低应力的金属围坝陶瓷封装基板制造技术

本实用新型专利技术公开一种低应力的金属围坝陶瓷封装基板，包括有陶瓷基层、正面线路层、背面线路层以及金属围坝；该正面线路层成型在陶瓷基层的正面；该背面线路层成型在陶瓷基层的背面；该金属围坝成型在陶瓷基层的正面，金属围坝围构形成一容置腔，金属围坝包括有底层和于底层表面向上一体延伸出的主体层。通过将主体层设计成倒锥状，底层的宽度大于主体层的宽度，再配合底层的外周缘上下表面贯穿形成有多个间隔排布的第一缺口，各个第一缺口均位于主体层的外侧，主体层的内侧壁和外侧壁均凹设有第二缺口，提高产品的抗冷热冲击性能，降低并分散围坝对陶瓷基层的应力，从而防止陶瓷基层暗裂，进而延长UVC模块的寿命和提高UVC模块的可靠性。可靠性。可靠性。

【技术实现步骤摘要】
低应力的金属围坝陶瓷封装基板


[0001]本技术涉及基板领域技术，尤其是指一种低应力的金属围坝陶瓷封装基板。

技术介绍

[0002]随着医疗杀菌行业的逐渐深入，使用环境也更加多样化，使得UVC杀菌封装模块对陶瓷基层的散热以及能抗冷热冲击性能要求也越来越高。
[0003]传统的UVC用封装基板为了防老化，取消了传统的Molidng工艺，采用的是金属围坝封装，可以避免老化问题，但是金属的热膨胀系数和陶瓷差别很大，在封装过程中会出现基层应力过大，造成基层暗裂，从而使得UVC模块的寿命和可靠性下降。目前对于如何降低这种带围坝结构的陶瓷基层的应力及提高其抗冷热冲击的性能，已经成为提高UVC杀菌模块封装良率的难点。因此，有必要对现有的金属围坝封装基板进行改进。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种低应力的金属围坝陶瓷封装基板，其能有效解决现有之金属围坝封装基板在封装过程中，因基层应力过大，造成基层暗裂，从而使得UVC模块的寿命和可靠性下降的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术采用如下之技术方案：
[0006]一种低应力的金属围坝陶瓷封装基板，包括有陶瓷基层、正面线路层、背面线路层以及金属围坝；
[0007]该陶瓷基层的上下表面贯穿形成有导通孔，该导通孔中成型有导通柱；
[0008]该正面线路层成型在陶瓷基层的正面并与导通柱的上端导通连接；该背面线路层成型在陶瓷基层的背面并与导通柱的下端导通连接；
[0009]该金属围坝成型在陶瓷基层的正面并位于正面线路层的外围，金属围坝围构形成一容置腔，金属围坝包括有底层和于底层表面向上一体延伸出的主体层，该底层的宽度大于主体层的宽度，底层的外周缘上下表面贯穿形成有多个间隔排布的第一缺口，各个第一缺口均位于主体层的外侧，该主体层成倒锥状，主体层的内侧壁和外侧壁均凹设有第二缺口。
[0010]作为一种优选方案，所述陶瓷基层的背面成型有散热层，该背面线路层为两个，其分别位于散热层的两侧，两背面线路层与散热层之间均填充油墨而形成有阻焊层。
[0011]作为一种优选方案，所述导通孔为垂直导通孔。
[0012]作为一种优选方案，所述第一缺口为圆孔。
[0013]作为一种优选方案，所述第二缺口为环形凹槽，第二缺口为上下间隔设置的多个。
[0014]作为一种优选方案，所述主体层的表面内周缘下凹形成有嵌置槽。
[0015]本技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知：
[0016]通过将主体层设计成倒锥状，底层的宽度大于主体层的宽度，再配合底层的外周
缘上下表面贯穿形成有多个间隔排布的第一缺口，各个第一缺口均位于主体层的外侧，主体层的内侧壁和外侧壁均凹设有第二缺口，提高产品的抗冷热冲击性能，降低并分散围坝对陶瓷基层的应力，从而防止陶瓷基层暗裂，进而延长UVC模块的寿命和提高UVC模块的可靠性。
[0017]为更清楚地阐述本技术的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本技术进行详细说明。
附图说明
[0018]图1是本技术之较佳实施例的截面图；
[0019]图2是本技术之较佳实施例的俯视图。
[0020]附图标识说明：
[0021]10、陶瓷基层
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11、导通孔
[0022]12、导通柱
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20、正面线路层
