【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】单体、光致抗蚀剂用树脂、光致抗蚀剂用树脂组合物以及图案形成方法
[0001]本专利技术涉及单体、树脂、树脂组合物以及图案形成方法。本申请要求2019年7月30日在日本申请的日本特愿2019
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139399号的优先权,将其内容援引至本申请中。
技术介绍
[0002]在半导体的制造中,用于图案形成的光刻(lithograph)技术达到了飞跃的创新。最初,光刻中的曝光使用i射线、g射线,图案的线宽也较宽,因此,制造出的半导体的容量较低。但是,由于近年的技术开发,波长短的KrF准分子激光、波长更短的ArF准分子激光的使用成为可能,其线宽也飞跃性地变得微细。
[0003]在利用KrF准分子激光的曝光中,使用了酚醛清漆系或苯乙烯系树脂,但由于上述树脂包含芳香族基团,因此存在吸收基于ArF准分子激光的激光这样的问题。因此,在利用ArF准分子激光的曝光中,使用了不含芳香族基团的树脂(例如,具有脂环族骨架的树脂)代替包含芳香族基团的树脂。在利用ArF准分子激光器的曝光中,使用的树脂主要为丙烯酸系树脂。这是应用了如下机理:在使用含有包含由保护基团保护的(甲基)丙烯酸作为单体单元的丙烯酸系树脂、以及放射线敏感性酸产生剂的树脂组合物的情况下,所述的单体单元的保护基团因通过曝光产生的酸而脱离,成为羧基,并成为碱溶性。
[0004]目前使用的保护基团大多为包含不具有极性的脂环族骨架的基团,但与基板的密合性差、缺乏与碱显影液的亲和性,因此提出了多数包含具有极性的脂环族骨架(例如,具有酯基的骨架)的丙烯酸系单体。其 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光致抗蚀剂用树脂,所述光致抗蚀剂用树脂包含下述式(Y)所示的聚合单元,[化学式1]式中,R
h
表示卤素原子或具有卤素原子的碳原子数1~6的烷基,R1是与环键合的取代基,表示卤素原子、任选地具有卤素原子的碳原子数1~6的烷基、羟基部分任选地被保护基团保护且任选地具有卤素原子的碳原子数1~6的羟基烷基、任选地形成盐的羧基、或取代氧基羰基,A表示碳原子数1~6的亚烷基、氧原子、硫原子、或未键合,m为R1的个数,表示0~8的整数,X表示吸电子取代基,n为X的个数,表示1~9的整数,B表示单键或连接基团,与聚合物链键合的COOB
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基的立体位置任选地为内型、外型之一。2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂用树脂,其中,所述光致抗蚀剂用树脂还包含选自由下述式(a1)~(a4)所示的聚合单元构成的组中的至少一种聚合单元,[化学式2]式中,R表示氢原子、卤素原子、或任选地具有卤素原子的碳原子数1~6的烷基,A表示单键或连接基团,R2~R4相同或不同,表示任选地具有取代基的碳原子数1~6的烷基,需要说明的是,R2和R3任选地彼此键合而形成环,R5、R6相同或不同,表示氢原子或任选地具有取代基的碳原子数1~6的烷基,R7表示
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COOR
c
基,所述R
c
表示任选地具有取代基的叔烃基、四
氢呋喃基、四氢吡喃基、或氧杂环庚烷基,n表示1~3的整数,R
a
是与环Z1键合的取代基,相同或不同,表示氧代基、烷基、任选地被保护基团保护的羟基、任选地被保护基团保护的羟基烷基、或任选地被保护基团保护的羧基,p表示0~3的整数,环Z1表示碳原子数3~20的脂环族烃环。3.根据权利要求1或2所述的光致抗蚀剂用树脂,其中,所述光致抗蚀剂用树脂还包含选自由下述式(b1)~(b5)所示的聚合单元构成的组中的至少一种聚合单元,其中,符合式(Y)所示的聚合单元的部分除外,[化学式3]式中,R表示氢原子、卤素原子、或任选地具有卤素原子的碳原子数1~6的烷基,A表示单键或连接基团,X表示未键合、亚甲基、亚乙基、氧原子、或硫原子,Y表示亚甲基、或羰基,Z表示二价有机基团,V1~V3相同...
【专利技术属性】
技术研发人员:江口明良,上原和浩,古川正义,丸山孝,
申请(专利权)人:株式会社大赛璐,
类型:发明
国别省市:
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