一种基于SRAM的等效双端口RAM装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基于SRAM的等效双端口RAM装置，属于数字信号处理技术领域。本发明专利技术由输入数据串并变换模块、数据写地址控制模块、SRAM读写控制模块、数据读地址控制模块、输出数据并串变换模块组成。本发明专利技术具有支持同时读写、支持大容量缓存、节省成本、应用场景广泛等特点。本发明专利技术通过将片外SRAM等效为双端口RAM，解决现有卫星载荷FPGA存储资源不足问题，有利于载荷小型化设计，降低功耗、重量和体积，节省成本，可广泛用于星地、星间通信设备。星间通信设备。星间通信设备。

【技术实现步骤摘要】
一种基于SRAM的等效双端口RAM装置


[0001]本专利技术涉及数字信号处理
，特别是指一种基于SRAM的等效双端口RAM装置。

技术介绍

[0002]星载设备的FPGA芯片存储资源有限，若通过增加FPGA数量来保证存储容量，则会增加设备成本、重量、功耗、体积，增加发射成本。而SRAM芯片的读写地址管脚复用、读写数据管脚复用又不支持同时读写，无法满足卫星载荷的需求。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供一种基于SRAM的等效双端口RAM装置。本专利技术具有支持同时读写、支持大容量缓存、节省成本、应用场景广泛等特点，有利于实现星间或星地各种类型设备的小型化。
[0004]本专利技术的目的是这样实现的：一种基于SRAM的等效双端口RAM装置，包括SRAM和FPGA，所述FPGA用于实现输入数据串并变换模块1、数据写地址控制模块2、数据读地址控制模块3、SRAM读写控制模块4、输出数据并串变换模块5；输入数据串并变换模块1将需要写入SRAM的串行数据变成小于或等于SRAM数据位宽的并行数据，然后输出到SR本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于SRAM的等效双端口RAM装置，其特征在于，包括SRAM和FPGA，所述FPGA用于实现输入数据串并变换模块（1）、数据写地址控制模块（2）、数据读地址控制模块（3）、SRAM读写控制模块（4）、输出数据并串变换模块（5）；输入数据串并变换模块（1）将需要写入SRAM的串行数据变成小于或等于SRAM数据位宽的并行数据，然后输出到SRAM读写控制模块（4）；数据写地址控制模块（2）产生等效为双端口RAM的写地址，并将写地址传输给SRAM读写控制模块（4）；数据读地址控制模块（3）根据需要产生等效为双端口RAM的读地址，并将读地址传输给SRAM读写控制模块（4）；SRAM读写控制模块（4）通过时分复用的方法控制SRAM的控制信号进行读写使能控制，根据读写使能控制实现SRAM数据输入输出控制和SRAM读写地址切换控制，并将从SRAM读取的数据输出到输出数据并串变换模块（5）；输出数据并串变换模块（5）对SRAM读写控制模块（4）输入的数据进行并串变换和跨时钟域处理，输出串行数据。2.根据权利要求1所述的基于SRAM的等效双端口RAM装置，其特征在于，所述SRAM读写控制模块（4）由数据缓存及跨时钟域处理模块（4
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1）、写地址转化及跨时钟域处理模块（4
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2）、读地址转化及跨时钟域处理模块（4
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3）、SRAM读写使能控制模块（4
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4）、SRAM地址总线控制模块（4
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5）和SRAM数据总线控制模块（4
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6）组成；数据缓存及跨时钟域处理模块（4
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1）对输入数据串并变换模块（1）输入的并行数据进行缓存和跨时钟域处理，生成SRAM写数据，将其发送给SRAM数据总线控制模块（4
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6）；写地址转化及跨时钟域处理模块（4
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2）接收数据写地址控制模块（2）输出的双端口RAM写地址，将其转化为SRAM写地址并进行跨时钟域处理，并将跨时钟域处理后的SRAM写地址传输给...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文龙，李想，郭永林，尹曼，王立民，李利军，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十四研究所，
类型：发明
国别省市：