馈电网络，其包括射频输入连接器、馈电网络多层板、多个CQFN封装管壳、多个射频芯片组、供电与控制信号连接器、多个射频输出连接器和腔体；所述馈电网络多层板固定于所述腔体腔内，所述射频输入连接器连接所述馈电网络多层板的第一接口，所述供电与控制信号连接器连接所述馈电网络多层板的第二接口；各所述CQFN封装管壳均设置于所述馈电网络多层板上，各所述射频芯片组一一对应封焊于所述CQFN封装管壳内，各所述射频输出连接器分别与各所述CQFN封装管壳一一相连；所述馈电网络多层板上集成有供电与控制信号线路以及多路传输线路，各路所述传输线路分别与所述第一接口和各所述CQFN封装管壳相连，各路传输线路间存在隔离和屏蔽设施，所述供电与控制信号线路分别与所述第二接口和各所述CQFN封装管壳相连。
[0006]进一步的，所述腔体上设置有第一插座，所述第一插座与所述第一接口连接，所述射频输入连接器连接于所述第一插座上。
[0007]进一步的，所述射频输入连接器包括多个第一射频连接端口，所述第一插座包括与各所述第一射频连接端口一一对应连接的第二射频连接端口，所述第一接口包括与各所
述第二射频连接端口一一对应连接的第三射频连接端口。
[0008]进一步的，所述馈电网络多层板为一体的多层级结构，各路传输线路分别位于不同的层级。
[0009]进一步的，所述传输线路包括带状线、微带线、功分器以及层间金属过孔。
[0010]进一步的，各路传输线路分别通过一组层间金属过孔连接到所述第一接口对应的端口，通过另一组层间金属过孔连接到对应的CQFN封装管壳。
[0011]进一步的，各所述CQFN封装管壳均设置于所述馈电网络多层板表层。
[0012]进一步的，所述射频输出连接器固定于所述腔体上，所述射频输出连接器一端与对应的CQFN封装管壳相连，另一端用于连接TR组件公共端。
[0013]本专利技术还提供了一种TR模块，其包括TR组件以及上述的具有气密特性的高集成度多频馈电网络，各所述射频输出连接器分别连接所述TR组件。
[0014]本专利技术还提供了一种相控阵天线，其包括上述的TR模块，以及连接所述TR模块的天线。
[0015]综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术的有益效果是：1、本专利技术提出的一种具有气密特性的高集成度多频馈电网络可以同时传输多个频率的射频信号。
[0016]2、本专利技术提出的一种具有气密特性的高集成度多频馈电网络可以实现射频芯片的气密特性。
[0017]3、本专利技术提出的一种具有气密特性的高集成度多频馈电网络具有集成度高、结构简单和装配难度低的优点。
附图说明
[0018]本专利技术将通过例子并参照附图的方式说明，其中：图1是一种具有气密特性的高集成度多频馈电网络整体结构图。
[0019]图2是一种具有气密特性的高集成度多频馈电网络各部分的分解示意图。
[0020]图3是一种具有气密特性的高集成度多频馈电网络的馈电网络多层板结构图。
[0021]图4是一种具有气密特性的高集成度多频馈电网络的CQFN封装管壳和射频芯片结构图。
[0022]图5是一种具有气密特性的高集成度多频馈电网络的馈电网络多层板射频信号原理框图。
[0023]图中，1是射频输入连接器，2是馈电网络多层板，201是第一接口，202是第一焊盘，203是第二接口，3是CQFN封装管壳，301是第二焊盘，302是第三焊盘， 4是射频芯片组，5是供电与控制信号连接器，6是射频输出连接器，7是腔体，701是插座，702是腔体外沿，8是螺钉。
具体实施方式
[0024]本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。
[0025]本说明书（包括任何附加权利要求、摘要）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可
被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
[0026]本专利技术提出的一种具有气密特性的高集成度多频馈电网络的基本原理为：多种频率的射频信号从射频输入连接器1接入到多频馈电网络，接着传输到馈电网络多层板2的第一接口201，需要说明的是，射频输入连接器1包括多个第一射频连接端口，每个端口对应一个频率的射频信号，对应的，在第一接口201处包括多个第三射频连接端口，一个第一射频连接端口连接一个第三射频连接端口，做到一一对应关系。在一些实施例中，射频输入连接器1是连接在腔体7的第一插座701上的，第一插座701与第一接口201相连，第一插座701同样需要传输多频率的射频信号，即第一插座701包括多个第二射频连接端口，一个第一射频连接端口连接一个第二射频连接端口，一个第二射频连接端口连接一个第三射频连接端口，以实现每一路（一个频率）射频信号的独立传输。
[0027]馈电网络多层板2内集成有各个频率射频信号的无源传输线路，传输到馈电网络多层板2的每一路射频信号接入一路无源传输线路，且各路无源传输线路之间设计有隔离和屏蔽设施，起到互补干扰的效果。各路无源传输线路对接入的射频信号进行传输、功分等，最后将射频信号传输给对应的CQFN封装管壳3内封焊的射频芯片组4进行射频信号处理。
[0028]供电与控制信号从供电与控制信号连接器5接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有气密特性的高集成度多频馈电网络，其特征在于，包括射频输入连接器（1）、馈电网络多层板（2）、多个CQFN封装管壳（3）、多个射频芯片组（4）、供电与控制信号连接器（5）、多个射频输出连接器（6）和腔体（7）；所述馈电网络多层板（2）固定于所述腔体（7）腔内，所述射频输入连接器（1）连接所述馈电网络多层板（2）的第一接口（201），所述供电与控制信号连接器（5）连接所述馈电网络多层板（2）的第二接口（203）；各所述CQFN封装管壳（3）均设置于所述馈电网络多层板（2）上，各所述射频芯片组（4）一一对应封焊于所述CQFN封装管壳（3）内，各所述射频输出连接器（6）分别与各所述CQFN封装管壳（3）一一相连；所述馈电网络多层板（2）上集成有供电与控制信号线路以及多路传输线路，各路所述传输线路分别与所述第一接口（201）和各所述CQFN封装管壳（3）相连，各路传输线路间存在隔离和屏蔽设施，所述供电与控制信号线路分别与所述第二接口（203）和各所述CQFN封装管壳（3）相连。2.如权利要求1所述的具有气密特性的高集成度多频馈电网络，其特征在于，所述腔体（7）上设置有第一插座（701），所述第一插座（701）与所述第一接口（201）连接，所述射频输入连接器（1）连接于所述第一插座（701）上。3.如权利要求1所述的具有气密特性的高集成度多频馈电网络，其特征在于，所述射频输入连接器（1）包括多个第一射频连接端口，所述第一插...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐耀宗，丁卓富，徐明昊，张珂，贾静雯，胡洋，
申请(专利权)人：成都雷电微力科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：