一种高功率因数LED照明去纹波电路制造技术

本实用新型专利技术涉及LED照明电路技术领域，具体地说，涉及一种高功率因数LED照明去纹波电路。其包括LED驱动电源和芯片U1，LED驱动电源正极连接有二极管D1、二极管D2、二极管D3，二极管D3连接有电阻RDET，电阻RDET与芯片U1输出端6连接。本实用新型专利技术通过设置的环路补偿，实现对其LED电路中的电流纹波的去除，实现电路快速响应，同时兼容可控硅调光，效率损失小，器件小，支持无电容设计。支持无电容设计。支持无电容设计。

【技术实现步骤摘要】
一种高功率因数LED照明去纹波电路


[0001]本技术涉及LED照明电路
，具体地说，涉及一种高功率因数LED照明去纹波电路。

技术介绍

[0002]LED照明具有节能、安全、环保的特性，作为一个新兴的
，在最近几年得到很大发展。LED是典型的电流驱动器件，精确控制驱动电流，可决定光效、电源效率、散热等许多参数。
[0003]LED照明电路中纹波电流或电压是指的电流中的高次谐波成分,会带来电流或电压幅值的变化,可能导致击穿,由于是交流成分,会在电容上发生耗散, 如果电流的纹波成分过大,超过了电容的最大容许纹波电流,会导致电容烧毁。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种高功率因数LED照明去纹波电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供一种高功率因数LED照明去纹波电路，包括LED驱动电源以及芯片U1,所述LED驱动电源正极端连接有二极管D1、二极管D2、二极管D3，LED驱动电源正极端与所述芯片U1输入端1连接，所述二极管D3与所述芯片U1输出端6连接，所述芯片U1输出端5串联有R2，所述R2连接有电容C1，所述电容C1与所述芯片U1输入端3连接，所述芯片 U1输入端2与所述LED驱动电源负极端连接，所述LED驱动电源并联有电容 C2，所述电容C2正极端连接有桥式整流电路。
[0006]作为本技术方案的进一步改进，所述芯片U1输出端6用于检测晶体管电压及前级输出电流。
[0007]作为本技术方案的进一步改进，所述芯片U1输入端3并联连接有R2。
[0008]作为本技术方案的进一步改进，所述R2并联连接有电容C1。
[0009]作为本技术方案的进一步改进，所述芯片U1输入端1串联有电阻R1，所述电阻R1并联有容C2。
[0010]作为本技术方案的进一步改进，所述芯片U1输入端3串联有电容C1，所述电容C1并联有电阻R4。
[0011]作为本技术方案的进一步改进，所述电容C1与所述R2串联。
[0012]与现有技术相比，本技术的有益效果：
[0013]1、该高功率因数LED照明去纹波电路中，通过设置的环路补偿，实现对其LED电路中的电流纹波的去除，实现电路快速响应，同时兼容可控硅调光，效率损失小，器件小，支持无电容设计。
[0014]2、该高功率因数LED照明去纹波电路中，芯片U1输入端3并联连接有 R2，驱动电压较低时，会出现比较大的输出电流凹陷，是电流纹波主要来源，此时通芯片U1输入端3并联
电阻R2减小该阶段时间，进一步减小电流纹波。
附图说明
[0015]图1为本技术实施例1的整体结构电路图；
[0016]图2为本技术实施例1的工作原理图；
[0017]图3为本技术实施例1的电流应力电路图；
[0018]图4为本技术实施例1的短路开机热应力电路图；
[0019]图5为本技术实施例1的电容C1悬空电路图其一；
[0020]图6为本技术实施例1的电容C1悬空电路图其二；
[0021]图7为本技术实施例1的电容C1悬空电路图其三。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0023]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0024]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0025]实施例1
[0026]请参阅图1
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图7所示，本技术提供一种高功率因数LED照明去纹波电路，包括LED驱动电源以及芯片U1,LED驱动电源正极端连接有二极管D1、二极管D2、二极管D3，LED驱动电源正极端与芯片U1输入端1连接，二极管 D3与芯片U1输出端6连接，芯片U1输出端5串联有R2，R2连接有电容C1，电容C1与芯片U1输入端3连接，芯片U1输入端2与LED驱动电源负极端连接，LED驱动电源并联有电容C2，电容C2正极端连接有桥式整流电路。
[0027]本实施例中，芯片U1输出端6用于检测晶体管电压及前级输出电流，根据状态自适应调节芯片U1输入端3电压，芯片U1输入端3脚的纹波决定了输出电流纹波大小，芯片U1输入端3电容实现对其纹波抑制，达到去除波纹效果。
[0028]进一步的，芯片U1输入端3并联连接有R2，驱动电压较低时，会出现比较大的输出电流凹陷，是电流纹波主要来源，此时通芯片U1输入端3并联电阻R2减小该阶段时间，进一步减小电流纹波。
[0029]具体的，R2并联连接有电容C1。由于短路瞬间存在较大电流尖峰，通过电容C1可以降低短路瞬间电流应力，对其R2进行电路保护，避免其发生短路。
[0030]此外，芯片U1输入端1串联有电阻R1，电阻R1并联有容C2。通过串联电阻R1实现对其芯片U1输入端1进行分压效果，避免其出现短路。
[0031]除此之外，芯片U1输入端3串联有电容C1，电容C1并联有电阻R4。通过并联电阻R4增加电容C1，在一定范围内，电容C1电容大有利于减小纹波，电容较大时，去纹波效果与电容C1放电时间有关电容C1并联电阻(500k～1Meg 左右)，增加电容C1充电所占比例，进一步减少输出电流纹波。
[0032]具体的，电容C1与R2串联。此时电容C1接近芯片U1输入端3悬空，进一步优化动态过程。
[0033]本实施例的高功率因数LED照明去纹波电路在具体使用时，稳态去除纹波时串入LED通路的MOSFET工作在芯片U1输出端DET检测晶体管电压及前级输出电流，并自适应调节芯片U1输入端3电压，芯片U1输入端3的纹波决定了输出电流纹波大小，电容C1大小对纹波抑制效果直接作用，稳态主要工作分为两个阶段：
[0034]Stage 1：芯片U1输出端DET电压升高时，前级输出电流增加，需要增加MOSFET阻抗，让更多的能量流入前级电容；此时芯片U1输入端3电压升高，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高功率因数LED照明去纹波电路，包括LED驱动电源以及芯片U1,其特征在于：所述LED驱动电源正极端连接有二极管D1、二极管D2、二极管D3，LED驱动电源正极端与所述芯片U1输入端1连接，所述二极管D3与所述芯片U1输出端6连接，所述芯片U1输出端5串联有R2，所述R2连接有电容C1，所述电容C1与所述芯片U1输入端3连接，所述芯片U1输入端2与所述LED驱动电源负极端连接，所述LED驱动电源并联有电容C2，所述电容C2正极端连接有桥式整流电路。2.根据权利要求1所述的高功率因数LED照明去纹波电路，其特征在于：所述芯片U1输出端6用于检测晶体管电压及前级输出电...

【专利技术属性】
技术研发人员：万亚庆，
申请(专利权)人：互勤深圳科技有限公司，
类型：新型
国别省市：