一种高压陶瓷电容的取电结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种高压陶瓷电容的取电结构，所述电容的参数为CPX

【技术实现步骤摘要】
一种高压陶瓷电容的取电结构及其制作方法


[0001]本专利技术属于电子元器件的
，具体涉及一种高压陶瓷电容的取电结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]10kV高压架空线路是电力系统覆盖范围最广、运行环境复杂、外界影响因素较多的配电环境，其运行状态直接关系到终端用户的用电可靠性、安全性。
[0003]现有技术中在10kV架空线中，柱上开关起控制保护作用。传统的电磁式电压互感器为柱开开关提供电压测量信号已经电源作用。
[0004]但传统的电磁式电压互感器会发生铁磁谐振的危害如下：1.会导致电压互感器保险熔断，电压互感器烧坏或者爆炸，而且危及电力系统其他电器。如避雷器爆炸，若绝缘击穿，小电流接地选线装置误动，低周减载装置误动等现象。
[0005]2.谐振使得小电流系统绝缘监视装置误发接地信号，这是由于电压互感器谐振使中性点电压位移而产生零序电压造成的。基频谐振表现为两相电压升高，一相降低，而且会发生轮换现象。高频谐振表现为三相电压同时升高，而分频谐振也是两相电压同时升高，且会发生轮换现象。
[0006]3.由于电压互感器长时间发生铁磁谐振，造成三相电压升高时间长，线路避雷器发生爆炸现象也比较普遍，线路的绝缘弱电击穿等现象也时有发生。在发生分频谐振时，由于这一频差现象，造成各相电压发生抖动或者低频摆动。此外，由于频差电流在变压器和互感器漏抗上的压降，也会使相间电压表同样发生抖动或者低频摆动。
[0007]4.电压互感器发生铁磁谐振时，尤其是分频谐振，电压互感器感抗下降，以及电压互感器过电压，励磁电流急剧增加，甚至达到额定值的百倍以上，致使电压互感器及其保险烧毁。电压互感器发生铁磁谐振，会引起低周减载装置误动。
[0008]一旦发生故障给用户的生产、生活产生严重的影响与损失。需要对配电线路进行状态实时监测和保护。及时反映线路运作状况，把终端用户的损失降低最低。

技术实现思路

[0009]为解决现有技术存在的缺陷，以减少电力系统中由电压互感器引起的铁磁谐振，在柱上断路器的成套构成中，替代电磁式电压互感器提供成套设备的电源和电压采样，故而本专利技术提供一种在深度融合型柱上开关中的取能、采样的陶瓷高压电容的取电结构及其制作方法。
[0010]本专利技术提供了如下的技术方案：一种高压陶瓷电容的取电结构，所述电容的参数为CPX
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E45 ，包括一对电容本体，所述电容本体设置在框体内使得电容本体左右对称设置，所述框体上设有第一电极，框体下部设有第二电极，所述第一电极设有的端子为正极，所述第二电极设有的端子为负极；所述第一电极和第二电极的另一端为圆盘状与一对电容本体相适配后贴合密封。
[0011]作为本专利技术的一种优选技术方案，所述电容本体为实心圆柱体。
[0012]本专利技术还提供了一种高压陶瓷电容的取电结构的制作方法，S1：电容本体制作：按照既定参数电容，参数为CPX
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E45，4500pF设定准备原料，按比例混料搅拌均匀，模压成型后在1300℃的窑炉中烧结，高温氧化；S2：电极制作：按设计尺寸毛坯下料，在普通机床粗加工后，CNC精密加工，打磨抛光，再对其表面电镀；S3:得到的电容本体和电极进行钎焊，预热后在温度为 1200—1500 ℃进行焊接，自然空气冷却，得到成品，包装入库。
[0013]优选地，在步骤S1中，原料的组分为氧化钛70%、碳酸锶20%、红丹1%、二氧化锆1%、二氧化锰1%、二氧化钴3%、二氧化铋3%、水1% 。
[0014]本专利技术相较于现有技术，具有以下有益效果：为10kV深度融合柱开关提供高压陶瓷电容的采样相序(10kV/)/(3.25V/)，零序(10kV/)/(6.5V/3)、以及单个极柱10W的取能的。
附图说明
[0015]图1是本专利技术的一种高压陶瓷电容的取电结构的正视图。
[0016]图2是本专利技术的一种高压陶瓷电容的取电结构的俯视图。
[0017]其中，1.第一电极；2.框体；3.第二电极；4.电容本体；5.正极；6.负极。
具体实施方式
[0018]以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0019]实施例1为了达到本专利技术的目的，如图1至图2，一种高压陶瓷电容的取电结构，所述电容的参数为CPX
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E45 ，包括一对电容本体4，所述电容本体4设置在框体内使得电容本体4左右对称设置，所述框体2上设有第一电极1，框体下部设有第二电极3，所述第一电极1设有的端子为正极5，所述第二电极设有的端子为负极6；所述第一电极1和第二电极3的另一端为圆盘状与一对电容本体4相适配后贴合密封。所述电容本体4为实心圆柱体。
[0020]本实施例提供了一种高压陶瓷电容的取电结构的制作方法，S1：电容本体制作：按照既定参数电容，参数为CPX
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E45，4500pF设定准备原料，按比例混料搅拌均匀，模压成型后在1300℃的窑炉中烧结，高温氧化；S2：电极制作：按设计尺寸毛坯下料，在普通机床粗加工后，CNC精密加工，打磨抛光，再对其表面电镀；S3:得到的电容本体和电极进行钎焊，预热后在温度为 1200—1500 ℃进行焊接，自然空气冷却，得到成品，包装入库。
[0021]在步骤S1中，原料的组分为氧化钛70%、碳酸锶20%、红丹1%、二氧化锆1%、二氧化锰1%、二氧化钴3%、二氧化铋3%、水1% 。
[0022]最后应说明的是：以上仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管
参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压陶瓷电容的取电结构，其特征在于，所述电容的参数为CPX
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E45 ，包括一对电容本体，所述电容本体设置在框体内使得电容本体左右对称设置，所述框体上设有第一电极，框体下部设有第二电极，所述第一电极设有的端子为正极，所述第二电极设有的端子为负极；所述第一电极和第二电极的另一端为圆盘状与一对电容本体相适配后贴合密封。2.根据权利要求1所述的一种高压陶瓷电容的取电结构，其特征在于，所述电容本体为实心圆柱体。3.根据权利要求1所述的一种高压陶瓷电容的取电结构的制作方法，其特征在于，S1：电容本体制作：按照既定参数电容，参数为CPX...

【专利技术属性】
技术研发人员：高传来，宋立杰，
申请(专利权)人：伊默维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：