漏电保护装置、电连接设备和用电器制造方法及图纸

技术编号:32647598 阅读:14 留言:0更新日期:2022-03-12 18:32
本发明专利技术提出了一种漏电保护装置,包括:开关模块,控制输入端与输出端之间的电力连接;漏电流检测模块,检测供电线路上的漏电流信号,进而生成漏电故障信号;脱扣驱动模块,响应于漏电故障信号,驱动开关模块断开电力连接,包括:第一线圈,产生用于驱动开关模块的电磁力;及第一半导体元件,在漏电故障信号作用下使第一线圈产生电磁力;线圈检测模块,在检测到第一线圈发生故障时,生成线圈故障信号;自检模块,在检测到漏电检测模块和/或第一半导体元件发生故障时,生成自检故障信号;及检测驱动模块,响应于线圈故障信号或自检故障信号,驱动开关模块断开电力连接。该方案在主电路脱扣线圈或半导体元件发生故障时断开电力连接,提高安全性。提高安全性。提高安全性。

【技术实现步骤摘要】
漏电保护装置、电连接设备和用电器


[0001]本专利技术属于电气领域,尤其涉及一种具备自检功能的漏电保护装置、电连接设备和用电器。

技术介绍

[0002]目前,越来越多的家庭或工业用电器在各个领域中被采用。为了用电安全,人们通常在电网输出端或者在一些家用电器的输入端安装有漏电保护器,而且在醒目的位置标有“使用前进行试验”的字样来督促使用者测试漏电保护器的功能是否正常。然而在使用中,因使用的环境不同或安装等因素,即使人们对漏电保护器进行了使用前试验的操作,漏电保护器仍然存在在使用过程中丧失漏电保护的可能性,从而导致危险的情况发生。
[0003]出于上述原因,当前已经设计出同时具备漏电检测和自检功能的漏电保护装置。然而,目前大多数带自检功能的漏电保护装置在主电路的脱扣线圈或半导体元件(如可控硅)发生故障时,只能进行声光报警。在用户不能第一时间发现并停止使用漏电保护器的情况下,仍然存在一定的安全隐患。

