【技术实现步骤摘要】
有机硅触体回床的方法
[0001]本申请涉及有机硅
,尤其涉及一种有机硅触体回床的方法。
技术介绍
[0002]有机硅因其耐高低温、耐腐蚀等一系列优点,被作为一种化工新材料广泛应用。甲基氯硅烷是制备有机硅聚合物最重要的单体,其中,以二甲基二氯硅烷用量最多,约占甲基氯硅烷的90%。
[0003]在有机硅生产过程中,硅粉与氯甲烷作为生产原料,铜作为催化剂,来促进有机硅单体如二甲基二氯硅烷的合成。在生产二甲基二氯硅烷的反应中,硅粉和铜系催化剂混合形成活性触体,随着反应时间的延长,触体表面的沉积物会越来越多,主要因为反应过程中积累含碳杂质而污染硅铜触体,使触体的活性降低,导致二甲基二氯硅烷的合成率降低。
[0004]目前的现有技术中,通常将触体经旋风分离器分离后,直接回床参与反应,无法有效除去触体表面积碳,导致触体活化性降低,当杂质达到一定程度时需要停车检修,将反应器进行清洗后才能加入新的触体开始新的反应周期,此过程极大地影响了甲基氯硅烷的生产效率,进而缩短生产周期,提高了企业生产成本。当触体污染相对严重时,无 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种有机硅触体回床的方法,其特征在于,包括:S1:将硅粉和铜系催化剂在触体罐进行混合,形成第一触体,将所述第一触体输入流化床反应器,同时将氯甲烷气体通入所述流化床反应器,使硅粉和氯甲烷在铜系催化剂作用下进行反应,生成甲基氯硅烷粗品;S2:将所述甲基氯硅烷粗品依次输入一级旋风分离器、二级旋风分离器、三级旋风分离器进行分离,依次分离得到第二触体、第三触体、第四触体、甲基氯硅烷和氯甲烷,所述甲基氯硅烷和氯甲烷进入下一步除杂工序;S3:将经过所述一级旋风分离器分离得到的所述第二触体直接输至所述流化床反应器进行反应,将经过所述二级旋风分离器分离得到的所述第三触体、经过所述三级旋风分离器分离得到的所述第四触体输至细粉活化床进行活化;S4:将氮气通入所述细粉活化床中对所述第三触体和所述第四触进行活化,然后在细粉罐收集活化后的所述第三触体和所述第四触体并输至所述流化床反应器进行回用。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述铜系催化剂为氧化亚铜、氯化亚铜中的一项或多项。3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述第一触体中的所述铜系催化剂质量分数为4
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7%。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述流化床反应器内的温度为280
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310℃,压力为0.28
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【专利技术属性】
技术研发人员:周文博,渠国忠,袁春光,贾佳乐,陈震,
申请(专利权)人:内蒙古恒星化学有限公司,
类型:发明
国别省市:
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