可挠曲电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种可挠曲电子装置，包括一支撑基板、一第一可挠曲基板，设置在支撑基板上、一第一氧化层，设置在第一可挠曲基板与支撑基板之间、一第二氧化层，直接位于第一可挠曲基板相对于第一氧化层的表面上以及一电子结构，设置在第二氧化层上。第一氧化层的一第一厚度与第二氧化层的一第二厚度的总和对第一可挠曲基板的一第三厚度的比值介于0.1到0.5之间。0.5之间。0.5之间。

【技术实现步骤摘要】
可挠曲电子装置
[0001]本申请是申请日为2019年08月22日、申请号为201910780008.7、专利技术名称为“可挠曲电子装置”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种可挠曲电子装置，特别是涉及一种可挠曲显示设备。

技术介绍

[0003]近年来，可挠曲或可形变的电子装置已成为新一代的重要科技之一。因此，能整合到电子装置中的可挠曲显示设备的需求亦逐渐增加。可挠曲电子装置意指可被弯曲(curved)、弯折(folded)、拉伸(stretched)、挠曲(flexed)、卷曲(rolled)或是其他类似可形变的电子装置。为了达成可挠曲的效果，传统电子装置的玻璃基板被替换成可挠曲的基板。然而，一般的可挠曲基板无法有效的阻绝水气或气体(如氧气)，导致形成在可挠曲基板上的电路容易氧化及损坏，特别是在装置经过一定次数的弯曲之后。因此，目前仍需要减少对可挠曲电子装置中元件的损坏以及改善可挠曲电子装置的稳定性与信赖性。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一实施例提供了一种可挠曲电子装置，可挠曲电子装置包括一支撑基板、一第一可挠曲基板，设置在支撑基板上、一第一氧化层，设置在第一可挠曲基板与支撑基板之间、一第二氧化层，直接位于第一可挠曲基板相对于第一氧化层的表面上以及一电子结构，设置在第二氧化层上。第一氧化层的一第一厚度与第二氧化层的一第二厚度的总和对第一可挠曲基板的一第三厚度的比值介于0.1到0.5之间。
附图说明
[0005]图1为本专利技术第一实施例的可挠曲电子装置在弯折状态下的侧视示意图。
[0006]图2为图1所示的可挠曲显示设备在部分区域的剖视示意图。
[0007]图3为本专利技术第一实施例的第一变化实施例的可挠曲基板的剖视示意图。
[0008]图4为本专利技术第一实施例的第二变化实施例的可挠曲显示设备的剖视示意图。
[0009]图5为本专利技术第一实施例的第三变化实施例的可挠曲显示设备的剖视示意图。
[0010]图6为本专利技术第一实施例的第四变化实施例的可挠曲显示设备的剖视示意图。
[0011]图7为本专利技术第一实施例的第五变化实施例的可挠曲显示设备的剖视示意图。
[0012]图8为本专利技术第二实施例的可挠曲显示设备的剖视示意图。
[0013]图9为本专利技术第二实施例的第一变化实施例的可挠曲显示设备的剖视示意图。
[0014]图10为本专利技术第二实施例的第二变化实施例的可挠曲显示设备的剖视示意图。
[0015]图11为本专利技术第二实施例的第三变化实施例的可挠曲显示设备的俯视示意图。
[0016]图12为图11所示的可挠曲显示设备沿剖线A
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A
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与剖线B
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B
’
的剖视示意图。
[0017]附图标记说明：100、100B、100C、100D、100E、200、200A、200B、200C
‑
可挠曲显示设
备；102、102A、102C、202、202B、202C
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可挠曲基底基板；102a、202a
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第一表面；102b
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第二表面；102S
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边缘表面；104、204C
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显示结构；1042
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电路层；1046
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显示层；1048
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保护层；106
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控制元件；108、108C、208、208C
‑
支撑基板；110、110A、110B、110D、110E、210、210C
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第一可挠曲基板；110R、112R、102R、RD、CLR
‑
凹槽；110S1、110S2
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波浪状表面；112、112A、112B、112C、212
‑
第一氧化层；114、114A、114D、114E、214、214C
‑
第二氧化层；116、116D、116E、216
‑
第一绝缘层；118、118D、118E、218
‑
第二绝缘层；120、120B、120C、220、220C
‑
第二可挠曲基板；122
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黏着层；124
‑
防水层；126、130、WR1、WR2、WR3
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导线；128
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导电材料；220S
‑
底表面；232
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第一导线；234
‑
第二导线；236
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第三导线；238
‑
第四导线；AL
‑
主动层；AR
‑
主动区域；BP
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凸块；BR
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弯曲区域；CD
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切割方向；CH1、CH2、CH3、CH4
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接触洞；CL、CLA、CLB、CLC
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导电层；CP
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连接部分；CT、CT1、CT2、CTC1、CTC2
‑
接触件；D1
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方向；D2
‑
垂直方向；D3
‑
水平方向；DR
‑
显示区域；E
‑
边缘部分；E1、E2
‑
电极；ED
‑
可挠曲电子装置；EL
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电子结构；FR
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可弯折区域；FX1
‑
第一弯折轴；FX2
‑
第二弯折轴；GI
‑
闸极绝缘层；IL1、IL2
‑
绝缘层；L1、L2
‑
长度；LD
‑
发光单元；LL
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发光层；M1
‑
第一金属层；M2
‑
第二金属层；MP
‑
主要部分；OP1、OP2、OP3、1140、OP4、OP5、OP6
‑
开口；PDL
‑
像素定义层；PR
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周边区域；R1
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第一区域；R2
‑
第二区域；R3
‑
第三区域；S1、S2
‑
间距；SD
‑
拉伸方向；SP
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讯号传递部分；T
‑
晶体管；T1、T2、T3、T4
‑
厚度；TH1、THc
‑
第一厚度；TH2
‑
第二厚度；TH3
‑
第三厚度；TH4
‑
第四厚度；TH5
‑
第五厚度；TH6
‑
第六厚度；UP
‑
单元部分；US
‑
显示单元结构；W1
‑
第一宽度；W2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可挠曲电子装置，其特征在于，包括：一支撑基板；一第一可挠曲基板，设置在所述支撑基板上；一第一氧化层，设置在所述第一可挠曲基板与所述支撑基板之间；一第二氧化层，直接位于所述第一可挠曲基板相对于所述第一氧化层的表面上；以及一电子结构，设置在所述第二氧化层上；其中，所述第一氧化层的一第一厚度与所述第二氧化层的一第二厚度的总和对所述第一可挠曲基板的一第三厚度的比值介于0.1到0.5之间。2.根据权利要求1所述的可挠曲电子装置，其特征在于，还包括：一第一绝缘层，设置在所述第二氧化层与所述电子结构之间；以及一第二绝缘层，设置在所述第二氧化层与所述第一绝缘层之间；其中，所述第二厚度、所述第二绝缘层的一第四厚度与所述第一绝缘层的一第五厚度的总和对所述第一厚度的比值介于0.5到2之间。3.根据权利要求2所述的可挠曲电子装置，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或氮氧化铝。4.根据权利要求1所述的可挠曲电子装置，其特征在于，所述第三厚度对所述第一厚度的比值介于3到15之间。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴湲琳，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：