激光发射器、激光雷达和确定特征信息的方法技术

本申请公开了激光发射器、激光雷达和确定特征信息的方法，属于激光探测技术领域。其中，激光发射器包括：印制电路板(1)，位于印制电路板(1)上的至少一个激光芯片(2)、至少一个电容(3)和至少一个晶体管(4)，至少一个激光芯片(2)中的任一激光芯片(2)包括至少两个用于发射激光光束的激光管(21)。至少一个电容(3)通过导线与至少一个激光芯片(2)包括的各个激光管(21)键合，导线与各个激光管(21)一一对应，各个激光管(21)对应的导线长度相同，至少一个电容(3)还通过印制电路板(1)上印制的第一电路与至少一个晶体管(4)连接。本申请提供的激光发射器尺寸小、实用性强且峰值功率高。实用性强且峰值功率高。实用性强且峰值功率高。

【技术实现步骤摘要】
激光发射器、激光雷达和确定特征信息的方法


[0001]本申请涉及激光探测
，特别涉及一种激光发射器、激光雷达和确定特征信息的方法。

技术介绍

[0002]在激光探测
中，通过激光发射器发射的激光光束进行探测。其中，激光发射器的峰值功率越大，则激光发射器发射的激光光束所能探测的距离越远，从而使得激光探测技术的应用场景越丰富。因此，如何提高激光发射器的峰值功率，成为亟待解决的问题。
[0003]相关技术中，将单个的激光管安装于印制电路板上，组合多个印制电路板得到激光发射器，以提高激光发射器的峰值功率。然而，组合多个印制电路板得到的激光发射器尺寸较大，实用性差。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种激光发射器、激光雷达和确定特征信息的方法，以解决相关技术提供的激光发射器尺寸较大、实用性差的问题。所述技术方案如下：
[0005]一方面，提供了一种激光发射器，激光发射器包括：印制电路板，位于印制电路板上的至少一个激光芯片、至少一个电容和至少一个晶体管，至少一个激光芯片中的任一激光芯片包括至少两个用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光发射器，其特征在于，所述激光发射器包括：印制电路板(1)，位于所述印制电路板(1)上的至少一个激光芯片(2)、至少一个电容(3)和至少一个晶体管(4)，所述至少一个激光芯片(2)中的任一激光芯片(2)包括至少两个用于发射激光光束的激光管(21)；其中，所述至少一个电容(3)通过导线与所述至少一个激光芯片(2)包括的各个激光管(21)键合，所述导线与所述各个激光管(21)一一对应，所述各个激光管(21)对应的导线长度相同，所述至少一个电容(3)还通过所述印制电路板(1)上印制的第一电路与所述至少一个晶体管(4)连接。2.根据权利要求1所述的激光发射器，其特征在于，所述电容(3)的数量为至少两个，至少两个电容(3)与所述各个激光管(21)一一对应，所述第一电路包括至少两个第一子电路，所述至少两个电容(3)与所述至少两个第一子电路一一对应；所述至少两个电容(3)中的任一电容(3)通过一个导线与对应的一个激光管(21)键合，所述任一电容(3)通过对应的一个第一子电路与所述至少一个晶体管(4)连接，所述至少两个电容(3)中的各个电容(3)与对应的激光管(21)之间的相对位置关系相同。3.根据权利要求2所述的激光发射器，其特征在于，对于所述至少两个电容(3)中的任一电容(3)，所述任一电容(3)对应的第一虚拟线段和第二虚拟线段位于同一直线；其中，所述直线为垂直于所述晶体管(4)轴向的直线，所述第一虚拟线段为所述任一电容(3)对应的导线映射于所述印制电路板(1)得到的线段，所述任一电容(3)对应的导线为与所述任一电容(3)键合的激光管(21)对应的导线，所述第二映射线段为所述任一电容(3)对应的第一子电路映射于所述印制电路板(1)得到的线段。4.根据权利要求1所述的激光发射器，其特征在于，所述至少一个电容(3)中的任一电容(3)对应至少一个激光芯片(2)，所述任一电容(3)包括至少两个连接点，所述至少两个连接点与所述各个激光管(21)一一对应，所述第一电路包括至少一个第二子电路，所述至少一个电容(3)与所述至少一个第二子电路一一对应；所述至少两个连接点中的任一连接点通过一个导线与对应的一个激光管(21)键合，所述任一电容(3)通过对应的一个第二子电路与所述至少一个晶体管(4)连接，所述至少两个连接点中的各个连接点与对应的激光管(21)之间的相对位置关系相同。5.根据权利要求1所述的激光发射器，其特征在于，所述至少一个晶体管(4)中的任一晶体管(4)对应至少一个激光芯片(2)；其中，当电容(3)与激光管(21)一一对应时，任一电容(3)通过所述第一电路包括的第一子电路与第一晶体管连接，所述第一晶体管为所述任一电容(3)对应的激光管(21)所在的激光芯片(2)对应的晶体管；当电容(3)对应至少一个激光芯片(2)时，任一电容(3)通过所述第一电路包括的第二子电路与第二晶体管连接，所述第二晶体管为所述任一电容(3)对应的激光芯片(2)对应的晶体管，所述第二晶体管对应的激光芯片(2)中包括所述任一电容(3)对应的激光芯片(2)。6.根据权利要求1所述的激光发射器，其特征在于，所述至少一个电容(3)位于所述至少一个晶体管(4)产生的放电平面中。7.根据权利要求6所述的激光发射器，其特征在于，任一晶体管(4)轴向的两端之间的距离不小于所述任一晶体管(4)对应的各个电容在所述轴向上形成的映射距离，所述各个电容包括所述任一晶体管(4)对应的激光芯片(2)包括的激光管(21)对应的电容(3)，或者
包括所述任一晶体管(4)对应的激光芯片(2)对应的电容(3)；其中，当所述各个电容的数量为一个时，所述映射距离为一个电容两端之间的距...

【专利技术属性】
技术研发人员：李洪鹏，王百戈，
申请(专利权)人：探维科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：