【技术实现步骤摘要】
一种环形可寻址冷阴极X射线源器件及其制备方法和应用
[0001]本专利技术涉及X射线源的
,更具体地,涉及一种环形可寻址冷阴极X射线源器件及其制备方法和应用。
技术介绍
[0002]X射线CT成像在科学研究、工业检测、医疗等领域都有重要应用。常见的X射线CT成像设备采用热阴极X射线管来作为光源,因此需要复杂的机械结构来将光源照射人体的不同部位。冷阴极由于具有响应时间更快,体积更小、能耗更低等优点,因此在X射线CT成像中采用冷阴极X射线源作为光源,能够减少设备的机械结构复杂程度以及缩小其体积。
[0003]冷阴极X射线源一般可分为X射线管和平板X射线源两类。目前已有工作报道了采用多个分立的冷阴极X射线管作为CT成像设备的光源,来制备低成本和便携的CT成像设备。然而,关于采用具有可寻址功能的平板X射线源来构建CT成像设备的工作仍未见有报道。后者由于在一个器件中集成了多个能够单独工作的X射线源,因此,具有更高的成像分辨率,更低的X射线剂量,以及更简单的控制系统,从而可进一步提高CT成像的质量以及降低其成本。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种环形可寻址冷阴极X射线源器件,其特征在于,包括呈环状或多边形状的阳极、阴极;所述阴极包括呈环形或多边形的阴极基板(1)、阴极电极(2)、绝缘层(4)、栅极电极(5)及多个用于发射电子的低维纳米冷阴极(3);所述阳极包括呈环形或多边形的阳极基板(6)及透射靶薄膜(7);所述阳极基板(6)设置在阴极基板(6)的内侧;所述阴极电极(2)、绝缘层(4)及栅极电极(5)均设置在阴极基板(1)的内壁上,所述绝缘层(4)设置在阴极电极(2)与栅极电极(5)之间;所述低维纳米冷阴极(3)设置在阴极电极(2)上;所述透射靶薄膜(7)设置在阳极基板(6)的外壁上;所述阳极与阴极之间还设置有若干用于绝缘的隔离件(8)。2.根据权利要求1所述的环形可寻址冷阴极X射线源器件,其特征在于,所述阴极基板(1)的材质为玻璃、陶瓷、表面镀有绝缘材质的金属中的一种或两种以上的组合。3.根据权利要求1所述的环形可寻址冷阴极X射线源器件,其特征在于,所述阴极电极(2)的材质为铬、金、铜、ITO、AZO中的一种。4.根据权利要求1所述的环形可寻址冷阴极X射线源器件,其特征在于,所述低维纳米冷阴极(3)为氧化锌纳米线、氧化钨纳米线、氧化铜纳米线、硅纳米线、碳纳米管或金属尖锥中的一种。5.根据权利要求1所述的环形可寻址冷阴极X射线源器件,其特征在于,所述栅...
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