一种DMF介电层覆膜方法、系统及数字微流控芯片技术方案

本发明专利技术涉及一种DMF介电层覆膜方法、系统及数字微流控芯片，DMF介电层覆膜方法，包括：将数字微流控芯片的基板放置在抽真空板上；在所述基板上覆盖介电层薄膜，得到带有介电层的基板；将所述带有介电层的基板利用抽真空板进行抽真空，得到介电层覆膜后的基板；在所述介电层覆膜后的基板的介电层上覆膜疏水层，得到疏水层覆膜后的基板。本发明专利技术能够提高基板和金属电极的利用率。属电极的利用率。属电极的利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种DMF介电层覆膜方法、系统及数字微流控芯片


[0001]本专利技术涉及数字微流控
，特别是涉及一种DMF介电层覆膜方法、系统及数字微流控芯片。

技术介绍

[0002]数字微流控技术(DMF)，又被称为芯片实验室(Lab on a Chip)，是一种对微液滴进行操作的流体控制技术。数字微流控技术能同时控制多个液滴进行运动，通过对不同液滴的运动路径进行编程，可以实现液滴的移动、混合等操作，将实验室中的操作集成到一张数字微流控芯片上，它可以很快地产生反应液滴，并且能保证各个反应体系之间互不干扰，提高了生物、化学样品制备、反应、分离、检测等分析过程的速度和效率。相比于传统的实验室，数字微流控技术可以极大地减少对于空间的需求，更加便携，能有效满足快速检验、便携操作等要求，适用于边防部队、交通检查、社区医院等场合。
[0003]数字微流控芯片自下向上由基板、金属电极、介电层、疏水层构成。为了降低成本，实现数字微流控芯片的可重复利用，通常要求介电层及疏水层可以在一次实验完成后揭下，从而保留基板、金属电极，只需要更换介电层和疏水层。
[0004]对于介电层覆膜技术，传统的方法主要有两种，分别是蒸镀和旋涂加热。蒸镀通常是使用真空蒸镀，利用固体在高温低压条件下升华，通过降低温度使介电层在基板上面生长出一层薄膜。旋涂加热则是在基板上滴加介电层溶液，通过高速旋转使其均匀地覆盖在基板表面，再经过加热挥发得到一层介电层薄膜。然而这两种方法得到的介电层薄膜与基板以及金属电极贴合得过于紧密，在揭取介电层膜的过程中极有可能破坏基板及金属电极，不利于基板及金属电极的重复利用，而对于微流控芯片而言，基板以及金属电极的加工往往需要较大的成本。并且，对于旋涂方法而言，对微流控芯片的大小具有一定的要求，如果芯片过大，或者说需要覆膜的面积过大，则会影响覆膜效果。因此，如何改进微流控芯片的覆膜工艺是本领域技术人员亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种DMF介电层覆膜方法、系统及数字微流控芯片，以提高基板和金属电极的利用率。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
[0007]一种DMF介电层覆膜方法，包括：
[0008]将数字微流控芯片的基板放置在抽真空板上；
[0009]在所述基板上覆盖介电层薄膜，得到带有介电层的基板；
[0010]将所述带有介电层的基板利用抽真空板进行抽真空，得到介电层覆膜后的基板；
[0011]在所述介电层覆膜后的基板的介电层上覆膜疏水层，得到疏水层覆膜后的基板。
[0012]可选地，所述介电层薄膜为聚酰亚胺薄膜。
[0013]可选地，在所述在所述基板上覆盖介电层薄膜，得到带有介电层的基板之前，还包
括：
[0014]对所述介电层薄膜进行裁剪。
[0015]可选地，所述在所述介电层覆膜后的基板的介电层上覆膜疏水层，得到疏水层覆膜后的基板，具体包括：
[0016]利用蒸镀或者旋涂方法在所述介电层覆膜后的基板的介电层上覆膜疏水层，得到疏水层覆膜后的基板。
[0017]一种DMF介电层覆膜系统，所述DMF介电层覆膜系统应用于如上述任意一项所述的DMF介电层覆膜方法，所述DMF介电层覆膜系统包括：抽真空板和抽真空机；
[0018]所述抽真空板上设置多个圆柱突起；多个所述圆柱突起用于固定数字微流控芯片的基板；所述圆柱突起的高度小于所述基板的厚度；所述抽真空板的设定区域内设置多个小孔；所述小孔用于吸附所述基板；所述设定区域为多个所述圆柱突起围成的区域；所述抽真空机用于对所述抽真空板上的基板进行抽真空。
