包括光调制器的光器件及光收发器制造技术

包括光调制器的光器件及光收发器。一种光器件，该光器件包括形成于基板上的光调制器。该光器件包括：形成在基板上的用于光调制器的信号电极；形成在基板上的用于光调制器的接地电极；设置在信号电极和接地电极之间的区域中的光波导；形成于光波导与基板之间的第一缓冲区；以及形成于光波导与信号电极之间以及光波导与接地电极之间的第二缓冲区。第二缓冲区的介电常数高于第一缓冲区的介电常数。介电常数高于第一缓冲区的介电常数。介电常数高于第一缓冲区的介电常数。

【技术实现步骤摘要】
包括光调制器的光器件及光收发器


[0001]本文讨论的实施方式涉及包括光调制器的光器件及光收发器。

技术介绍

[0002]图1例示了包括光调制器的光器件的示例。在该示例中，光调制器生成偏振复用的光信号。就此而言，光调制器包括一对母马赫
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曾德尔(Mach
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Zehnder)干涉仪X和Y。母马赫
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曾德尔干涉仪X和Y中的每一个包括一对马赫
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曾德尔干涉仪。因此，光调制器包括四个马赫
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曾德尔干涉仪XI、XQ、YI和YQ。当提供电信号时，每个马赫
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曾德尔干涉仪XI、XQ、YI和YQ可以作为光调制器而工作。
[0003]使用LiNbO3(LN)基板1形成光调制器。就此而言，通过在LN基板1的表面区域中形成光波导2来构造每个马赫
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曾德尔干涉仪。
[0004]光调制器包括信号电极3、DC电极4和接地电极。为每个马赫
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曾德尔干涉仪XI、XQ、YI和YQ提供信号电极3。每个信号电极3被提供有指示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光器件，该光器件包括形成于基板上的光调制器，该光器件包括：信号电极，该信号电极用于所述光调制器，该信号电极形成在所述基板上；接地电极，该接地电极用于所述光调制器，该接地电极形成在所述基板上；光波导，该光波导设置在所述信号电极与所述接地电极之间的区域中；第一缓冲区，该第一缓冲区形成于所述光波导与所述基板之间；以及第二缓冲区，该第二缓冲区形成于所述光波导与所述信号电极之间以及所述光波导与所述接地电极之间，其中，所述第二缓冲区的介电常数高于所述第一缓冲区的介电常数。2.根据权利要求1所述的光器件，其中，所述光波导由薄膜X
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切割LN晶体形成。3.根据权利要求1所述的光器件，其中，所述第一缓冲区由SiO2形成，并且所述第二缓冲区由包含SiO2的材料和介电常数比SiO2更高的物质形成。4.根据权利要求1所述的光器件，其中，电磁波通过所述第二缓冲区的传播速度与光通过所述光波导的传播速度之差小于电磁波通过所述第一缓冲区的传播速度与光通过所述光波导的传播速度...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉山昌树，
申请(专利权)人：富士通光器件株式会社，
类型：发明
国别省市：