一种分立件自震式可控硅深度调光电路制造技术

本发明专利技术涉及深度调光电路技术领域，特别涉及一种分立件自震式可控硅深度调光电路，电源输入端通过可控硅调光器连接所述电路后控制LED负载光源，包括EMC电路、整流滤波电路、分立件自震电路、纹波平滑电路与深度调光电路；还包括初级线圈与次级线圈分别连接所述分立件自震电路与纹波平滑电路的变压器。本发明专利技术的提出解决了现有的可控硅调光电路不能实现较好的调光深度，不能支持市面上大部分的可控硅调光器，工频纹波大，调光过程抖动、闪烁以及成本高的问题。高的问题。高的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种分立件自震式可控硅深度调光电路


[0001]本专利技术涉及深度调光电路
，特别涉及一种分立件自震式可控硅深度调光电路。

技术介绍

[0002]调光电路，就是调节LED或者灯泡的亮度，实现方法通常包括：模拟调光、定时器调光、PWM脉冲宽度调光与可控硅调光等。
[0003]现有的可控硅调光电路中，通常会出现不能实现较好的调光深度，不能支持市面上大部分的可控硅调光器，工频纹波大，调光过程抖动、闪烁以及成本高的问题。
[0004]因此，一种分立件自震式可控硅深度调光电路应运而生。

