具有多回路的复合式记忆卡插接座制造技术

技术编号:3277597 阅读:191 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种具有多回路的复合式记忆卡插接座,包括一金属上盖、一共享端子座、两组或两组以上导接端子及三支信号侦测端子所组成,金属上盖为一金属盖板,共享端子座为一绝缘座体,并与金属上盖匹配结合而形成一宽阔开口的共享插槽,以供不同记忆卡插入定位,而两组或两组以上导接端子植设在共享端子座,以供不同记忆卡的匹配导接;组信号侦测端子一组设于共享端子座前段槽位的两侧,另一组则单独设于共享端子座后段槽位的一侧,前段槽位两侧的信号侦测端子构成一串联开关的侦测激活回路,后段槽位的信号侦测端子构成一单一开关的侦测回路,且两个或两个以上回路形成一并联组合的侦测激活回路本发明专利技术能有效防止信号侦测错误情形,确保记忆卡不会短路受损。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种复合式记忆卡插接座技术,特别涉及一种具有多回路的复 合式记忆卡插接座。
技术介绍
现有记忆卡种类型很多,端子接点的布局与大小尺寸也有不同,现有复合 式记忆卡插接座通常是利用一复合式的共享插槽,藉以供各种不同记忆卡可匹 配插入,而产生数据存取的功能,故能以一复合式记忆卡插接座满足多种不同记忆卡的插入使用,其实施包括有二合一形态、三合一形态.......甚至是七合一的组成形态。上述现有复合式记忆卡插接座,其组成大致包括一金属上盖、 一绝缘共享 端子座以及多组可与各记忆卡呈匹配接触的导接端子,共享端子座内并依不同 需要而设有信号侦测端子、防读写侦测端子、接地端子或助焊片等基本构件, 该金属上盖与共享端子座结合后并形成一呈多阶级状且宽阔相通的共享插槽, 以提供各种记忆卡的适配插入。现有复合式记忆卡插接座的信号侦测端子,根据不同记忆卡而分别配置设 有相对应的信号侦测端子,以于侦测记忆卡插入正确定位后,完成侦测激活工 作,但各信号侦测端子均只以单片设于各记忆卡槽位的一侧,因提供较大尺寸 记忆卡的前段槽位,其槽距较宽,而提供较小尺寸记忆卡的后段槽位,其槽距 较窄,故每当较小尺寸记忆卡要插入后段槽位时,即很容易先碰触到前段槽位 的信号侦测端子,以致发生信号的错误侦测情形,并造成短路现象,常会导致 记忆卡或插接座因短路而受损,信号侦测无法精确掌控,其安全性不佳。
技术实现思路
本专利技术主要目的在于,提供一种具有多回路的复合式记忆卡插接座, 一种具有多回路的复合式记忆卡插接座,其特征在于,包括 一金属上盖、 一共享端子座、两組或两组以上导接端子,以及多组信号侦测端子所組成,其中,金属上盖为一金属盖板,共享端子座为一绝缘座体,并与金属上盖匹配结 合而形成一宽阔开口的共享插槽,以供两种或两种以上记忆卡插入定位,而两 组或两组以上导接端子植设在共享端子座,以供与两种或两种以上不同记忆卡 的匹配导接;多组信号侦测端子将其中一组的信号侦测端子分别设于共享端子座前段槽 位的两侧,而另一组信号侦测端子则单独设于共享端子座后段槽位的一侧,令 前段槽位两侧的信号侦测端子构成一 串联开关的侦测激活回路,使较大尺寸记 忆卡插入后可同时触动前段槽位两侧的信号侦测端子,而与金属上盖形成导通 回路,另一组设于后段槽位的信号侦测端子构成一单一开关的侦测回路,且两 个或两个以上回路形成一并联组合的侦测激活回路,较小尺寸记忆卡插入后可 触动后段槽位一侧的信号侦测端子,与金属上盖形成导通回路,进而驱动读卡心巧5不同记忆卡的槽位宽窄的差异以及信号侦测端子的配置形成一并联组合的 侦测激活回路,较小尺寸记忆卡插入时不会同时触动前段槽位两侧信号侦测端 子,以确保不会发生信号的错误侦测或造成短路现象,,令信号侦测极为正确, 也不会导致记忆卡或插接座发生短路受损,其电气安全性极佳。附图说明图i为本专利技术的组合立体图。图2为本专利技术取下金属上盖后的组合上视图。 图3为现有MMCmicro记忆卡的示意图。 图4为现有microSD记忆卡的示意图。图5为本专利技术实施例以前段槽位两侧信号侦测端子构成串联开关侦测回路 的组成示意图,均呈开路。图6为图5呈闭路状态的组成示意图。图7为本专利技术插入较大尺寸MMCmicro记忆卡的状态示意图。图8为本专利技术呈并联形态的双侦测回路组成示意图,均呈开路。图9为图8仅导通其中一侦测回路的示意图。图10为本专利技术插入较小尺寸microSD记忆卡的状态示意图。图11为本专利技术较小尺寸microSD记忆卡发生偏位插入的状态示意图。图12为图11偏位插入时该侦测回路仍呈开路状态的示意图。图13为本专利技术较小尺寸microSD记忆卡发生另一方向偏位插入的状态示意图。图14为图13偏位插入时该侦测回路仍呈开路状态的示意图。