一种微型发光二极管及微型发光二极管显示器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种微型发光二极管及微型发光二极管显示器，且所述微型发光二极管至少包括：衬底；半导体外延结构，设置在所述衬底上，且包括依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，设置在所述半导体外延结构上，且与所述第一半导体层连接；第二电极，设置在所述半导体外延结构上，且与所述第二半导体层连接；保护层，设置在所述半导体外延结构上，且与所述第一电极和所述第二电极接触；以及蚀刻阻挡层，设置在所述保护层内。通过本实用新型专利技术提供的一种微型发光二极管及微型发光二极管显示器，可提高微型发光二极管的转移良率。转移良率。转移良率。

【技术实现步骤摘要】
一种微型发光二极管及微型发光二极管显示器


[0001]本技术属于半导体制造
，特别涉及一种微型发光二极管及微型发光二极管显示器。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(包括Mini LED和Micro LED)，即发光二极管微缩化和矩阵化，其具有良好的稳定性、寿命以及温度适应性等，同时还具有发光二极管的低功耗、色彩饱和度高、反应速度快及对比度强等优点。微型发光二极管显示器是新一代显示技术，具有亮度更高、发光效率更好和功耗更低的优点。
[0003]在微型发光二极管制备显示器时，微型发光二极管可通过静电力、范德华力、磁力、激光选择性转移、流体转移以及直接转印等方法转移至显示基板上。但是在选择性拾取微型发光二极管时，微型发光二极管是与暂态基板紧密结合，需要对键合胶材进行刻蚀，通过干法蚀刻将键合胶材刻蚀，由于微型发光二极管正面有遮挡作用，键合胶材会有一部分剩余，剩余的部分可以支撑起微型发光二极管，以便转移头抓取。但在干法刻蚀时，微型发光二极管表层包覆的氧化硅会被刻蚀掉，微型发光二极管有刻伤的风险，微型发光二极管的可靠性以及光电性能会有影响本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管，其特征在于，包括：衬底；半导体外延结构，设置在所述衬底上，且包括依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，设置在所述半导体外延结构上，且与所述第一半导体层连接；第二电极，设置在所述半导体外延结构上，且与所述第二半导体层连接；保护层，设置在所述半导体外延结构上，且与所述第一电极和所述第二电极接触；以及蚀刻阻挡层，设置在所述保护层内。2.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述半导体外延结构上设置有凹部，所述凹部暴露所述第一半导体层。3.如权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层上设置有透明导电层。4.如权利要求3所述的微型发光二极管，其特征在于，所述保护层设置在所述第二半导体层和所述透明导电层上，且覆盖所述凹部的侧壁及所述凹部的部分底部。5.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述保护层包括第一保护层和第二保护层，所述蚀刻阻挡层位于所述第一保护层和所述第二保护层之间。6.如权利要求5所述的微型发光二极管，其特征在于，所述蚀刻阻挡层包括粘附层，且所...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴广超，马非凡，曹进，张雪梅，康志杰，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：