技术实现思路

[0005]本专利技术的
技术实现思路
在于提供一种分立件自震式可控硅深度调光电路，主要解决了现有的可控硅调光电路不能实现较好的调光深度，不能支持市面上大部分的可控硅调光器，工频纹波大，调光过程抖动、闪烁以及成本高的问题。
[0006]本专利技术提出了一种分立件自震式可控硅深度调光电路，电源输入端通过可控硅调光器连接所述电路后控制LED负载光源，包括EMC电路、整流滤波电路、分立件自震电路、纹波平滑电路与深度调光电路；还包括初级线圈与次级线圈分别连接所述分立件自震电路与纹波平滑电路的变压器；
[0007]整流滤波电路，用于对输入电压进行整流以获得整流电压；
[0008]分立件自震电路，用于将整流电压转换成PWM电压信号；
[0009]纹波平滑电路，用于去除输入的交流分量；
[0010]深度调光电路，用于稳定可控硅调光器中流动的电流振荡；还用于当输入电压是切相电压时，提供稳定的动态负载。
[0011]优选地，所述分立件自震电路包括电阻R2、电阻R3、电阻R6、电阻R6A、电阻RS1、电阻RS2、变压器T1、三极管Q1、三极管Q2、电容C5与二极管D1。
[0012]优选地，所述电阻RS1与电阻RS2并联，且作为限流采样电阻；所述分立件自震电路内还设置有变压器漏感泄放电路，且所述变压器漏感泄放电路包括电阻R8、电阻R8A与电容C6、二极管D3。
[0013]优选地，所述纹波平滑电路包括电容C9、电容C10、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、二极管D11、二极管D13、二极管D14、稳压二极管Z3、稳压二极管Z4与NMOS管Q5。
[0014]优选地，所述电容C9、二极管D13串联后接入所述变压器的次级线圈，且所述二极管D13的阴极接地；所述电容C10的阳极连接电阻R21、电阻R20后再接入所述二极管D4的阴极并联接入所述电容C9的一端；所述电容C9的另一端通过电阻R19后再通过二极管D11接入所述电阻R20与电阻R21间；所述D4的阴极还并联接有二极管D14的阳极、电阻R24与NMOS管
Q5的漏极；所述二极管D14的阴极连接稳压管Z3的阴极；所述NMOS管的源极接入稳压管Z4的阳极。
[0015]优选地，所述深度调光电路包括电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、二极管D8、二极管D9、三极管Q6与三极管Q7。
[0016]优选地，所述三极管Q6与三极管Q7构成可控硅触发按键电路。
[0017]优选地，还包括并联设置于所述分立件自震电路与LED负载光源之间的短路保护电路与开路保护电路。
[0018]由上可知，应用本专利技术提供的技术方案可以得到以下有益效果：
[0019]第一，本专利技术提出的电路中设置有深度调光电路，可用于支持1～100％的调光深度，进而控制LED负载光源实现更大调光范围，调光步进值更小，调光效果更好；
[0020]第二，本专利技术提出的电路中设置有分立件自震电路，其采用分立件器件实现自激振荡，成本更低；
[0021]第三，本专利技术提出的电路可适配高达95％的可控硅调光器，还可实现输出小于1％的纹波系数，以及在调光过程中无抖动闪烁，实现平滑调光。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为本专利技术实施例中分立件自震式可控硅深度调光电路的实际应用连接图；
[0024]图2为本专利技术实施例中分立件自震式可控硅深度调光电路的内部框图；
[0025]图3为本专利技术实施例中分立件自震式可控硅深度调光电路的具体电路图。
具体实施方式
[0026]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]现有的可控硅调光电路不能实现较好的调光深度，不能支持市面上大部分的可控硅调光器，工频纹波大，调光过程抖动、闪烁以及成本高的问题。
[0028]如图1～图3所示，为了解决上述问题，本实施例提出了一种分立件自震式可控硅调光电路，电源输入端通过可控硅调光器连接电路后控制LED负载光源，该电路包括EMC电路、整流滤波电路、分立件自震电路、纹波平滑电路与深度调光电路；还包括初级线圈与次级线圈分别连接分立件自震电路与纹波平滑电路的变压器。
[0029]其中，整流滤波电路，用于对输入电压进行整流以获取整流电压；分立件自震电路，用于将整流电压转换成PWM电压信号；纹波贫化电炉，用于去除输入的交流分量；深度调光电路，用于稳定可控硅调光器中流动的电流震荡；还用于当输入电压是切相电压时，提供稳定的动态负载。
[0030]优选地，EMC电路包括电感L1、安规电容X2组成LC电路，抑制外界对驱动电源的传导干扰。
[0031]更具体地，分立件自震电路包括电阻R2、电阻R3、电阻R6、电阻R6A、电阻RS1、电阻RS2、变压器T1、三极管Q1、三极管Q2、电容C5以及二极管D1。
[0032]更具体地，电阻RS1与电阻RS2并联，且作为限流采样电阻；分立件执政电路内还设置有变压器漏感泄放电路，且变压器漏感泄放电路包括电阻R8、电阻R8A、电容C3与二极管D3。
[0033]在本实施例中，当接通AC电压，经整流滤波电路给直流母线提供一个直流电压，使电阻R2与R3两端产生一个电压，电流经过R2与R3给主开关三极管Q1的基极供电，同时给VCC电容C5充电，使主开关三极管Q1微导通；电压加在变压器T1的原边绕组，辅助绕组上；PIN1和PIN4为同名端，导致辅助绕上一个感应电压，电流经过D1流到主开关三极管Q1的基极，加速主开关三极管Q1导通；此时主开关三极管Q1电流经集电极流向发射极，经限流检测电阻RS1//RS2到地，随着主开关三极管Q1的电流加大，限流检测电阻RS1//RS2两端的电压也增大，三极管Q2基极检测电阻R9检测到0.7V的电压，三极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分立件自震式可控硅深度调光电路，电源输入端通过可控硅调光器连接所述电路后控制LED负载光源，其特征在于：包括EMC电路、整流滤波电路、分立件自震电路、纹波平滑电路与深度调光电路；还包括初级线圈与次级线圈分别连接所述分立件自震电路与纹波平滑电路的变压器；整流滤波电路，用于对输入电压进行整流以获得整流电压；分立件自震电路，用于将整流电压转换成PWM电压信号；纹波平滑电路，用于去除输入的交流分量；深度调光电路，用于稳定可控硅调光器中流动的电流振荡；还用于当输入电压是切相电压时，提供稳定的动态负载。2.根据权利要求1所述的一种分立件自震式可控硅深度调光电路，其特征在于：所述分立件自震电路包括电阻R2、电阻R3、电阻R6、电阻R6A、电阻RS1、电阻RS2、变压器T1、三极管Q1、三极管Q2、电容C5与二极管D1。3.根据权利要求2所述的一种分立件自震式可控硅深度调光电路，其特征在于：所述电阻RS1与电阻RS2并联，且作为限流采样电阻；所述分立件自震电路内还设置有变压器漏感泄放电路，且所述变压器漏感泄放电路包括电阻R8、电阻R8A与电容C6、二极管D3。4.根据权利要求1所述的一种分立件自震式可控硅深度调光电路，其特征在于：所述纹波平滑电路包括电容C9、电容C10、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：施爱军，张金华，龚辉，黄志平，
申请(专利权)人：惠州市庭宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：