具体实施例方式如图1与图2所示为一种本专利技术适用于二合一形态的"具有多回路的复合 式记忆卡插接座,,实施例组成形态,其可提供MMCmicro记忆卡51与microSD 记忆卡52的适用(同理,本案实施时亦可任选其它两种或两种以上不同记忆卡 而复合为三合一、四合一、五合一、六合一或七合一等组成形态),其主要包括 一金属上盖l、 一共享端子座2、两组或两组以上导接端子31、 32,以及三支 或三支以上信号侦测端子41、 42、 43所组成,且此项插接座设计可适用于微型 多媒体卡(MMCmicro )、微型安全数字卡(microSD )、微型记忆棒(microMS )、 安全数字卡(SD)、极限数字卡(XD)等记忆卡;其中一金属上盖l,为一金属盖板,为于接近前段位置的两侧分别冲设一弹性 导片11,而在接近后段位置则冲设一向内弯折的导片12;一共享端子座2,为一绝缘座体,并可与金属上盖1形成匹配结合,以构 成一宽阔开口的共享插槽21,于例举实施例中,该共享插槽21可供MMCmicro 记忆卡51与microSD记忆卡52 (如图3 、图4所示)的插入定位;两组或两组以上导接端子31、 32,植设在共享端子座2,与不同记忆卡51 或52形成匹配导接,如本实施例中,其中一组导接端子31可与MMCmicro记 忆卡51呈匹配,另一组导接端子32则是与microSD记忆卡52呈匹配,各组端子的分布与各相互匹配的记忆卡具有相同对应的脚位;三支或三支以上信号侦测端子41、 42、 43,如图2所示,将其中一组的两 支信号侦测端子41、 42分别设于共享端子座2前段槽位的两侧,而另一支信号 侦测端子43则单独设于共享端子座2后段槽位的一侧,令前段槽位两側的双信 号侦测端子41、 42构成一串联开关的侦测回路,如图5所示,使较大尺寸记忆 卡(如MMCmicro记忆卡51 )插入后可同时触动前段槽位两侧信号侦测端子41 、 42,使其能与金属上盖1形成导通回路,如图6、图7所示,而所述另一支设 于后段槽位的信号侦测端子43,构成一单一开关的侦测回路,且两回路形成一 并联组合的侦测回路(如图8 ),当使较小尺寸记忆卡(如microSD记忆卡52 ) 插入后可触动后段槽位一侧的信号侦测端子43,使能与金属上盖1形成导通回 路(如图8 、图9 );依上述组成,在较大尺寸记忆卡(如MMCmicro记忆卡51 )的前段槽位两 侧分别设有一信号侦测端子41、 42,形成双边同时具有信号侦测端子41、 42的 配置形态,而在内侧后段槽位的一侧则仅设置一信号侦测端子43,因此可利用 不同记忆卡(MMCmicro记忆卡51与microSD记忆卡52 )的槽位宽窄的差异以 及信号侦测端子41、 42、 43的配置组成,形成两个或多个并联组合的侦测回路, 令较小尺寸记忆卡(如microSD记忆卡52 )插入时,绝不会同时触动前段槽位 两侧信号侦测端子41、 42,因此不论是任一记忆卡插入,均得确保不会发生信 号的错误侦测或造成短路现象,令信号侦测极为正确,也不会导致记忆卡或插 接座发生短路受损,提供极佳电气安全性。依本专利技术的实施,其中,较大尺寸记忆卡(MMCmicro记忆卡51 )插入后, 即同时撑开前段槽位两侧的信号侦测端子41、 42,使双边信号侦测端子41、 42 同时接触金属上盖1两侧的弹性导片11而形成导通并完成接地,如图6 、图7 所示;另者,较小尺寸记忆卡(mi本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有多回路的复合式记忆卡插接座,其特征在于,包括:一金属上盖、一共享端子座、两组或两组以上导接端子,以及多组信号侦测端子所组成,其中,金属上盖为一金属盖板,共享端子座为一绝缘座体,并与金属上盖匹配结合而形成一宽阔开口的共享插槽,以供两种或两种以上记忆卡插入定位,而两组或两组以上导接端子植设在共享端子座,以供与两种或两种以上不同记忆卡的匹配导接;多组信号侦测端子将其中一组的信号侦测端子分别设于共享端子座前段槽位的两侧,而另一组信号侦测端子则单独设于共享端子座后段槽位的一侧,令前段槽位两侧的信号侦测端子构成一串联开关的侦测激活回路,使较大尺寸记忆卡插入后可同时触动前段槽位两侧的信号侦测端子,而与金属上盖形成导通回路,另一组设于后段槽位的信号侦测端子构成一单一开关的侦测回路,且两个或两个以上回路形成一并联组合的侦测激活回路,较小尺寸记忆卡插入后可触动后段槽位一侧的信号侦测端子,与金属上盖形成导通回路,进而驱动读卡芯片;不同记忆卡的槽位宽窄的差异以及信号侦测端子的配置形成一并联组合的侦测激活回路,较小尺寸记忆卡插入时不会同时触动前段槽位两侧信号侦测端子,以确保不会发生信号的错误侦测或造成短路现象。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:颜铭辉李金池
申请(专利权)人:诠欣股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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