【技术实现步骤摘要】
一种降低集成二极管反向恢复损耗的RC
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IGBT结构
[0001]本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种降低集成二极管反向恢复损耗的RC
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IGBT结构。
技术介绍
[0002]为了缩减功率器件的尺寸和生产成本，学者们提出将反向续流二极管寄生在IGBT内部，从而研究出了逆导型IGBT(Reverse Conducting
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IGBT，RC
‑
IGBT)。RC
‑
IGBT目前受到广泛研究，它具有复杂的权衡关系，要实现IGBT特性(包括IGBT的导通压降V
CEsat
和关断损耗E
off
)与体内寄生二极管特性(包括二极管的导通电压V
F
和二极管的反向恢复损耗E
rr
)之间的权衡。在续流二极管由导通转为阻断状态的过程中，反向加压后二极管并不能立即进入阻断状态，而是会暂时保持导通状态并产生一个反向恢复电流，当二极管体内的载流子被完全抽取之后，反向恢复电流才减小到0，二极管关...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种降低集成二极管反向恢复损耗的RC
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IGBT结构，其元胞结构包括P型集电区(1)和N型集电区(2)，位于集电区(1)、(2)上方的N型缓冲层(3)和N型漂移区(4)，载流子存储层(5)及P型基区(6)，所述P型基区(6)上设有N+型发射区(7)和P+型发射区(8)，P+型发射区(8)上方为金属Al发射极。2.根据权利要求1所述的降低集成二极管反向恢复损耗的RC
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