一种放电电路、方法和智能设备技术

本发明专利技术公开了一种放电电路、方法和智能设备，其电路包括线性稳压器、第一电容、第二电容、第一电阻和第一MOS管；线性稳压器和第一电容串联连接于电源端与设备端之间；第一MOS管的漏极连接于第一电容和设备端之间，第一MOS管的栅极通过第二电容连接于电源端和线性稳压器之间，第一MOS管的源极接地；第一电阻的一端连接于第一MOS管的栅极和第二电容之间，第一电阻的另一端接地。本发明专利技术提供的放电电路在每次工作状态切换时均对设备端余电释放，避免设备端余电导致其工作异常甚至损坏，增加设备的使用寿命和安全性。的使用寿命和安全性。的使用寿命和安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种放电电路、方法和智能设备


[0001]本专利技术涉及智能销售终端领域，特别涉及应用于智能销售终端的一种放电电路、方法和智能设备。

技术介绍

[0002]在常见使用集成电路中的设备中，通常会存在设备在工作结束后，在设备端会存在余电的情况。在电路下电缓慢导致设备端的电压没有放到0V时，系统上的负载或者MCU等等芯片往往会处于不稳定电源电压区，在这个区间可能导致芯片内部电路不受控，再次上电时设备通常无法打破这个状态，因此在第二次上电后，设备可能会出现工作异常的情况。
[0003]尤其在智能销售终端领域，最常见的情况比如说智能设备的独立屏在工作过程中，往往不设置开机关机键，仅靠上电和下电实现设备的工作状态和关机状态的切换，具体如超市人工结算的收银屏、刷脸支付机、超市自助结算屏、自动票据打印屏、餐厅预约取号机等等独立屏，这种情况下常常会存在独立屏在关机后存在余电，短时间再次开机会导致花屏、烧屏等异常情况，损毁设备的同时，严重影响正常工作的进行，给设备使用方造成不便和因此带来的附加经济损失。
[0004]目前技术针对这种具有集成电路的设备在工作结束后会存在余电的情况，通常会采用在电路上增加一个假负载。但是在设备下电后短时间内再次上电的情况下，单纯增加一个假负载这种方法也无法对设备端的余电进行完全释放，从而导致设备损坏以及安全问题。
[0005]为解决设备在工作结束后会存在余电，短时间内再次上电易导致设备工作异常的技术问题，本专利技术提供一种放电电路，避免余电没有完全释放导致电路异常，增加设备的使用寿命和安全性，进而保障设备使用方能够顺利正常工作。