[0023]30、背面线路层
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40、金属围坝
[0024]401、容置腔
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41底层
[0025]411、第一缺口
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42、主体层
[0026]421、第二缺口
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422、嵌置槽
[0027]50、散热层
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60、阻焊层。
具体实施方式
[0028]请参照图1至图2所示，其显示出了本技术之较佳实施例的具体结构，包括有陶瓷基层10、正面线路层20、背面线路层30以及金属围坝40。
[0029]该陶瓷基层10的上下表面贯穿形成有导通孔11，该导通孔11中成型有导通柱12；在本实施例中，该陶瓷基层11的背面成型有散热层50，该导通孔11为垂直导通孔。
[0030]该正面线路层20成型在陶瓷基层10的正面并与导通柱12的上端导通连接；该背面线路层30成型在陶瓷基层10的背面并与导通柱12的下端导通连接；在本实施例中，该背面线路层30为两个，其分别位于散热层50的两侧，两背面线路层30与散热层50之间均填充油墨而形成有阻焊层60。
[0031]该金属围坝40成型在陶瓷基层10的正面并位于正面线路层20的外围，金属围坝40围构形成一容置腔401，金属围坝40包括有底层41和于底层41表面向上一体延伸出的主体层42，该底层41的宽度大于主体层42的宽度，底层41的外周缘上下表面贯穿形成有多个间隔排布的第一缺口411，各个第一缺口411均位于主体层42的外侧，该主体层42成倒锥状，主体层42的内侧壁和外侧壁均凹设有第二缺口421。在本实施例中，该第一缺口411为圆孔，该第二缺口421为环形凹槽，第二缺口421为上下间隔设置的多个，该主体层42的表面内周缘下凹形成有嵌置槽422。
[0032]详述本实施例的制作方法如下：
[0033]首先，在陶瓷基层10上开设贯穿上下表面的导通孔11，再在导通孔11中成型有导通柱12，接着，在陶瓷基层10的正面成型出正面线路层20，背面成型出背面线路层30和散热层50，然后，在陶瓷基层10的正面成型金属围坝30，金属围坝30位于正面线路层20的外围，
最后，两背面线路层30与散热层50之间均填充油墨而形成有阻焊层60。
[0034]本技术的设计重点在于：
[0035]通过将主体层设计成倒锥状，底层的宽度大于主体层的宽度，再配合底层的外周缘上下表面贯穿形成有多个间隔排布的第一缺口，各个第一缺口均位于主体层的外侧，主体层的内侧壁和外侧壁均凹设有第二缺口，提高产品的抗冷热冲击性能，降低并分散围坝对陶瓷基层的应力，从而防止陶瓷基层暗裂，进而延长UVC模块的寿命和提高UVC模块的可靠性。
[0036]以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，并非对本技术的技术范围作任何限制，故凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低应力的金属围坝陶瓷封装基板，其特征在于：包括有陶瓷基层、正面线路层、背面线路层以及金属围坝；该陶瓷基层的上下表面贯穿形成有导通孔，该导通孔中成型有导通柱；该正面线路层成型在陶瓷基层的正面并与导通柱的上端导通连接；该背面线路层成型在陶瓷基层的背面并与导通柱的下端导通连接；该金属围坝成型在陶瓷基层的正面并位于正面线路层的外围，金属围坝围构形成一容置腔，金属围坝包括有底层和于底层表面向上一体延伸出的主体层，该底层的宽度大于主体层的宽度，底层的外周缘上下表面贯穿形成有多个间隔排布的第一缺口，各个第一缺口均位于主体层的外侧，该主体层成倒锥状，主体层的内侧壁和外侧壁均凹设有第二缺口。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：何浩波，郭晓泉，孔仕进，康为，
申请(专利权)人：江西晶弘新材料科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：