存储器系统、存储器装置和操作存储器装置的方法制造方法及图纸

本申请公开了存储器系统、存储器装置和操作存储器装置的方法。本技术涉及一种存储器装置。根据本技术的存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括备份块和数据块；数据输入/输出电路，其包括对从主机接收的数据进行缓冲的多个页缓冲器；外围电路，其被配置为执行将数据存储在数据块中的编程操作；以及备份操作控制器，其被配置为当在编程操作期间从外部控制器接收到指示发生突然断电的备份命令时，控制外围电路执行停止编程操作的重置操作和将数据存储在备份块中的备份编程操作，并且重置操作是维持在所述多个页缓冲器中缓冲数据的状态并重置外围电路的操作。并重置外围电路的操作。并重置外围电路的操作。

【技术实现步骤摘要】
存储器系统、存储器装置和操作存储器装置的方法


[0001]本公开涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器系统和操作该存储器系统的方法。

技术介绍

[0002]存储器系统是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储器系统可包括存储数据的存储器装置以及控制存储器装置的存储控制器。存储器装置被分成易失性存储器装置和非易失性存储器装置。
[0003]易失性存储器装置是只有当供电时才存储数据并且当供电切断时丢失所存储的数据的装置。易失性存储器装置包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。
[0004]非易失性存储器装置是即使电力切断也不丢失数据的装置。非易失性存储器装置包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存等。

技术实现思路

[0005]根据本公开的实施方式的存储器装置可包括：存储器单元阵列，其包括备份块和数据块；数据输入和输出(输入/输出)电路，其包括多个页缓冲器，所述多个页缓冲器缓冲从主机接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括备份块和数据块；数据输入和输出电路，该数据输入和输出电路包括对从主机接收的数据进行缓冲的多个页缓冲器，所述数据输入和输出电路即为数据输入/输出电路；外围电路，该外围电路执行将所述数据存储在所述数据块中的编程操作；以及备份操作控制器，当在所述编程操作期间从外部控制器接收到指示发生突然断电的备份命令时，所述备份操作控制器控制所述外围电路执行停止所述编程操作的重置操作和将所述数据存储在所述备份块中的备份编程操作，其中，所述重置操作是维持在所述编程操作期间在所述多个页缓冲器中缓冲所述数据的状态并重置所述外围电路的操作。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述备份操作控制器包括备份信息发生器，该备份信息发生器响应于所述备份命令而生成指示是否执行所述备份编程操作的备份操作信息。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，在所述备份编程操作期间，所述备份操作控制器控制所述外围电路将所述数据和所述备份操作信息存储在所述备份块中。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述备份操作控制器响应于来自所述外部控制器的重新开始所述编程操作的恢复命令而控制所述外围电路执行读取存储在所述备份块中的所述数据的备份读操作，将所读取的数据存储在与包括在所述恢复命令中的地址对应的存储器单元中，并且执行擦除所述备份块的备份擦除操作。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，包括在所述数据块中的各个所述存储器单元按照存储三比特数据的三级单元TLC或存储四比特数据的四级单元QLC中的任一个来编程。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，包括在所述备份块中的各个所述存储器单元按照存储一比特数据的单级单元SLC来编程。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在所述备份编程操作期间，所述备份编程控制器控制所述外围电路将所述数据存储在包括在所述备份块中的多个页当中的与包括在所述数据中的多个逻辑页的数量对应的页中。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在所述备份编程操作期间，所述备份编程控制器控制所述外围电路不执行验证操作。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述数据包括最低有效比特LSB数据、中央有效比特CSB数据和最高有效比特MSB数据。10.一种操作包括备份块和数据块的存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：在将从外部接收的数据存储在所述数据块中的编程操作期间，接收指示发生突然断电的备份命令；执行维持在所述编程操作期间在多个页缓冲器中缓冲所...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪龙焕，金炳烈，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：