技术实现思路

[0006]为解决设备在工作结束后会存在余电，导致设备端工作异常的技术问题，本专利技术提供一种放电电路、方法和智能设备，具体的技术方案如下：
[0007]本专利技术提供一种放电电路，包括：
[0008]稳压子电路，连接于电源端与设备端之间；
[0009]第一MOS管，所述第一MOS管的漏极连接于所述稳压子电路和所述设备端之间，所述第一MOS管的源极接地，所述第一MOS管的栅极与所述电源端连接；
[0010]充放电子电路，连接于所述第一MOS管的栅极与所述电源端之间；
[0011]所述充放电子电路处于充电状态或放电状态时，所述第一MOS管的栅极接入电压，所述第一MOS管导通，所述设备端通过所述第一MOS管接地放电；
[0012]所述充放电子电路充电完成或放电完成后，所述充放电子电路处于稳定状态，所述第一MOS管的栅极接入电压为零，所述第一MOS管截止。
[0013]本专利技术提供的放电电路通过连接充放电子电路和第一MOS管，使在电路下电时设
备端的余电可以通过第一MOS管接地放电，在电路上电时设备端的余电通过第一MOS管再次接地放电，在每次工作状态切换时均对设备端余电释放，避免设备端余电导致其工作异常甚至损坏，增加设备的使用寿命和安全性。
[0014]进一步地，本专利技术提供的放电电路中，所述充放电子电路包括：
[0015]第二电容，所述第二电容连接于所述第一MOS管的栅极与所述电源端之间；
[0016]第一电阻，所述第一电阻的一端连接于所述第一MOS管的栅极和所述第二电容之间，所述第一电阻的另一端接地；
[0017]所述稳压子电路包括线性稳压器和第一电容，所述第一电容和所述线性稳压器串联连接。
[0018]进一步地，本专利技术提供的放电电路，还包括：
[0019]第二MOS管，所述第二MOS管的漏极连接于所述第二电容和所述第一MOS管的栅极之间，所述第二MOS管的栅极连接于所述第一电容和所述设备端之间，所述第二MOS管的源极接地；
[0020]所述设备端处于上电状态时，所述第二MOS管的栅极接入电压，所述第二MOS管导通，所述第二MOS管接地放电使所述第一MOS的栅极电压保持为零。
[0021]本专利技术提供的放电电路通过引入第二MOS管，避免电路在正常工作过程中电源端产生波动脉冲导致第一MOS管导通，对设备端进行放电，影响设备的正常工作，为电路的正常运行提供保障。
[0022]进一步地，本专利技术提供的放电电路，还包括：
[0023]第二电阻，所述第二MOS管的漏极通过所述第二电阻连接于所述第二电容和所述第一MOS管的栅极之间。
[0024]本专利技术提供的放电电路在第二MOS管的连接线路中增加保护电阻，避免工作过程中电流过强损坏电路。
[0025]进一步地，本专利技术提供的放电电路，还包括：
[0026]第一分压电阻和第二分压电阻；
[0027]所述第一分压电阻连接于所述第二MOS管的栅极和所述设备端之间；
[0028]所述第二分压电阻与所述第二MOS管的栅极连接，另一端与所述第二MOS管的源极连接。
[0029]本专利技术提供的放电电路通过在第二MOS管的栅极、第二MOS管的源极以及设备端之间增加分压电阻，实现设备正常工作时，设备端电压经过第一分压电阻和第二分压电阻分压后导通第二MOS管，在设备端下电后，设备端余电经过分压无法导通第二MOS管，使设备中余电经过第一MOS管正常放电。
[0030]进一步地，本专利技术提供的放电电路中：
[0031]所述设备端上电后的工作电压经过所述第一分压电阻和所述第二分压电阻分压后接入所述第二MOS管的栅极的电压大于所述第二MOS管栅极的导通电压；
[0032]所述设备端下电后的余电电压经过所述第一分压电阻和所述第二分压电阻分压后接入所述第二MOS管的栅极的电压小于所述第二MOS管栅极的导通电压；
[0033]根据所述第一分压电阻的期望功耗和所述第二分压电阻的期望功耗，选取所述第一分压电阻和所述第二分压电阻的阻值参数。
[0034]本专利技术提供的放电电路通过改变第一分压电阻和第二分压电阻的阻值，实现在满足放电电路放电功能的情况下，减少第一分压电阻和第二分压电阻的功耗，降低设备端正常工作时的电量损耗。
[0035]进一步地，本专利技术提供的放电电路，还包括：
[0036]延时子电路；
[0037]所述充放电子电路连接于所述电源端和所述稳压子电路之间的第一节点；
[0038]所述延时子电路连接于所述第一节点和所述稳压子电路之间。
[0039]本专利技术提供的放电电路引入延时子电路，避免在上电后线性稳压器的开启时间小于充放电子电路充电完成的时间，导致第一MOS管来不及对设备端放电，设备端便进入工作状态，增加设备的使用寿命和安全性。
[0040]进一步地，本专利技术提供的放电电路中，所述延时子电路包括：
[0041]延时二极管和延时电容；
[0042]所述延时二极管连接于所述第一节点和所述稳压子电路之间，所述延时二极管的正极与所述第一节点连接，所述延时二极管的负极与所述稳压子电路连接；
[0043]所述延时电容的第一端连接于所述延时二极管的负极和所述稳压子电路之间，所述延时电容的第二端接地。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种放电电路，其特征在于，包括：稳压子电路，连接于电源端与设备端之间；第一MOS管，所述第一MOS管的漏极连接于所述稳压子电路和所述设备端之间，所述第一MOS管的源极接地，所述第一MOS管的栅极与所述电源端连接；充放电子电路，连接于所述第一MOS管的栅极与所述电源端之间；所述充放电子电路处于充电状态或放电状态时，所述第一MOS管的栅极接入电压，所述第一MOS管导通，所述设备端通过所述第一MOS管接地放电；所述充放电子电路充电完成或放电完成后，所述充放电子电路处于稳定状态，所述第一MOS管的栅极接入电压为零，所述第一MOS管截止。2.根据权利要求1所述的一种放电电路，其特征在于，所述充放电子电路包括：第二电容，所述第二电容连接于所述第一MOS管的栅极与所述电源端之间；第一电阻，所述第一电阻的一端连接于所述第一MOS管的栅极和所述第二电容之间，所述第一电阻的另一端接地；所述稳压子电路包括线性稳压器和第一电容，所述第一电容和所述线性稳压器串联连接。3.根据权利要求1所述的一种放电电路，其特征在于，还包括：第二MOS管，所述第二MOS管的漏极连接于所述第二电容和所述第一MOS管的栅极之间，所述第二MOS管的栅极连接于所述第一电容和所述设备端之间，所述第二MOS管的源极接地；所述设备端处于上电状态时，所述第二MOS管的栅极接入电压，所述第二MOS管导通，所述第二MOS管接地放电使所述第一MOS管的栅极电压保持为零。4.根据权利要求3所述的一种放电电路，其特征在于，还包括：第二电阻，所述第二MOS管的漏极通过所述第二电阻连接于所述第二电容和所述第一MOS管的栅极之间。5.根据权利要求3所述的一种放电电路，其特征在于，还包括：第一分压电阻和第二分压电阻；所述第一分压电阻连接于所述第二MOS管的栅极和所述设备端之间；所述第二分压电阻与所述第二MOS管的栅极连接，另一端与所述第二MOS管的源极连接。6.根据权利要求5所述的一种放电电路，其特征在于：所述设备端...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨小伟，林喆，
申请(专利权)人：广东川田科技有限公司，
类型：发明
国别省市：