【技术实现步骤摘要】
一种用于ATR机箱的真空钎焊工艺
[0001]本专利技术涉及真空钎焊
,尤其是一种铝合金ATR机箱成形的钎焊工艺。
技术介绍
[0002]ATR机箱一般由多种零部件组成,通过专用工装固定钎料而真空钎焊成型。ATR机箱由于零部件多、结构形状复杂及焊缝多等问题,特别是针对铝合金ATR机箱,真空钎焊后易出现强度降低、钎料未熔化、焊缝氧化等缺陷,导致ATR机箱成品率低。行业内现行的工艺主要是控制设置温度、保温时间、真空度以及冷却方式等参数,主要通过尽可能快的升温速率、长的保温时间来保证ATR机箱能够满足实际所需的钎焊温度,对真空钎焊过程的ATR机箱实际温度不做要求。这将导致ATR机箱零部件升温不均匀,容易造成成形后尺寸变形或局部钎料未熔化等问题出现,而较长时间的保温会让ATR机箱经受长时间热处理,则会出现母材与钎料镁元素蒸发、晶粒粗大及成形后强度降低等问题出现。因此现行的ATR机箱真空钎焊工艺有必要进行优化改进。
技术实现思路
[0003]为了克服现有技术的不足,本专利技术提供一种用于ATR机箱的真空钎焊工艺。 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于ATR机箱的真空钎焊工艺,其特征在于包括下述步骤:1)设置热电偶:在设备的空余热电偶通道增加外置控温热电偶,第1组热电偶紧贴ATR机箱外侧表面,第2组热电偶紧贴ATR机箱内侧表面,第3组热电偶紧贴ATR机箱右上角内焊缝处;2)第一预热区间:以10~12℃/min从室温升温至120℃,真空度≤4
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3Pa,待3组热电偶温度均稳定在120℃后,保温3~5min;3)第一升温区间:以8~10℃/min从120℃升温至200℃,真空度≤1
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3Pa,待3组热电偶温度均稳定在200℃后,保温5~10min;4)第二预热区间:以5~8℃/min从200℃升温至400℃,真空度≤1
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3Pa,待3组热电偶温度均稳定在400℃后,保温10~20min;5)第二升温区间:以5~8℃/min从400℃温至420℃,真空度≤8.5
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【专利技术属性】
技术研发人员:焦坤,赵文忠,赵磊,杜行,董小媛,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第二十研究所,
类型:发明
国别省市:
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