【技术实现步骤摘要】
一种锡基钙钛矿单晶的生长方法
[0001]本专利技术属于钙钛矿单晶
,具体涉及一种锡基钙钛矿单晶的生长方法。
技术介绍
[0002]近几年钙钛矿材料在光伏、发光、光探测器等领域展现出极大的应用价值,是目前最为热门的研究方向。与钙钛矿多晶薄膜相比,钙钛矿单晶表现出更为优异的热稳定性,更宽的光吸收范围和更高的载流子迁移率。目前采用铅基钙钛矿单晶所制备的太阳能电池的功率转换效率已经超过了20%。由于单晶的完整性和较少的缺陷,使得单晶器件具有更为优秀的稳定性。因此,单晶器件在光电领域具有巨大的潜力。
[0003]目前,钙钛矿单晶的制备方法主要是降温结晶法、反溶剂法、升温结晶法、顶部籽晶溶液生长法、缓慢蒸发溶剂法。升温结晶法以操作简单、生长速度快、晶体质量好等特点被广泛应用于钙钛矿单晶的制备。MASnI3和FASnI3钙钛矿材料拥有优异的光电性能,其制备工艺简单,具有合适的吸收带隙,较长的载流子扩散长度以及较低的缺陷态密度等优势。采用MASnI3和FASnI3制备的钙钛矿太阳能电池已经获得了较高的功率转换效率,但含锡钙钛 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种锡基钙钛矿单晶的生长方法,钙钛矿分子式为ASnI3,其中A为甲胺(MA)和甲醚(FA)中的一种或两种,其特征在于,制备方法如下:在惰性气体下,将等摩尔比的氢碘酸盐和二碘化锡(SnI2)放入试剂瓶混合后加入γ
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丁内酯(GBL)中配制成钙钛矿前驱体溶液,其中氢碘酸盐为甲基碘化铵和甲醚氢碘酸盐中的一种;将所述前驱体溶液从20℃
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30℃缓慢加热至60℃
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80℃获得ASnI3钙钛矿单晶。2.如权利要求1所述的一种锡基钙钛矿单晶的生长方法,其特征在于,所述钙钛...
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