高效的碳化硅二极管吸收电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高效的碳化硅二极管吸收电路，包含：第一绝缘栅双极型晶体管，第一绝缘栅双极型晶体管的源极和漏极分别与导电架相连；储能电路，储能电路与第一绝缘栅双极型晶体管的源极和漏极相连，用于进行储能；吸收电路，吸收电路与储能电路相连，用于吸收电压尖峰。本实用新型专利技术可以有效的吸收电压尖峰，满足吸收功率的要求，提高IGBT的使用寿命，保证电路的安全性。保证电路的安全性。保证电路的安全性。

【技术实现步骤摘要】
高效的碳化硅二极管吸收电路


[0001]本技术涉及吸收电路
，特别涉及一种高效的碳化硅二极管吸收电路。

技术介绍

[0002]在吸收场景的电路中，其主回路中的IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管）需要以很高的频率开关，当IGBT关断时，其C、E两端会产生很高的电压尖峰，常规的RCD电路已经无法满足对吸收功率的要求，急需一种新的设计吸收电压尖峰以提高IGBT的使用寿命。

技术实现思路

[0003]根据本技术实施例，提供了一种高效的碳化硅二极管吸收电路，包含：
[0004]第一绝缘栅双极型晶体管，第一绝缘栅双极型晶体管的源极和漏极分别与导电架相连；
[0005]储能电路，储能电路与第一绝缘栅双极型晶体管的源极和漏极相连，用于进行储能；
[0006]吸收电路，吸收电路与储能电路相连，用于吸收电压尖峰。
[0007]进一步，储能电路包含：串联的碳化硅二极管和第一电容，碳化硅二极管的一端与第一绝缘栅双极型晶体管的漏极相连，第一电容的一端与第一绝缘栅双极型晶体管的源极相连并接地。
[0008]进一步，吸收电路包含：
[0009]泄压电路，泄压电路与储能电路相连，用于进行泄压；
[0010]RC吸收回路，RC吸收回路与泄压电路相连，用于吸收电压尖峰。
[0011]进一步，泄压电路包含：第一二极管、第一电阻、控制芯片、第二电阻、第二绝缘栅双极型晶体管、第三电阻、第二电容、第四电阻以及第二二极管；
[0012]第一二极管的一端与储能电路的一侧相连；
[0013]第一电阻的一端与第一二极管的另一端相连；
[0014]控制芯片的输入端与第一电阻的另一端相连；
[0015]第二电阻的一端与控制芯片的输出端相连；
[0016]第二绝缘栅双极型晶体管的栅极与第二电阻的另一端相连，第二绝缘栅双极型晶体管的源极接地；
[0017]第三电阻的一端与第二绝缘栅双极型晶体管的漏极相连，第三电阻的另一端与第一二极管的一端；
[0018]第二电容、第四电阻以及第二二极管并联，且一端与控制芯片的输入端相连，另一端接地。
[0019]进一步，泄压电路还包含：第三电容，第三电容的一端与第一二极管的一端相连，
第三电容的另一端接地。
[0020]进一步，RC吸收回路包含：第四电容以及第五电阻；
[0021]第四电容的一端与第二绝缘栅双极型晶体管的漏极相连；
[0022]第五电阻的一端与第四电容的另一端相连，第五电阻的另一端接地。
[0023]根据本技术实施例的高效的碳化硅二极管吸收电路，可以有效的吸收电压尖峰，满足吸收功率的要求，提高IGBT的使用寿命，保证电路的安全性。
[0024]要理解的是，前面的一般描述和下面的详细描述两者都是示例性的，并且意图在于提供要求保护的技术的进一步说明。
附图说明
[0025]图1为根据本技术实施例高效的碳化硅二极管吸收电路的原理图。
具体实施方式
[0026]以下将结合附图，详细描述本技术的优选实施例，对本技术做进一步阐述。
[0027]首先，将结合图1描述根据本技术实施例的高效的碳化硅二极管吸收电路，用于吸收电压尖峰，其应用场景很广。
[0028]如图1所示，本技术实施例的高效的碳化硅二极管吸收电路，具有第一绝缘栅双极型晶体管T1、储能电路以及吸收电路。
[0029]具体地，如图1所示，在本实施例中，第一绝缘栅双极型晶体管T1的源极和漏极分别与导电架J3、J1相连，储能电路与第一绝缘栅双极型晶体管T1的源极和漏极相连，用于进行储能，吸收电路与储能电路相连，用于吸收电压尖峰，满足吸收功率的要求，提高IGBT的使用寿命，保证电路的安全性。
