一种高散热组合式保护膜制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高散热组合式保护膜，其包括第一保护膜本体、第二保护膜本体、第三保护膜本体及第四保护膜本体，所述第一保护膜本体与第二保护膜本体之间设有组合拼接结构，所述第二保护膜本体与第三保护膜本体之间设有组合拼接结构一，所述第三保护膜本体与第四保护膜本体之间设有组合拼接结构二，所述第一保护膜本体、第二保护膜本体、第三保护膜本体及第四保护膜本体均由上石墨烯导热层、去静电层、抗电磁层、保护膜层、下石墨烯导热层及粘胶层。本实用新型专利技术使得保护膜具有去静电、抗电磁干扰、防击穿及高散热的多功能保护性能，提高功能性，更好的保护芯片或电子元器件，满足现有芯片或电子元器件的保护需求。现有芯片或电子元器件的保护需求。现有芯片或电子元器件的保护需求。

【技术实现步骤摘要】
一种高散热组合式保护膜


[0001]本技术涉及保护膜的
，具体涉及一种高散热组合式保护膜。

技术介绍

[0002]随着现在科技的发展，电子设备的更新换代，对内部芯片、其它电子元器件及电池等的要求越来越高，散热效果及其保护也是尤为重要，现有对电子设备内部的芯片、其它电子元器件及电池等的保护方式在其表面包裹保护膜进行保护，从而延长内部芯片、其它电子元器件及电池的使用寿命及性能，现有市场上大多数保护膜仅仅起到防刮及一定的缓冲作用，但现有的保护膜的通过采用疏松孔作为缓冲结构，该结构缓冲效果较差，只有单一的缓冲结构，不会更好保护部芯片、其它电子元器件及电池等。现有的保护膜只能用于一种规格的芯片或电子元器件使用，无法根据不同规格尺寸的粘贴面积进行保护膜尺寸的组合调整，需要进行定制裁切，加工成本高，且裁切产生大量废料，无法给其它电子元器件使用，造成浪费；现有的保护膜只提供普通的包裹保护，功能性少，且由于导热物质无法与被粘附物体表面直接接触，导热性能差，满足不了现有芯片或电子元器件的保护需求。

技术实现思路

[0003]本项技术是针对现在的技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高散热组合式保护膜，其特征在于：所述高散热组合式保护膜包括保护膜本体，所述保护膜本体由外朝内依次包括第一保护膜本体、第二保护膜本体、第三保护膜本体及第四保护膜本体，所述第一保护膜本体与第二保护膜本体之间设有组合拼接结构，所述第二保护膜本体与第三保护膜本体之间设有组合拼接结构一，所述第三保护膜本体与第四保护膜本体之间设有组合拼接结构二，所述第一保护膜本体、第二保护膜本体、第三保护膜本体及第四保护膜本体均由上石墨烯导热层、去静电层、抗电磁层、保护膜层、下石墨烯导热层及粘胶层依次层叠的方式排布构成，所述上石墨烯导热层与下石墨烯导热层之间设有多组导热凸块组。2.根据权利要求1所述的高散热组合式保护膜，其特征在于：所述第一保护膜本体、第二保护膜本体及第三保护膜本体均为正方环形结构，所述第四保护膜本体为正方形结构，所述组合拼接结构包括多个组合拼接凸块及多个组合拼接凹槽，所述组合拼接结构一包括多个组合拼接凸块一及多个组合拼接凹槽一，所述组合拼接结构二包括多个组合拼接凸块二及多个组合拼接凹槽二，多个所述组合拼接凸块分别设置在所述第二保护膜本体的外侧面上，多个所述组合拼接凹槽分别设置在所述第一保护膜本体的内侧面上，多个所述组合拼接凸块一分别设置在所述第三保护膜本体的外侧面上，多个所述组合拼接凹槽一分别设置在所述第二保护膜本体的内侧面上，多个所述组合拼接凸块二分别设置在所述第四保护膜本体的外侧面上，多个所述组合拼接凹槽二分别设置在所述第三保护膜的内侧面上。3.根据权利要求2所述的高散热组合式保护膜，其特征在于：所述组合拼接凸块、组合拼接凸块一及组合拼接凸块二均为...

【专利技术属性】
技术研发人员：高雄，
申请(专利权)人：东莞市哲华电子有限公司，
类型：新型
国别省市：