显示设备和制造显示设备的方法技术

本公开涉及显示设备和制造显示设备的方法，所述显示设备包括：主显示区域；和组件区域，包括彼此间隔开的像素组和在所述像素组之间的透射区域。所述显示设备还包括：基底，包括顺序地堆叠在彼此上的第一基体层、补偿层、第一阻挡层和第二阻挡层；底部金属层，在所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间；缓冲层，在所述第二阻挡层上；主显示元件，在所述主显示区域的所述基底上；以及辅助显示元件，在所述组件区域的所述基底上。件区域的所述基底上。件区域的所述基底上。

【技术实现步骤摘要】
显示设备和制造显示设备的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年9月03日提交的第10
‑
2020
‑
0112543号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0003]一个或多个实施例涉及显示设备和制造显示设备的方法，并且更具体地，涉及具有改善的产品可靠性的显示设备和制造显示设备的方法。

技术介绍

[0004]近来，显示设备的应用已经多样化。此外，因为显示设备已经变得更薄和更轻，所以显示设备的用途范围已经增加。
[0005]考虑到以各种合适的方式利用显示设备，可以使用各种合适的方法设计显示设备的形状，并且可以增加可以与显示设备相关联或相联系的功能。

技术实现思路

[0006]本公开的实施例的一个或多个方面涉及一种显示设备以及一种制造显示设备的方法，所述显示设备具有扩展的显示区域，使得即使在布置有作为电子元件的组件的区域中也可以显示图像。然而，一个或多个方面仅是示例，并且本公开的范围不限于此。
[0007]附加方面将在随后的描述中部分地阐述，并且附加方面将部分地根据所述描述显而易见，或者可以通过实践所提供的本公开的实施例而获悉附加方面。
[0008]根据一个或多个实施例，一种显示设备，包括：主显示区域；和组件区域，包括彼此间隔开的像素组和在所述像素组之间的透射区域。所述显示设备还包括：基底，包括顺序地堆叠在彼此上的第一基体层、补偿层、第一阻挡层和第二阻挡层；底部金属层，在所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间；缓冲层，在所述第二阻挡层上；主显示元件，在所述主显示区域的所述基底上；以及辅助显示元件，在所述组件区域的所述基底上。
[0009]所述缓冲层可以包括第一缓冲层和在所述第一缓冲层上的第二缓冲层，所述第一缓冲层的厚度可以为至并且所述第二缓冲层的厚度可以为至
[0010]所述第一缓冲层可以包括(例如，可以是)氮化硅，并且所述第二缓冲层可以包括(例如，可以是)氧化硅。
[0011]所述第一缓冲层的折射率可以为1.8至2(2.0)，并且所述第二缓冲层的折射率可以为1.3至1.6。
[0012]所述补偿层的厚度可以为至
[0013]所述补偿层可以包括(例如，可以是)氮氧化硅。
[0014]所述补偿层的折射率可以为1.65至1.75。
[0015]所述第一阻挡层的厚度可以为至
[0016]所述第一阻挡层可以包括(例如，可以是)氧化硅。
[0017]所述第一阻挡层的折射率可以为1.3至1.6。
[0018]所述第二阻挡层的厚度可以为至
[0019]所述第一阻挡层和所述第二阻挡层可以包括(例如，可以是)相同的材料。
[0020]所述显示设备还可以包括：第二基体层，在所述第一基体层下方；和第三阻挡层，在所述第一基体层与所述第二基体层之间。
[0021]所述底部金属层可以包括与所述透射区域相对应的第一孔。
[0022]所述底部金属层可以布置为对应于所述辅助显示元件。
[0023]所述底部金属层可以直接布置在所述第一阻挡层上。
[0024]所述显示设备还可以包括：薄膜封装层，覆盖所述主显示元件和所述辅助显示元件，并且所述薄膜封装层可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
[0025]所述第一缓冲层可以直接布置在所述第二阻挡层上。
[0026]所述第二阻挡层可以包括第一层和在所述第一层上的第二层。
[0027]所述第二层可以在氯的量方面大于所述第一层。
[0028]所述显示设备还可以包括：组件，布置在所述基底下方以对应于所述组件区域。
[0029]根据一个或多个实施例，一种制造显示设备的方法，所述显示设备包括：主显示区域；和组件区域，包括彼此间隔开的像素组和在所述像素组之间的透射区域，所述方法包括如下操作(动作)：在第一基体层上形成补偿层；在所述补偿层上形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成底部金属层；在所述底部金属层上形成第二阻挡层；以及在所述第二阻挡层上形成缓冲层。
[0030]所述形成所述缓冲层可以包括：在所述第二阻挡层上形成第一缓冲层；以及在所述第一缓冲层上形成第二缓冲层。
[0031]所述形成所述第一缓冲层可以包括：通过利用(例如，使用)包括(例如，是)氯的气体在所述第二阻挡层上形成所述第一缓冲层。
[0032]所述方法还可以包括：在所述形成所述第一缓冲层之前，将包括(例如，是)氯气(Cl2)的等离子体辐射到所述第二阻挡层的上表面上。
[0033]所述第一缓冲层的厚度可以为至并且所述第二缓冲层的厚度可以为至
[0034]所述第一缓冲层可以包括(例如，可以是)氮化硅，并且所述第二缓冲层可以包括(例如，可以是)氧化硅。