技术实现思路

[0004]基于上述问题,本专利技术提出了一种漏电保护装置,该漏电保护装置能够在主电路的脱扣线圈或半导体元件发生故障时断开电力连接,而无需用户执行停止使用的操作,因而增加了使用的便利性,且进一步提高了安全性。
[0005]本专利技术的第一方面提出了一种漏电保护装置,包括:开关模块,耦合在供电线路的输入端与输出端之间,并被配置为控制所述输入端与所述输出端之间的电力连接;漏电流检测模块,被配置为检测所述供电线路上的漏电流信号,进而生成漏电故障信号;脱扣驱动模块,被配置为响应于所述漏电故障信号,驱动所述开关模块断开所述电力连接,所述脱扣驱动模块包括:第一线圈,其产生用于驱动所述开关模块的电磁力;以及第一半导体元件,串联耦合至所述第一线圈,其在所述漏电故障信号的作用下使所述第一线圈产生所述电磁力;线圈检测模块,被配置为在检测到所述第一线圈发生故障时,生成线圈故障信号;自检模块,被配置为在检测到所述漏电检测模块和/或所述第一半导体元件发生故障时,生成自检故障信号;以及检测驱动模块,被配置为响应于所述线圈故障信号和/或所述自检故障信号,驱动所述开关模块断开所述电力连接。
[0006]在一种实施方式中,所述检测驱动模块包括:第二线圈,其产生用于驱动所述开关模块的电磁力;以及第二半导体元件,串联耦合至所述第二线圈,其在所述线圈故障信号或所述自检故障信号的作用下使所述第二线圈产生所述电磁力。
[0007]在一种实施方式中,所述第一半导体元件和所述第二半导体元件选自以下各项中的一项:可控硅、双极型晶体管、场效应晶体管和光电耦合元件。
[0008]在一种实施方式中,所述线圈检测模块包括:第三半导体元件,其控制极耦合至所述第一线圈,第一极耦合至所述检测驱动模块;以及第一电阻,其一端耦合至所述供电线路
的所述输入端,另一端耦合至所述第三半导体元件的所述第一极,其中,当所述第一线圈发生故障时,所述线圈检测模块经由所述第一电阻生成所述线圈故障信号。
[0009]在一种实施方式中,所述第一半导体元件和所述第三半导体元件选自以下各项中的一项:可控硅、双极型晶体管、场效应晶体管和光电耦合元件。
[0010]在一种实施方式中,所述自检模块包括:模拟漏电流触发模块,其耦合至所述第一半导体元件,并被配置为生成模拟漏电触发信号,所述第一半导体元件在所述漏电故障信号的作用下关闭所述模拟漏电触发信号;模拟漏电流生成模块,其被配置为经由所述模拟漏电流触发模块的触发而生成模拟的漏电流信号;故障信号生成模块,其耦合至所述模拟漏电流触发模块,并被配置为在所述漏电流检测模块和/或所述第一半导体元件发生故障时,生成所述自检故障信号。
[0011]在一种实施方式中,所述模拟漏电流触发模块包括:触发管,其在导通时生成所述模拟漏电触发信号;以及串联连接并耦合至所述触发管的第二电阻和第一电容,所述第二电阻和所述第一电容控制所述触发管的导通,其中,所述第一半导体元件在所述漏电故障信号的控制下导通,所述第一电容上的电荷通过所述第一半导体元件泄放,进而关闭所述模拟漏电触发信号。
[0012]本专利技术的第二方面提出了一种漏电保护装置,包括:开关模块,耦合在供电线路的输入端与输出端之间,并被配置为控制所述输入端与所述输出端之间的电力连接;漏电流检测模块,被配置为检测所述供电线路上的漏电流信号,进而生成漏电故障信号;脱扣驱动模块,被配置为响应于所述漏电故障信号,驱动所述开关模块断开所述电力连接,所述脱扣驱动模块包括:第一线圈,其产生用于驱动所述开关模块的电磁力;以及第一半导体元件,串联耦合至所述第一线圈,其在所述漏电故障信号的作用下使所述第一线圈产生所述电磁力;自检模块,被配置为在检测到所述漏电检测模块、所述第一线圈和/或所述第一半导体元件发生故障时,生成自检故障信号;以及检测驱动模块,被配置为响应于所述自检故障信号,驱动所述开关模块断开所述电力连接。
[0013]在一种实施方式中,所述检测驱动模块包括:第二线圈,用于产生驱动所述开关模块的电磁力;以及第二半导体元件,串联耦合至所述第二线圈,其在所述自检故障信号的作用下使所述第二线圈产生所述电磁力。
[0014]在一种实施方式中,所述第一半导体元件和所述第二半导体元件选自以下各项中的一项:可控硅、双极型晶体管、场效应晶体管和光电耦合元件。
