半导体装置和制造半导体装置的方法制造方法及图纸

半导体装置和制造半导体装置的方法。所述电子装置包含具有衬底向外端子的衬底，所述衬底向外端子被配置成减少与应力相关的问题。在一些实例中，衬底向外端子包括多通孔端子，其具有由衬垫介电通孔分隔开的导电衬垫通孔。在一些实例中，衬底向外端子包括多级端子，所述多级端子包含衬垫底部和衬垫头部。两个衬底向外端子结构都减小了形成于衬底向外端子中的凹陷的大小，进而降低压力。进而降低压力。进而降低压力。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和制造半导体装置的方法


[0001]本公开大体上涉及电子装置，且更明确地说涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]先前的半导体封装和用于形成半导体封装的方法是不适当的，例如，导致成本过大、可靠性降低、性能相对低或封装大小过大。通过比较此类方法与本公开并参考图式，所属领域的技术人员将清楚常规和传统方法的其它限制和缺点。

技术实现思路

[0003]除其它特征之外，本专利技术描述还包含电子装置和相关联方法，所述电子装置包含具有衬底向外端子的衬底，所述衬底向外端子被配置成减少与应力相关的问题，例如裂痕。在一些实例中，衬底向外端子包括多通孔端子，其具有由衬垫介电通孔分隔开的导电衬垫通孔。在一些实例中，衬底向外端子包括多级端子，所述多级端子包含衬垫底部和衬垫头部。两个衬底向外端子结构都减小了形成于衬底向外端子中的凹陷的大小，进而降低压力。
[0004]在本专利技术的态样中，一种半导体装置，其包括：衬底，其包括：第一侧；与所述第一侧相对的第二侧；导电结构，其包括所述第一侧处的衬底向内端子和所述第二侧处的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底，其包括：第一侧；与所述第一侧相对的第二侧；导电结构，其包括所述第一侧处的衬底向内端子和所述第二侧处的衬底向外端子；及介电结构，其包括第一介电质，所述第一介电质在所述第二侧处具有第一开口；半导体组件，其在所述衬底的所述第一侧处且电耦合到所述衬底向内端子；及包封体，其包封所述半导体组件，其中：所述衬底向外端子包括以下各者中的一个：多通孔端子，其包括：衬垫导电通孔，其在所述第一开口中；衬垫介电通孔，其插入于所述第一开口中的所述衬垫导电通孔之间；及导体，其在所述衬垫导电通孔和所述衬垫介电通孔上方包括导体顶侧；或多级端子，其包括：所述第一开口内的衬垫底部，其具有凹入在所述第一介电质的上部表面下方的衬垫底部顶侧；及衬垫头部，其耦合到所述第一开口内的所述衬垫底部，所述衬垫头部具有衬垫头部顶侧。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述衬底向外端子包括所述多通孔端子；且所述导体顶侧在所述衬垫导电通孔上方包括多个微型凹陷。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述衬垫导电通孔包括所述导体的部分和在所述衬垫介电通孔与所述导体之间的种子；所述衬底进一步包括：迹线，其从所述导体延伸；及第二介电质，其覆盖所述多通孔端子；及所述半导体装置进一步包括：外部互连件，其在所述衬底的所述第二侧处耦合到所述衬垫导电通孔。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：衬垫接点，其插入于所述衬垫导电通孔与所述外部互连件之间。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述衬垫导电通孔中的第一个具有在1μm到20μm的范围内的橫向宽度。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述衬底向外端子包括所述多级端子；且所述衬垫头部在所述第一介电质上方包括外围区。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：所述衬底进一步包括：迹线，其从所述衬垫头部延伸；及第二介电质，其覆盖所述多级端子；且所述半导体装置进一步包括在所述衬底的所述第二侧处耦合到所述衬垫底部的外部互连件。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：衬垫接点，其插入于所述衬垫底部与所述外部互连件之间。9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：所述多级端子进一步包括插入于所述衬垫底部与所述衬垫头部之间的种子；且所述衬垫头部顶侧包含具有1μm或更小的最大深度的微型凹陷。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述衬底包括无芯衬底；所述衬底向内端子从衬底顶侧突出；所述介电结构包括多个介电层；所述半导体组件包括附接到所述衬底向内端子的组件端子；且所述半导体装置进一步包括插入于所述衬底顶侧与所述半导体组件之间的底部填充物。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步结合：外部衬底，其包括外部衬底顶侧和定位于所述外部衬底顶侧处的壁，所述壁限定周边，其中：所述壁包括加强件或电磁屏蔽件中的一个或多个；且所述半导体装置在所述周边内附接到所述外部衬底顶侧。12.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底，其包括：第一侧；与所述第一侧相对的第二侧；导电结构，其包括所述第一侧处的衬底向内端子和所述第二侧处的衬底向外端子；及介电结构，其包括第一介电质，所述第一介电质在所述第二侧处具有第一开口；半导体组件，其在所述衬底的所述第一侧处且电耦合到所述衬底向内端子；及包封体，其包封所述半导体组件的至少一部分，其中：所述衬底向外端子包括以下各者中的一个：多通孔端子，其包括：衬垫导电通孔，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰基，新及补，易敏杰，韩意书，李扬吉，金权泰，
申请(专利权)人：安靠科技新加坡控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：