[0035]所述第一阻挡层的厚度可以为至
[0036]所述第二阻挡层的厚度可以为至
[0037]所述第一阻挡层和所述第二阻挡层可以包括(例如，可以是)相同的材料。
[0038]通过以下对实施例、权利要求和附图的描述，这些和/或其它方面将变得明显且更容易理解。
附图说明
[0039]通过以下结合附图的描述，本公开的特定实施例的以上及其它方面和特征将变得更加明显，在附图中：
[0040]图1是根据实施例的显示设备的透视图；
[0041]图2是根据实施例的显示设备的一部分的示意性截面图；
[0042]图3是可以被包括在图1的显示设备中的显示面板的示意性平面图；
[0043]图4和图5各自是根据实施例的用于驱动子像素的像素电路的等效电路图；
[0044]图6是示出根据实施例的主显示区域的像素排列结构的示意性布局图；
[0045]图7和图8各自是示出根据实施例的组件区域中的像素排列结构的示意性布局图；
[0046]图9是根据实施例的显示面板的一部分的示意性截面图，即，主显示区域和组件区域的示意性截面图；
[0047]图10是根据实施例的图9的部分A的放大图；
[0048]图11是根据实施例的图9的部分B的放大图；
[0049]图12是根据实施例的图9的部分A的放大图；
[0050]图13是根据实施例的图9的部分B的放大图；以及
[0051]图14至图22是根据实施例的用于说明制造显示设备的方法的示意性截面图。
具体实施方式
[0052]现在将更详细地参考本公开的实施例，在附图中示出了本公开的示例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在此方面，本实施例可以具有不同的合适的形式，并且不应被解释为局限于本文中阐述的描述或受本文中阐述的描述限制。因此，下面仅通过参照附图来描述一些实施例，以解释本说明书的各方面和各特征。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：主显示区域；和组件区域，包括彼此间隔开的像素组和在所述像素组之间的透射区域，所述显示设备还包括：基底，包括顺序地堆叠在彼此上的第一基体层、补偿层、第一阻挡层和第二阻挡层；底部金属层，在所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间；缓冲层，在所述第二阻挡层上；主显示元件，在所述主显示区域的所述基底上；以及辅助显示元件，在所述组件区域的所述基底上。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述缓冲层包括第一缓冲层和在所述第一缓冲层上的第二缓冲层，所述第一缓冲层的厚度为至并且所述第二缓冲层的厚度为至3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第一缓冲层包括氮化硅，并且所述第二缓冲层包括氧化硅。4.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第一缓冲层的折射率为1.8至2，并且所述第二缓冲层的折射率为1.3至1.6。5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述补偿层的厚度为至6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述补偿层包括氮氧化硅。7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述补偿层的折射率为1.65至1.75。8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一阻挡层的厚度为至9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一阻挡层包括氧化硅。10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一阻挡层的折射率为1.3至1.6。11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二阻挡层的厚度为至12.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第二阻挡层包括与所述第一阻挡层相同的材料。13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：第二基体层，在所述第一基体层下方；和第三阻挡层，在所述第一基体层与所述第二基体层之间。14.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述底部金属层包括与所述透射区域相对应的第一孔。15.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述底部金属层布置为对应于所述辅助显示元件。16.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述底部金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：戎野浩平，朴宽容，金荣元，吴真石，全珍，郑震九，崔庆铉，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：