[0015]在一种实施方式中,所述自检模块包括:模拟漏电流触发模块,其与所述第一线圈和所述第一半导体元件耦合,并被配置为生成模拟漏电触发信号,所述第一线圈和所述第一半导体元件在所述漏电故障信号的作用下关闭所述模拟漏电触发信号;模拟漏电流生成模块,其被配置为经由所述模拟漏电流触发模块的触发而生成模拟的漏电流信号;故障信号生成模块,其耦合至所述模拟漏电流触发模块,并被配置为在所述漏电检测模块、所述第一线圈和/或所述第一半导体元件发生故障时,生成所述自检故障信号。
[0016]在一种实施方式中,所述模拟漏电流触发模块包括:触发管,其在导通时生成所述模拟漏电触发信号;以及串联连接并耦合至所述触发管的第二电阻和第一电容,所述第二电阻和所述第一电容控制所述触发管的导通,其中,所述第一半导体元件在所述漏电故障信号的控制下导通,所述第一电容上的电荷通过所述第一线圈和所述第一半导体元件的串
联路径泄放,进而关闭所述模拟漏电触发信号。
[0017]本专利技术的第三方面提出了一种电连接设备,包括:壳体;以及根据第一方面和第二方面的各实施例中任一个的漏电保护装置,所述漏电保护装置容纳在所述壳体中。
[0018]本专利技术的第四方面提出了一种用电器,包括:负载设备;以及电连接设备,其耦合在供电线路与所述负载设备之间,用于向所述负载设备供电,其中,所述电连接设备包括根据第一方面和第二方面的各实施例中任一个的漏电保护装置。
[0019]本专利技术的漏电保护器能够在主电路的脱扣线圈或半导体元件发生故障时断开电力连接,而无需用户执行停止使用的操作,因而增加了使用的便利性,且进一步提高了安全性。
附图说明
[0020]参考附本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种漏电保护装置,包括:开关模块,耦合在供电线路的输入端与输出端之间,并被配置为控制所述输入端与所述输出端之间的电力连接;漏电流检测模块,被配置为检测所述供电线路上的漏电流信号,进而生成漏电故障信号;脱扣驱动模块,被配置为响应于所述漏电故障信号,驱动所述开关模块断开所述电力连接,所述脱扣驱动模块包括:第一线圈,其产生用于驱动所述开关模块的电磁力;以及第一半导体元件,串联耦合至所述第一线圈,其在所述漏电故障信号的作用下使所述第一线圈产生所述电磁力;线圈检测模块,被配置为在检测到所述第一线圈发生故障时,生成线圈故障信号;自检模块,被配置为在检测到所述漏电检测模块和/或所述第一半导体元件发生故障时,生成自检故障信号;以及检测驱动模块,被配置为响应于所述线圈故障信号和/或所述自检故障信号,驱动所述开关模块断开所述电力连接。2.根据权利要求1所述的漏电保护装置,其中,所述检测驱动模块包括:第二线圈,其产生用于驱动所述开关模块的电磁力;以及第二半导体元件,串联耦合至所述第二线圈,其在所述线圈故障信号或所述自检故障信号的作用下使所述第二线圈产生所述电磁力。3.根据权利要求2所述的漏电保护装置,其中,所述第一半导体元件和所述第二半导体元件选自以下各项中的一项:可控硅、双极型晶体管、场效应晶体管和光电耦合元件。4.根据权利要求1所述的漏电保护装置,其中,所述线圈检测模块包括:第三半导体元件,其控制极耦合至所述第一线圈,第一极耦合至所述检测驱动模块;以及第一电阻,其一端耦合至所述供电线路的所述输入端,另一端耦合至所述第三半导体元件的所述第一极,其中,当所述第一线圈发生故障时,所述线圈检测模块经由所述第一电阻生成所述线圈故障信号。5.根据权利要求4所述的漏电保护装置,其中,所述第一半导体元件和所述第三半导体元件选自以下各项中的一项:可控硅、双极型晶体管、场效应晶体管和光电耦合元件。6.根据权利要求1所述的漏电保护装置,其中,所述自检模块包括:模拟漏电流触发模块,其耦合至所述第一半导体元件,并被配置为生成模拟漏电触发信号,所述第一半导体元件在所述漏电故障信号的作用下关闭所述模拟漏电触发信号;模拟漏电流生成模块,其被配置为经由所述模拟漏电流触发模块的触发而生成模拟的漏电流信号;故障信号生成模块,其耦合至所述模拟漏电流触发模块,并被配置为在所述漏电流检测模块和/或所述第一半导体元件发生故障时,生成所述自检故障信号。7.根据权利要求6所述的漏电保护装置,其中,所述模拟漏电流触发模块包括:触发管,其在导通时生成所述模拟漏电触发信号;以及
串联连接并耦合至所述触发管的第二电阻和第一电容,所述第二电阻和所述第一电容控制所述触发管的导通,其中,所述第一半导体元件在所述漏电故障信号的控制下导通,所述第一电容...

【专利技术属性】
技术研发人员:李成力陈龙
申请(专利权)人:苏州益而益电器制造有限公司
类型:发明
国别省市:

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