一种碳化硅晶体缺陷检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及碳化硅晶体技术领域，且公开了一种碳化硅晶体缺陷检测装置，包括箱体，所述箱体顶部固定连接有壳体，所述箱体内部设置有检测机构，所述箱体内部设置有旋转机构，所述箱体内底部固定连接有固定机构，所述箱体前侧通过合页铰接有门板，所述门板前侧设置有观察窗口，所述箱体底部固定连接有支撑块。该碳化硅晶体缺陷检测装置，通过设置检测机构，在使用过程中，移动块上下运动带动检测光源和检测摄像头上下移动，从而对碳化硅晶体柱进行自上而下的检测，同时再旋转机构的配合下，碳化硅晶体柱转动，方便检测机构可以对需要检测的碳化硅晶体柱的全面检测，从而提高检测数据的准确性，降低了工人的使用，减少了生产成本。减少了生产成本。减少了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶体缺陷检测装置


[0001]本专利技术涉及碳化硅晶体
，具体为一种碳化硅晶体缺陷检测装置。

技术介绍

[0002]SiC作为C和Si稳定的化合物，其晶格结构由致密排列的两个亚晶格组成，每个Si(或C)原子与周边包围的C(Si)原子通过定向的强四面体sp3键结合，虽然SiC的四面体键很强，但层错形成能量却很低，这一特点决定了SiC的多型体现象，已经发现SiC具有250多种多型体，每种多型体的C/Si双原子层的堆垛次序不同。最常见的多型体为立方密排的3C
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SiC和六角密排的4H、6H
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SiC。不同的多型体具有不同的电学性能与光学性能。SiC的禁带宽度为Si的2
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3倍，热导率约为Si的4.4倍，临界击穿电场约为Si的8倍，电子的饱和漂移速度为Si的2倍。SiC的这些性能使其成为高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件的优选材料，可用于地面核反应堆系统的监控、原油勘探、环境监测及航空、航天、雷达、通讯系统和大功率的电子转换器及汽车马达等领域的极端环境中。另外，采用SiC所制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体缺陷检测装置，包括箱体（3），其特征在于：所述箱体（3）顶部固定连接有壳体（1），所述箱体（3）内部设置有检测机构（4），所述箱体（3）内部设置有旋转机构（5），所述箱体（3）内底部固定连接有固定机构（6），所述箱体（3）前侧通过合页铰接有门板（7），所述门板（7）前侧设置有观察窗口（2），所述箱体（3）底部固定连接有支撑块（8）；所述检测机构（4）包括传动杆（402），所述传动杆（402）右端通过轴承活动连接在壳体（1）内右侧，所述传动杆（402）左端贯穿于壳体（1）左侧并延伸至壳体（1）外，所述传动杆（402）左端固定连接有旋转把手（401），所述传动杆（402）外表面规定连接有第一主动齿轮（403），所述箱体（3）内底部通过轴承活动连接有螺纹杆（408），所述螺纹杆（408）顶端贯穿于箱体（3）顶部并延伸入壳体（1）内部，所述螺纹杆（408）顶部固定连接有第一从动齿轮（404），所述螺纹杆（408）外表面通过螺纹套螺纹连接有移动块（406），所述移动块（406）顶部开设有滑孔，所述箱体（3）内左侧固定连接有固定座（405），所述固定座（405）底部固定连接有滑竿（409）。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体缺陷检测装置，其特征在于：所述移动块（406）设置有两个，两个移动块（406）分别位于箱体（3）内左右两侧，两个移动块（406）向对面分别设置有检测光源（407）和检测摄像头（410）。3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体缺陷检测装置，其特征在于：所述固定座（405）设置有两个，两个固定座（405）相对面固定连接有同一根滑竿（409）。4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体缺陷检测装置，其特征在于：所述移动块（406）通过滑孔滑动连接在滑竿（409）外表面，所述旋转把手（401）外表面设置有防滑套。5.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯武生，王汉波，翁国权，郭军，宋景茹，
申请(专利权)人：山东睿芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：