一种基于源储配置关系的源内气藏甜点评价方法技术

本发明专利技术涉及源内气藏评价，特别是一种基于源储配置关系的源内气藏甜点评价方法，其包括以下步骤：将源内气藏评价井段分为多个评价段；对每一个所述评价段，取所述评价段上下预设范围内的井段形成一个评价步长；对每一个评价步长范围进行至少一次甜点指数计算，所述甜点指数用于表征对应的所述评价段的油气藏富集程度和/或开采价值；根据所述甜点指数的大小确定甜点井段，将所述甜点指数高的井段作为气藏评价的甜点区。对每一个评价段进行评价时，都会考虑到评价段上下预设范围内的待评价井段，使得每一个评价段事实上都被重复评价了多次。通过在不同评价段上的多次计算，可以区分不同的源储配置关系对甜点指数的影响。分不同的源储配置关系对甜点指数的影响。分不同的源储配置关系对甜点指数的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种基于源储配置关系的源内气藏甜点评价方法


[0001]本专利技术涉及源内气藏评价，特别是一种基于源储配置关系的源内气藏甜点评价方法。

技术介绍

[0002]源内气藏属于先成型，即油气成藏在储层致密化之后。因此，与近源或远源成藏体系致密复合型油气藏不同，源内气藏基本不存在早期常规气藏向晚期致密气藏或深盆气的转变，气藏类型较为单一，以岩性气藏为主，构造对气水分布影响较小，油气成藏主要受优质烃源岩、相对优质储层和裂缝发育程度的控制。砂岩与烃源岩大面积直接接触,储集岩周缘烃源岩生成的油气通过渗透、扩散等方式直接向储层充注。源内气藏的成藏主控因素包括优质烃源岩控制气藏的展布，相对优质储层和裂缝控制了天然气的富集与高产。
[0003]传统的源内气藏甜点评价，主要是针对平面上的选区选带，仅在平面上考虑评价区的整体烃源岩的生烃强度和储层的沉积相带。富集区在烃源条件方面主要体现在烃源岩生烃强度大，距离生烃中心距离较近；储集条件主要体现在位于三角洲前缘有利沉积相带，以Ⅰ类储层为主，且裂缝发育。有利区在烃源条件方面主要体现在烃源岩生烃强度大，距离生烃中心距离相对较远；储集条件主要体现在位于三角洲前缘-平原有利沉积相带，以Ⅰ、Ⅱ类储层为主，且裂缝较发育。而远景区表现为烃源岩生烃强度较低，且距离生烃中心较远，导致烃源条件差，含气性较差。
[0004]实际上，由于烃源岩与储层的配置关系至关重要，源内气藏天然气的富集与高产是烃源岩生成的油气通过渗透、扩散等方式直接向储层充注，储层与烃源岩的直接接触程度、储层与烃源岩的互层关系等因素直接决定着源内气藏天然气的富集。如图1所示，图1(a)所示的储层和图1(b)所示地层的烃源岩厚度、储层厚度均相同，但由于烃源岩和储层的配置关系不同，因此其油气藏富集程度或开采价值是存在区别的。现有技术中，源内气藏甜点评价仅从距离烃源岩生烃中心的远近和储层沉积相带的叠加评价方法未考虑到上述因素，无法对源储配置关系不同的情况下的甜点评价进行有效指导，因而具有较大的局限性。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于：针对现有技术存在的问题，提供一种基于源储配置关系的源内气藏甜点评价方法。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：
[0007]一种基于源储配置关系的源内气藏甜点评价方法，包括以下步骤：
[0008]将源内气藏评价井段分为多个评价段；
[0009]对每一个所述评价段，取所述评价段上下预设范围内的井段形成一个评价步长；
[0010]对每一个评价步长范围进行至少一次甜点指数计算，所述甜点指数用于表征对应的所述评价段的油气藏富集程度和/或开采价值；
[0011]根据所述甜点指数的大小确定甜点井段，将所述甜点指数高的井段作为气藏评价
的甜点区。
[0012]本专利技术通过上述的评价方法，由于多个评价段互相紧邻，而对每一个评价段进行评价时，都会考虑到评价段上下预设范围内的待评价井段，使得每一个评价段事实上都被重复评价了多次，最终每一个评价段都得到一个综合评价结果。通过在不同评价段上的多次计算，可以区分不同的源储配置关系对甜点指数的影响，并将甜点指数相对较高的区域作为气藏评价的甜点区，实现更加科学的评价。
[0013]需要说明的是，本专利技术提供的方法，可以通过对气藏的各个不同位置进行甜点指数的计算，从而根据甜点指数的高低判定该处为甜点区的可能性大小。因此，本申请“所述的甜点指数高的井段作为甜点区”，是指在同一气藏中，甜点指数相对较高的井段，由于其为甜点区的可能性更大，因此，可视作甜点区，便于进行后续评价或开采。
