一种低噪声图像传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种低噪声图像传感器，将像素单元分别制作于两片圆晶上，形成三片圆晶堆叠的背照式图像传感器，由上而下分别为光电二极管圆晶、像素控制圆晶和逻辑控制圆晶。将光电二极管(PD)、传输栅晶体管(M1)、浮置扩散节点(FD1)制成于独立的光电二极管圆晶上，将复位晶体管(M2)、源跟随器晶体管(M3)、行选择晶体管(M4)制成于另一片像素控制圆晶上，并通过铜

【技术实现步骤摘要】
一种低噪声图像传感器


[0001]本专利技术涉及一种图像传感器，尤其涉及一种低噪声图像传感器。

技术介绍

[0002]CMOS图像传感器现在广泛应用于成像应用甚至高端应用。
[0003]CMOS图像传感器通过相关双采样(CDS)减小读出噪声。导致随机电报信号(RTS)噪声因此成为低光电平应用的一个重要的问题，RTS噪声随着像素单元中源跟随器晶体管的尺寸缩小而增加，特别是在降低尺度晶体管尺寸的背景下，像素单元各个晶体管尺寸都在缩小面积，源跟随器晶体管尺寸也随之减小，导致RTS噪声增加。
[0004]如图1a、图2、图4、图6所示，目前，传统的背照式CMOS图像传感器是将像素单元制成在像素阵列圆晶上，将逻辑电路制程在逻辑控制圆晶上，将两片圆晶键合，堆叠在一起，并通过贯穿硅通孔将信号线连接。在随着像素尺寸不断缩小(像素尺寸小于0.64微米)以满足更大像素阵列(例如1亿像素)需求的过程中，光电二极管以及像素控制晶体管的尺寸都随之缩小。导致像素满阱降低以及随机电报信号(RTS)噪声增加，影响像素性能。
[0005]有鉴于此，特提出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低噪声图像传感器，其特征在于，将像素单元分别制作于两片圆晶上，形成三片圆晶堆叠的背照式图像传感器，由上而下分别为光电二极管圆晶、像素控制圆晶和逻辑控制圆晶。2.根据权利要求1所述的低噪声图像传感器，其特征在于，所述光电二极管圆晶与像素控制圆晶之间设有铜
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铜互连，所述像素控制圆晶与逻辑控制圆晶之间设有贯穿硅通孔。3.根据权利要求2所述的低噪声图像传感器，其特征在于，所述像素单元包括：光电二极管(P...

【专利技术属性】
技术研发人员：王菁，旷章曲，陈多金，陈杰，刘志碧，衷世雄，张富生，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：