可控硅驱动电路、开关电路及整流电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种可控硅驱动电路、开关电路及整流电路，属于可控硅驱动技术领域，所述驱动电路与控制电路和可控硅T连接，驱动电路包括驱动光耦U1和二极管D1；其中，驱动光耦U1包括设置于控制侧的发光二极管和设置于驱动侧的光敏双向可控硅；发光二极管的正极与控制电路的输出端连接，发光二极管的负极与控制电路的接地端连接；光敏双向可控硅的输入端通过二极管D1与可控硅T的阳极A连接，光敏双向可控硅的输出端分别与可控硅T的门极G和阴极K连接；实现了控制可控硅导通或截止的目的。本实用新型专利技术解决了现有技术中可控硅驱动电路存在设计复杂的问题，实现了不需要单独提供驱动电源，具有电路简洁、体积小、成本低的效果。成本低的效果。成本低的效果。

【技术实现步骤摘要】
可控硅驱动电路、开关电路及整流电路


[0001]本技术涉及可控硅驱动
，特别涉及一种可控硅驱动电路、开关电路及整流电路。

技术介绍

[0002]可控硅(SCR，Silicon Controlled Rectifier)，也叫晶闸管，具有体积小、效率高、寿命长，可用于低压小功率驱动电路控制高压大功率设备场景的特点，因此被广泛应用于工业调速传动领域和家电消费领域。
[0003]目前，可控硅的驱动电路一般需要单独提供驱动电源，当需要驱动多路可控硅时，对应地，需要相互满足绝缘要求的多路驱动电源，造成驱动电路设计复杂，从而导致电路可靠性降低，多个驱动电源和多个驱动电路还会导致器件体积增大、成本增高。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于：提供一种可控硅驱动电路、开关电路及整流电路，旨在解决现有技术中可控硅驱动电路存在设计复杂的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：
[0006]第一方面，本技术提出一种可控硅驱动电路，所述驱动电路分别与控制电路和可控硅T连接，所述驱动电路包括：<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可控硅驱动电路，所述驱动电路分别与控制电路和可控硅T连接，其特征在于，所述驱动电路包括：驱动光耦U1和二极管D1；其中，所述驱动光耦U1包括设置于控制侧的发光二极管和设置于驱动侧的光敏双向可控硅；所述发光二极管的正极与所述控制电路的输出端连接，所述发光二极管的负极与所述控制电路的接地端连接；所述光敏双向可控硅的输入端通过所述二极管D1与所述可控硅T的阳极A连接，所述光敏双向可控硅的输出端分别与所述可控硅T的门极G和阴极K连接；所述发光二极管在所述控制电路输出的控制信号SCR_C为有效电平信号时导通发光，所述光敏双向可控硅感光触发导通，使驱动电流从所述可控硅T的阳极A经所述二极管D1和所述光敏双向可控硅注入所述可控硅T的门极G，驱动所述可控硅T触发导通，以使功率电流从所述可控硅T的阳极A流动到所述可控硅T的阴极K。2.如权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括：驱动电阻R3；所述光敏双向可控硅的输出端分别与所述可控硅T的门极G和阴极K连接包括：所述光敏双向可控硅的输出端与所述驱动电阻R3的一端连接，所述驱动电阻R3的另一端分别与所述可控硅T的门极G和阴极K连接。3.如权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括：电阻R4和电容C1；所述光敏双向可控硅的输出端分别与所述可控硅T的门极G和阴极K连接包括：所述光敏双向可控硅的输出端分别与所述可控硅T的门极G、所述电阻R4的一端和所述电容C1的一端连接，所述电阻R4的另一端和所述电容C1的另一端均与所述可控硅T的阴极K连接。4.如权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括：限流电阻R1和电阻R2；所述发光二极管的正极与所述控制电路连接包括：所述发光二极管的正极分别与所述限流电阻R1的一端和所述电阻R2的一端连接，所述限流电阻R1的另一端与所述控制电路连接，所述电阻R2的另一端与所述发光二极管的负极连接。5.如权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述光敏双向可控硅采用高耐压型光敏双向可控硅，所述光敏双向可控硅的耐压值与所述可控硅T的正向耐压值一致；所述二极管D1采用高反向耐压、低导通压降的快恢复型二极管，所述二极管D1的反向耐压值与所述可控硅T的反向耐压值一致。6.一种可控硅驱动电路，所述驱动电路分别与控制电路和可控硅T连接，其特征在于，所述驱动电路包括：驱动光耦U1和二极管D1；其中，所述驱动光耦U1包括设...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈健，吴桢生，曾金芳，
申请(专利权)人：苏州汇川控制技术有限公司，
类型：新型
国别省市：