电光调制器的终端负载的制备方法及结构技术

本申请公开了一种电光调制器的终端负载的制备方法及结构。其中，电光调制器的终端负载结构从下至上依次是衬底层、隔离层、电光材料薄膜、混合层以及薄膜电阻。本申请中，通过采用薄膜电阻代替现有技术中的贴片电阻，可以解决现有技术中薄膜电光调制器由于终端电阻造成的不稳定的技术问题，实现了提高电光调制器射频电路的稳定性与降低生产成本的技术效果。射频电路的稳定性与降低生产成本的技术效果。射频电路的稳定性与降低生产成本的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
电光调制器的终端负载的制备方法及结构


[0001]本申请涉及电光调制器芯片领域，具体而言，涉及一种电光调制器的终端负载的制备方法及结构。

技术介绍

[0002]现有技术中，电光调制器是电光系统中的重要组件，实现对电光信号的调制。
[0003]由于射频电路的特殊性，需要在射频电路终端接上特定阻抗的负载电阻，现有技术中，电光调制器中采用外接贴片电阻实现负载电阻的需求，由于外接贴片电阻存在不稳定的问题，因此，现有技术中的电光调制器的终端负载电阻存在不稳定的技术问题。
[0004]申请内容
[0005]本申请的主要目的在于提供一种电光调制器的终端负载结构，基于薄膜电阻设计电光调制器的终端负载电阻，可以解决现有技术中电光调制器由于外接贴片电阻造成的不稳定的技术问题，实现了提高电光调制器射频电路的稳定性与降低生产成本的技术效果。
[0006]为了实现上述目的，根据本申请的第一方面，提出了一种电光调制器的终端负载的制备方法，包括：
[0007]在薄膜晶圆上制作集成光子元器件结构，形成电光材料薄膜层；
[0008]在所述电光薄膜层上沉积绝缘层材料，在所述绝缘层基于预设结构对导体材料进行处理，形成含有共面波导结构的混合层；以及
[0009]在所述混合层顶面，基于薄膜电阻预设位置进行薄膜电阻材料沉积，形成薄膜电阻，其中所述薄膜电阻预设位置为所述混合层中的共面波导的端面处。
[0010]可选地，在薄膜晶圆上制作集成光子元器件结构，形成电光材料薄膜层，包括：
[0011]基于预设图案通过干法刻蚀的方法对所述薄膜晶圆进行刻蚀，制作集成光子元器件结构，形成电光材料薄膜层。
[0012]可选地，在所述电光薄膜层上沉积绝缘层材料，在所述绝缘层基于预设结构对导体材料进行处理，形成含有共面波导结构的混合层，包括：
[0013]在所述电光材料薄膜层上沉积绝缘层材料，在通孔预设位置对所述绝缘层进行刻蚀，形成通孔；
[0014]在所述通孔内部填充导体材料，形成混合层。
[0015]可选地，在所述电光薄膜层上沉积二氧化硅，在所述二氧化硅层基于预设结构设置导体材料，形成混合层，还包括：
[0016]在所述电光材料薄膜层的第一导体预设位置处沉积导体材料，在所述电光材料薄膜层与导体材料结构表面，沉积绝缘层材料，在第二导体预设位置处进行打孔，形成伪孔结构，在所述伪孔内部填塞导体材料，形成混合层，其中，所述第二导体预设位置位于所述第一导体预设位置水平正上方。
[0017]根据本申请的第二方面，提出了一种电光调制器的终端负载结构，包括：所述电光调制器的终端负载结构从下至上依次是衬底层、隔离层、电光材料薄膜层、混合层以及薄膜
电阻。
[0018]进一步地，所述衬底层的材料为硅；所述隔离层的材料为二氧化硅。
[0019]进一步地，所述电光材料薄膜层上存在预设刻蚀图案，所述预设刻蚀图案为集成光子元器件结构。
[0020]进一步地，所述混合层包括绝缘层与金属电极，其中，所述绝缘层材料为光介质材料。
[0021]进一步地，还包括：在所述薄膜电阻与混合层上方覆盖有保护层，所述保护层的厚度为5nm
‑
30μm。
[0022]进一步地，所述电光材料薄膜层材料为铌酸锂晶体，砷化镓晶体和钽酸锂晶体中的任一种。
[0023]本申请的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
[0024]在本申请中，涉及一种电光调制器的终端负载结构，通过采用薄膜电阻代替现有技术中的贴片电阻，解决了现有的电光调制器中由于贴片电阻导致的不稳定的技术问题，实现了提高了射频电路的稳定性与电光调制器的生产效率和减小电光调制器外观尺寸的技术效果。
附图说明
[0025]构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，使得本申请的其它特征、目的和优点变得更明显。本申请的示意性实施例附图及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0026]图1为本申请提供的一种电光调制器的终端负载结构的结构示意图；
[0027]图2为本申请提供的一种电光调制器的终端负载结构的制备方法；
[0028]图3为本申请提供的另一种电光调制器的终端负载结构的结构示意图；
[0029]图4为本申请提供的另一种电光调制器的终端负载结构的结构示意图。
具体实施方式
[0030]为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
[0031]需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0032]在本申请中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“中”、“竖直”、“水平”、“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或
位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本申请及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。
[0033]并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本申请中的具体含义。
[0034]此外，术语“安装”、“设置”、“设有”、“连接”、“相连”、“套接”应做广义理解。例如，“连接”可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0035]图1为本申请提供的一种电光调制器的终端负载结构示意图，如图1所示，
[0036]所述电光调制器的终端负载结构从下至上依次是：衬底层1，隔离层2，电光材料薄膜层3，混合层4及薄膜电阻5；
[0037]所述衬底层1的材料为硅，所述隔离层2的材料为二氧化硅；
[0038]所述电光薄膜材料3可以选择铌酸锂晶体，砷化镓晶体和钽酸锂晶体中的任一种，也可选用铌酸锂，砷化镓和钽酸锂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电光调制器的终端负载结构的制备方法，其特征在于，包括：在薄膜晶圆上制作集成光子元器件结构，形成电光材料薄膜层；在所述电光薄膜层上沉积绝缘层材料，在所述绝缘层基于预设结构对导体材料进行处理，形成含有共面波导结构的混合层；以及在所述混合层顶面，基于薄膜电阻预设位置进行薄膜电阻材料沉积，形成薄膜电阻，其中所述薄膜电阻预设位置为所述混合层中的共面波导的端面处。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在薄膜晶圆上制作集成光子元器件结构，形成电光材料薄膜层，包括：基于预设图案通过干法刻蚀的方法对所述薄膜晶圆进行刻蚀，制作集成光子元器件结构，形成电光材料薄膜层。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述电光薄膜层上沉积绝缘层材料，在所述绝缘层基于预设结构对导体材料进行处理，形成含有共面波导结构的混合层，包括：在所述电光材料薄膜层上沉积绝缘层材料，在通孔预设位置对所述绝缘层进行刻蚀，形成通孔；在所述通孔内部填充导体材料，形成混合层。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述电光薄膜层上沉积二氧化硅，在所述二氧化硅层基于预设结构设置导体材料，形成混合层，还包括：在所述电光材料薄膜层的第一导体预设位置处沉积导体材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁寒潇，宋一品，周颖聪，巫海苍，毛文浩，宋时伟，孙维祺，俞清扬，
申请(专利权)人：苏州极刻光核科技有限公司，
类型：发明
国别省市：