基于槽线-接地共面波导结构的功率合成器及等效电路制造技术

本公开提供了一种基于槽线

【技术实现步骤摘要】
基于槽线
‑
接地共面波导结构的功率合成器及等效电路


[0001]本公开涉及移动通信
，具体涉及一种基于槽线
‑
接地共面波导结构的功率合成器、等效电路、太赫兹Doherty功率放大器及其应用。

技术介绍

[0002]太赫兹(THz)波通常是指频率在0.1～10THz(波长为3000～30μm)范围内的电磁波。随着无线通信系统的快速发展，为满足100+Gbps以上数据速率需求，极大地推动了太赫兹频段开发和利用。太赫兹频段具有广泛的可用频谱资源，并且具有波长短、抗干扰能力强、具有穿透性等特性，在短程和回程高速通信方面有着巨大的应用前景。近年来，硅基半导体技术的快速发展，为太赫兹技术实用化和集成化提供了有效途径。
[0003]为了克服高路径损耗，高功率放大器(PA)在系统中是必不可少的，并且往往是系统中最耗能的器件之一，其效率高低直接决定了系统的效率。根据香浓定理C＝B
×
log2(1+S/N)，其中，C是信道容量，B为带宽，S/N为信噪比，能够宽带工作的功率放大器是通信系统实现高数据本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于槽线
‑
接地共面波导结构的功率合成器，其特征在于，包括：设置于衬底上的至少四个耦合结构，每个耦合结构包括第一槽线及设置于所述第一槽线上的第一接地共面波导；与所述至少四个耦合结构分别连接的第二槽线；以及与所述第二槽线连接的第二接地共面波导；其中，所述第一槽线、所述第一接地共面波导及所述第二槽线构成第一级阻抗逆变器，所述第二槽线及所述第二接地共面波导构成第二级阻抗逆变器。2.根据权利要求1所述的功率合成器，其特征在于，所述第一接地共面波导为类U型，其包括至少两个输入端，所述输入端用于接入待合成的信号。3.根据权利要求2所述的功率合成器，其特征在于，所述第一接地共面波导被配置为初级线圈。4.根据权利要求1所述的功率合成器，其特征在于，所述第一槽线为类环状的槽线结构。5.根据权利要求4所述的功率合成器，其特征在于，所述第一槽线被配置为次级线圈。6.根据权利要求1所述的功率合成器，其特征在于，所述第二接地共面波导及所述第二槽线分别被配置为第一电容及第二电容。7.根据权利要求1所述的功率合成器，其特征在于，所述第二接地共面波导及所述第二槽线分别被配置为第一电感及第二电感。8.根据权利要求1所述的功率合成器，其特征在于，所述第一槽线与所述第一接地共面波导十字交叉设置。9.根据权利要求1所述的功率合成器，其特征在于，该功率合成器还包括：中心抽头，设置于所述第一接地共面波导的对称位置，且其一端与所述第一接地共面波导连接。10.根据权利要求1所述的功率合成器，其特征在于，该功率合成器还包括：第三接地共面波导，其与所述第二接地共面波导连接，用于将合成后的信号输出。11.根据权利要求1所述的功率合成器，其特征在于，该功率合成器通过依次位于所述衬底上的金属层M1～M5、TM1及TM2刻蚀形成。12.一种如权利要求1～11中任一项所述的功率合成器的等效电路，其特征在于，包括：2n个第一级阻抗逆变器，用于将主功率信号和辅功率信号进行功率合成，其中，n为大于等于2的自然数；第二级阻抗逆变器，分别连接于所述2n个第一级阻抗逆变器，用于将所述2n个第一级阻抗逆变器功率合成后的信号进行二次功率合成；其中，所述2n个第一级阻抗逆变器相对于所述第二级阻抗逆变器对称设置。13.根据权利要求12所述的等效电路，其特征在于，所述第二级阻抗逆变器为电容
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【专利技术属性】
技术研发人员：李星村，陈文华，吴汇波，李舒阳，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：