[0030]进一步，如图1所示，在本实施例中，储能电路包含：串联的碳化硅二极管D1和第一电容C5，碳化硅二极管D1的一端与第一绝缘栅双极型晶体管T1的漏极相连，采用碳化硅二极管D1具有很好的耐温性和长寿命，第一电容C5的一端与第一绝缘栅双极型晶体管T1的源极相连并接地。
[0031]进一步，如图1所示，在本实施例中，吸收电路包含：泄压电路以及RC吸收回路。泄压电路与储能电路相连，泄压电路用于进行泄压，RC吸收回路与泄压电路相连，RC吸收回路用于吸收电压尖峰。
[0032]进一步，如图1所示，在本实施例中，泄压电路包含：第一二极管Z1、第一电阻R3、控制芯片U1、第二电阻R2、第二绝缘栅双极型晶体管T2、第三电阻R5、第二电容C2、第四电阻R4以及第二二极管Z2。第一二极管Z1的一端与储能电路的一侧(即碳化硅二极管D1的另一端)相连，第一电阻R3的一端与第一二极管Z1的另一端相连，控制芯片U1的输入端与第一电阻R3的另一端相连，第二电阻R2的一端与控制芯片U1的输出端相连，第二绝缘栅双极型晶体管T2的栅极与第二电阻R2的另一端相连，第二绝缘栅双极型晶体管T2的源极接地，第三电阻R5的一端与第二绝缘栅双极型晶体管T2的漏极相连，第三电阻R5的另一端与第一二极管Z1的一端，第二电容C2、第四电阻R4以及第二二极管Z2并联，且一端与控制芯片U1的输入端相连，另一端接地。
[0033]进一步，如图1所示，在本实施例中，泄压电路还包含：第三电容C1，第三电容C1的一端与第一二极管Z1的一端相连，第三电容C1的另一端接地，电容C1为高频滤波电容，可以有效吸收高次谐波。
[0034]进一步，如图1所示，在本实施例中，RC吸收回路包含：第四电容C3以及第五电阻R1。第四电容C3的一端与第二绝缘栅双极型晶体管T2的漏极相连，第五电阻R1的一端与第四电容C3的另一端相连，第五电阻R1的另一端接地，第四电容C3以及第五电阻R1是第二绝缘栅双极型晶体管T2的RC吸收回路。
[0035]在使用的时候，当第一绝缘栅双极型晶体管T1上产生电压尖峰时，此时电压产生的电流通过碳化硅二极管D1，给大容量第一电容C5充电，当第一电容C5上的电压超过第一二极管Z1时，第一二极管Z1导通，此时会在控制芯片U1的2号引脚产生驱动电压，控制芯片U1将此电压放大以驱动打开第二绝缘栅双极型晶体管T2，此时大功率第三电阻R5，接入第一电容C5上的电压通过第三电阻R5泄放掉，其中第二电阻R2是第二绝缘栅双极型晶体管的驱动电阻。
[0036]以上，参照图1描述了根据本技术实施例的高效的碳化硅二极管吸收电路，可以有效的吸收电压尖峰，满足吸收功率的要求，提高IGBT的使用寿命，保证电路的安全性。
[0037]需要说明的是，在本说明书中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高效的碳化硅二极管吸收电路，其特征在于，包含：第一绝缘栅双极型晶体管，所述第一绝缘栅双极型晶体管的源极和漏极分别与导电架相连；储能电路，所述储能电路与所述第一绝缘栅双极型晶体管的源极和漏极相连，用于进行储能；吸收电路，所述吸收电路与所述储能电路相连，用于吸收电压尖峰。2.如权利要求1所述高效的碳化硅二极管吸收电路，其特征在于，所述储能电路包含：串联的碳化硅二极管和第一电容，所述碳化硅二极管的一端与所述第一绝缘栅双极型晶体管的漏极相连，所述第一电容的一端与所述第一绝缘栅双极型晶体管的源极相连并接地。3.如权利要求1所述高效的碳化硅二极管吸收电路，其特征在于，所述吸收电路包含：泄压电路，所述泄压电路与所述储能电路相连，用于进行泄压；RC吸收回路，所述RC吸收回路与所述泄压电路相连，用于吸收电压尖峰。4.如权利要求3所述高效的碳化硅二极管吸收电路，其特征在于，所述泄压电路包含：第一二极管、第一电阻、控制芯片、第二电阻、第二绝缘栅双极型晶体管、第三电阻、第二电容、第四电阻以及第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧敏，滕玮，
申请(专利权)人：上海焊煌电气有限公司，
类型：新型
国别省市：