[0019]可选地，所述圆柱突起上还设有圆柱孔；所述圆柱孔用于吸附介电层薄膜。
[0020]一种数字微流控芯片，包括：上顶板和利用上述所述的DMF介电层覆膜方法制备的下底板，所述下底板为疏水层覆膜后的基板；所述上顶板与所述下底板之间滴加液滴；所述下底板的疏水层与所述液滴接触。
[0021]可选地，所述上顶板包括依次覆盖的玻璃板、导电层和疏水层；所述上顶板的疏水层与所述液滴接触。
[0022]可选地，所述下底板还包括金属电极；所述金属电极设置在介电层薄膜和基板之间。
[0023]根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：
[0024]本专利技术将数字微流控芯片的基板放置在抽真空板上；在所述基板上覆盖介电层薄膜，得到带有介电层的基板；将所述带有介电层的基板利用抽真空板进行抽真空，得到介电层覆膜后的基板；在所述介电层覆膜后的基板的介电层上覆膜疏水层，得到疏水层覆膜后的基板。利用抽真空的方法将介电层薄膜覆盖在基板上，使得介电层薄膜和疏水层容易从基板上揭取，且不破坏原有的基板和金属电极，从而提高基板和金属电极的利用率。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1为本专利技术提供的DMF介电层覆膜方法的流程图；
[0027]图2为本专利技术提供的数字微流控芯片的结构示意图；
[0028]图3为本专利技术提供的抽真空板的结构示意图；
[0029]图4为基板放置在抽真空板上的示意图。
[0030]符号说明：
[0031]1‑
玻璃板；2
‑
导电层；4
‑
疏水层；5
‑
介电层薄膜；6
‑
金属电极；7
‑
基板；8
‑
上顶板；9
‑
液滴；10
‑
下底板；11
‑
圆柱突起；12
‑
抽真空板；13
‑
小孔。
具体实施方式
[0032]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0033]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0034]如图1所示，本专利技术提供的一种DMF介电层覆膜方法，包括：
[0035]步骤101：将数字微流控芯片的基板放置在抽真空板上。
[0036]步骤102：在所述基板上覆盖介电层薄膜，得到带有介电层的基板。
[0037]步骤103：将所述带有介电层的基板利用抽真空板进行抽真空，得到介电层覆膜后的基板。
[0038]步骤104：在所述介电层覆膜后的基板的介电层上覆膜疏水层，得到疏水层覆膜后的基板。在实际应用中，步本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DMF介电层覆膜方法，其特征在于，包括：将数字微流控芯片的基板放置在抽真空板上；在所述基板上覆盖介电层薄膜，得到带有介电层的基板；将所述带有介电层的基板利用抽真空板进行抽真空，得到介电层覆膜后的基板；在所述介电层覆膜后的基板的介电层上覆膜疏水层，得到疏水层覆膜后的基板。2.根据权利要求1所述的DMF介电层覆膜方法，其特征在于，所述介电层薄膜为聚酰亚胺薄膜。3.根据权利要求1所述的DMF介电层覆膜方法，其特征在于，在所述在所述基板上覆盖介电层薄膜，得到带有介电层的基板之前，还包括：对所述介电层薄膜进行裁剪。4.根据权利要求1所述的DMF介电层覆膜方法，其特征在于，所述在所述介电层覆膜后的基板的介电层上覆膜疏水层，得到疏水层覆膜后的基板，具体包括：利用蒸镀或者旋涂方法在所述介电层覆膜后的基板的介电层上覆膜疏水层，得到疏水层覆膜后的基板。5.一种DMF介电层覆膜系统，其特征在于，所述DMF介电层覆膜系统应用于如权利要求1
‑
4任意一项所述的DMF介电层覆膜方法，所述DMF介电层覆膜系统...

【专利技术属性】
技术研发人员：张帅龙，李恭，高伟博，李凤刚，覃珊，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：