一种半导体功率芯片的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体功率芯片的清洗方法，涉及半导体清洗技术领域，解决了半导体功率芯片表面颗粒、表面污染物清洗不彻底，进行高压测试时，会造成电压击穿或尖端放电，造成管芯打火的异常现象的问题。其技术方案要点是：通过在CP测试步骤前增设去除打火清洗步骤，该步骤包括2次纯EKC清洗液清洗、2次纯IPA清洗液清洗，用水冲洗，达到了增强清洗半导体功率芯片表面的污染物和颗粒的清洗质量，进而提升保护环之间的绝缘性能，降低尖端放电、电压击穿等带来的打火现象的目的。压击穿等带来的打火现象的目的。压击穿等带来的打火现象的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体功率芯片的清洗方法


[0001]本专利技术涉及半导体清洗
，更具体地说，它涉及一种半导体功率芯片的清洗方法。

技术介绍

[0002]半导体功率芯片在圆片加工后，会进行电参数测试(CP测试)，确认产品电特性是否满足要求。生产中，将反向电压为500V、600V、650V、700V的产品称为高压产品，反向电压小于500V的产品称为低压产品，反向电压越高表面电场越高，表面越易形成电弧击穿。半导体功率芯片表面存在污染物时，会产生较大的漏电，导致反向电压偏低。当半导体功率芯片表面存在颗粒、表面污染物呈局部分布或点状聚集时，进行高压测试，会造成电压击穿或尖端放电，造成管芯打火的异常现象，进而导致测试存在偏差无法获得有效数据，同时打火严重损害了产品质量。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种半导体功率芯片的清洗方法，通过清洗半导体功率芯片表面的污染物和颗粒，达到了提升保护环之间的绝缘性能，降低尖端放电、电压击穿等带来的打火现象的目的。
[0004]本专利技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：
[0005]一种半导体功率芯片的清洗方法，设置于CP测试步骤前，包括去除打火清洗步骤，所述去除打火清洗步骤具体为：步骤一：将半导体功率芯片置于A槽中的纯EKC清洗液中清洗；步骤二：将步骤一中在A槽中清洗过的半导体功率芯片取出，置于A1槽中的纯EKC清洗液中清洗；步骤三：将步骤二中在A1槽中清洗过的半导体功率芯片取出，置于B槽中的纯IPA清洗液中清洗；步骤四：将步骤三中在B槽中清洗过的半导体功率芯片取出，置于B1槽中的纯IPA清洗液中清洗；步骤五：将步骤四中在B1槽中清洗过的半导体功率芯片取出，用水冲洗。
[0006]进一步的，步骤一，半导体功率芯片在A槽纯EKC清洗液中清洗时长为5
‑
10min。
[0007]进一步的，步骤一，半导体功率芯片在A槽纯EKC清洗液中清洗时长为10min。
[0008]进一步的，步骤二，半导体功率芯片在A1槽纯EKC清洗液中清洗时长为5
‑
10min。
[0009]进一步的，步骤二，半导体功率芯片在A1槽纯EKC清洗液中清洗时长为10min。
[0010]进一步的，步骤三与步骤四，半导体功率芯片在B槽和B1槽纯IPA清洗液中清洗时长均为5min。
[0011]一种半导体功率芯片的制作流程，包括上述的一种半导体功率芯片的清洗方法，所述去除打火清洗前设置有S1前端工序、S2金属溅射、S3金属蚀刻、S4金属去胶EKC、S5正面合金、S6减薄；所述去除打火清洗后设置有S7背金前清洗、S8背金蒸发、S9 cp测试
[0012]进一步的，所述S4金属去胶EKC具体步骤为：S41：将S3金属蚀刻后的半导体功率芯片置于C槽中的纯EKC清洗液中清洗；S42：将S41中在C槽中清洗过的半导体功率芯片取出，置于C1槽中的纯EKC清洗液中清洗；S43：将S42中在C1槽中清洗过的半导体功率芯片取出，
置于D槽中的纯IPA清洗液中清洗；S44：将S43中在D槽中清洗过的半导体功率芯片取出，置于D1槽中的纯IPA清洗液中清洗；S45：将S44中在D1槽中清洗过的半导体功率芯片取出，用水冲洗。
[0013]进一步的，S41与S42中，半导体功率芯片在C槽和C1槽纯EKC清洗液中清洗时长均为30min。
[0014]进一步的，S43与S44中，半导体功率芯片在D槽和D1槽纯IPA清洗液中清洗时长均为5min。
[0015]与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
[0016]通过在CP测试步骤前增设去除打火清洗步骤，达到清洗半导体功率芯片表面的污染物和颗粒，进而提升保护环之间的绝缘性能，降低尖端放电、电压击穿等带来的打火现象的目的。
[0017]通过步骤一和步骤二，进行EKC清洗液重复清洗，步骤三和步骤四进行IPA清洗液重复清洗后，步骤五进行冲水，达到进一步增强清洗半导体功率芯片表面的污染物和颗粒力度，进而提升保护环之间的绝缘性能，降低尖端放电、电压击穿等带来的打火现象的目的。