[0014]作为本专利技术的一种可选的方案，所述甜点指数基于所述源内气藏的高效烃源岩发育程度、储层发育程度和裂缝发育程度。源内气藏属于自生自储、源储一体气藏，具有近源成藏的特点。源内气藏具有一定含砂率的砂泥互层型储层普遍具有较高的测试产能，而富泥型储层产气能力有限，表明三角洲前缘沉积、一定含砂率及砂泥互层型岩性组合有利于源内气藏的形成，而分布于前三角洲-湖泊沉积的富泥型组合则对成藏不利。同时，由于储层基质物性差,天然气的高产稳产,需要裂缝和孔隙的共同作用。砂岩孔隙度与单井产量呈现一定的正相关关系，此外裂缝(构造和非构造成因)对天然气富集高产也具有明显的控制作用。源内气藏以岩性气藏为主，构造对气水分布影响较小，油气成藏主要受高效烃源岩、相对优质储层和裂缝发育程度的控制。
[0015]作为本专利技术的一种可选的方案，所述甜点指数的计算方法为：
[0016]Z＝TOC
×
H1×
a+φ
×
H2×
b+L
×
c
[0017]其中，Z为甜点指数，TOC为高效烃源岩的平均有机碳含量，H1为高效烃源岩的厚度，φ为基质储层的平均孔隙度，H2为储层厚度；L为所述评价步长范围井段内的裂缝发育系数；a、b、c为各项对应权重，a+b+c＝1。
[0018]作为本专利技术的一种可选的方案，
[0019]其中，d1为测井解释间隔；
[0020]n1为H1厚度内所包含的测井解释间隔的数量，即n1＝H1/d1；
[0021]TOC
i
是每个测井解释间隔内的高效烃源平均有机碳含量。
[0022]通过测井与高效烃源岩TOC(有机碳含量)建立关系，对整个井段TOC值进行解释。确定高效烃源岩的TOC下限，根据解释的TOC值对每一个步长井段内求取该井段高效烃源岩的厚度H和高效烃源岩的平均TOC，得到高效烃源岩发育程度为：
[0023]作为本专利技术的一种可选的方案，
[0024]其中，d2为测井解释间隔；
[0025]n2为H2厚度内所包含的测井解释间隔的数量，即n2＝H2/d2；
[0026]φ
j
是每个测井解释间隔内的平均孔隙度。
[0027]统计评价井段内基质储层的平均孔隙度φ，以及储层的厚度H，得到基质储层储能
系数φ值大于储层下限值。
[0028]作为本专利技术的一种可选的方案，所述裂缝发育系数L的计算方法为，基于待评价地区或其他地质情况类似地区的已有勘探数据，计算得到裂缝发育系数L：
[0029]L＝e^(C+C1×
构造曲率+C2×
距断层距离+C3×
高效烃源岩TOC+C4×
C
构型
)
[0030]其中，C
构型
为岩相构型对应的参数；
[0031]C、C1、C2、C3、C4均为常数，通过已有勘探数据拟合得到。
[0032]进一步的，基于已有勘探数据，得到构造曲率、距断层距离、高效烃源岩TOC、岩相构型四个参数与裂缝发育程度均呈指数关系，因此裂缝发育系数为上述四个参数的指数的乘积。基于已有的勘探数据，拟合得到C、C1、C2、C3、C4的取值，进而能够得到裂缝发育系数L。
[0033]作为本专利技术的一种可选的方案，a、b、c满足以下关系：
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于源储配置关系的源内气藏甜点评价方法，其特征在于，包括以下步骤：将源内气藏待评价井段分为多个评价段，多个评价段互相紧邻；对每一个所述评价段，取所述评价段上下预设范围内的井段形成一个评价步长；对每一个评价步长范围进行至少一次甜点指数计算，所述甜点指数用于表征对应的所述评价段的油气藏富集程度和/或开采价值；根据所述甜点指数的大小确定甜点井段，将所述甜点指数高的井段作为气藏评价的甜点区。2.根据权利要求1所述的基于源储配置关系的源内气藏甜点评价方法，其特征在于，所述甜点指数基于所述源内气藏的高效烃源岩发育程度、储层发育程度和裂缝发育程度。3.根据权利要求2所述的基于源储配置关系的源内气藏甜点评价方法，其特征在于，所述甜点指数的计算方法为：Z＝TOC
×
H1×
a+φ
×
H2×
b+L
×
c其中，Z为甜点指数，TOC为高效烃源岩的平均有机碳含量，H1为高效烃源岩的厚度，φ为基质储层的平均孔隙度，H2为储层厚度；L为所述评价步长范围井段内的裂缝发育系数；a、b、c为各项对应权重，a+b+c＝1。4.根据权利要求3所述的基于源储配置关系的源内气...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶素娟，操延辉，张庄，杨映涛，张玲，李强，阎丽妮，赵迪，杨永剑，何建磊，朱丽，颜学梅，伍玲，卓俊驰，谢丹，罗桂滨，章顺利，王玲，
申请(专利权)人：中国石油化工股份有限公司西南油气分公司，
类型：发明
国别省市：