【技术实现步骤摘要】
防漏喷银头装置
[0001]本技术涉及一种电力半导体制造领域,用于电力半导体芯片阳极喷银工艺结束后防止银浆渗漏的喷银头装置,适应于不同规格的半导体芯片阳极喷银工艺。具体涉及一种防漏喷银头装置。
技术介绍
[0002]目前国内市场大功率焊接型芯片在工艺生产过程中都需要进行阳极喷银工艺,而喷银后银层的均匀性直接影响芯片的焊接质量、芯片压降、阻断电压以及使用可靠性等。现工艺上使用的喷银头在喷银结束后存在银浆渗漏的现象,导致银浆的用量很难把控,既造成了银浆浪费、又影响了芯片阳极的银层均匀性。喷银工艺后出现两个问题: 1、银浆渗漏问题,2、银层不均匀问题。目前工艺过程中操作人员根据经验来判断渗漏的银浆用量,对多余的银浆进行擦拭,给工艺操作带来了一定难度。这种传统喷银头的使用,对操作人员要求较高,操作人员很难达到一致性、重复性,工艺合格率低、返工率高,因此不适应批量生产。
技术实现思路
[0003]本技术的目的是提供一种防漏喷银头装置,防止出现原有工艺结束后喷头渗漏带来的不利影响。
[0004]本技术采用的技术方案是 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种防漏喷银头装置,其特征在于:包括喷头(2)、封银针(5)、弹簧(4)、弹簧定位槽(7)、固针背板(3)、银浆筒(8),所述喷头(2)顶部设有银浆筒(8),所述喷头(2)内中部设有固针背板(3),所述固针背板(3)中心设有开孔,所述封银针(5)顶部穿过固针背板(3)中心开孔且可上下运动,所述封银针(5)中部设有弹簧定位槽(7),所述弹簧定位槽(7)与固针背板(3)之间设有弹簧(4),所述封银针(5)底部穿出喷头(2)底端。2.如权利要求1所述的防漏喷银头装置,其特征在于:所述封银针(5)底部为L型拐弯。3.如...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵涛,赵田,赵阳,陈黄鹂,赵卫,张二东,刘航辉,张博焱,
申请(专利权)人:西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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