附图说明
[0018]此处所说明的附图用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本专利技术实施例的限定。在附图中：
[0019]图1为本专利技术提供的一种半导体功率芯片的制作流程的流程图；
[0020]图2为图1所示流程图中金属去胶EKC流程图；
[0021]图3为图1所示流程图中去除打火清洗流程图。
具体实施方式
[0022]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本专利技术作进一步的详细说明，本专利技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本专利技术，并不作为对本专利技术的限定。
[0023]实施例：
[0024]一种半导体功率芯片的清洗方法，通过在CP测试步骤前增设去除打火清洗步骤，达到清洗半导体功率芯片表面的污染和颗粒，进而提升保护环之间的绝缘性能，降低尖端放电、电压击穿等带来的打火现象的目的。
[0025]其中，该去除打火清洗步骤具体为：
[0026]步骤一：将半导体功率芯片置于A槽中的纯EKC清洗液中清洗；
[0027]步骤二：将步骤一中在A槽中清洗过的半导体功率芯片取出，置于A1槽中的纯EKC清洗液中清洗；
[0028]步骤三：将步骤二中在A1槽中清洗过的半导体功率芯片取出，置于B槽中的纯IPA清洗液中清洗；
[0029]步骤四：将步骤三中在B槽中清洗过的半导体功率芯片取出，置于B1槽中的纯IPA清洗液中清洗；
[0030]步骤五：将步骤四中在B1槽中清洗过的半导体功率芯片取出，用水冲洗。
[0031]步骤一、步骤二、步骤三、步骤四和步骤五中的，清洗方式优选为浸泡，可以极大地提高清洗效率和节约清洗液成本。可选为冲刷或者漂洗等其他方式，具体清洗方式限定，能够达到清洗目的和效果即可。
[0032]步骤一中，将半导体功率芯片放在A槽中的纯EKC清洗液中进行浸泡清洗的过程中，随着浸泡时间的推移，半导体功率芯片上大部分的污染物和颗粒逐渐被EKC清洗液清洗掉或者分解掉。而污染物和颗粒被清洗或者被分解时所形成的废物均落在A槽中，该废物会影响A槽中原有纯EKC清洗液的浓度，进而降低该纯EKC清洗液对半导体功率芯片上剩余的污染物和颗粒的清洗质量和清洗效率。因此，设置步骤二，将A槽中清洗过的半导体功率芯片取出后，放入盛放有纯EKC清洗液的A1槽中，进行再次清洗，此时，半导体功率芯片上剩余的污染物和颗粒会被A1槽中的纯EKC清洗液给清洗掉或者分解掉，从而保证了对半导体功率芯片上剩余的污染物和颗粒的清洗效率和清洗质量。通过设置相互独立的A槽和A1槽，在A槽和A1槽中均盛放有纯EKC清洗液，对半导体功率芯片上的污染物和颗粒进行二次清洗的方式，达到提高清洗效率和清洗质量的目的，进而达到去除半导体功率芯片表面污染，改善半导体功率芯片表面电势状态，提升保护环之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体功率芯片的清洗方法，设置于CP测试步骤前，其特征是：包括去除打火清洗步骤，所述去除打火清洗步骤具体为：步骤一：将半导体功率芯片置于A槽中的纯EKC清洗液中清洗；步骤二：将步骤一中在A槽中清洗过的半导体功率芯片取出，置于A1槽中的纯EKC清洗液中清洗；步骤三：将步骤二中在A1槽中清洗过的半导体功率芯片取出，置于B槽中的纯IPA清洗液中清洗；步骤四：将步骤三中在B槽中清洗过的半导体功率芯片取出，置于B1槽中的纯IPA清洗液中清洗；步骤五：将步骤四中在B1槽中清洗过的半导体功率芯片取出，用水冲洗。2.根据权利要求1所述的一种半导体功率芯片的清洗方法，其特征是：步骤一，半导体功率芯片在A槽纯EKC清洗液中清洗时长为5
‑
10min。3.根据权利要求2所述的一种半导体功率芯片的清洗方法，其特征是：步骤一，半导体功率芯片在A槽纯EKC清洗液中清洗时长为10min。4.根据权利要求1所述的一种半导体功率芯片的清洗方法，其特征是：步骤二，半导体功率芯片在A1槽纯EKC清洗液中清洗时长为5
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10min。5.根据权利要求4所述的一种半导体功率芯片的清洗方法，其特征是：步骤二，半导体功率芯片在A1槽纯EKC清洗液中清洗时长为10min。6.根据权利要求1所述的一种半导体功率芯片的清洗方法，其特征是：步骤三与步骤四，半导体功率芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建鹏，
申请(专利权)人：四川广义微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：