面发射半导体激光器制造技术

本发明专利技术提供面发射半导体激光器。面发射半导体激光器具备第一导电型半导体层、主台面部、第一副台面部和第二副台面部。第一导电型半导体层具有相互分离的第一区域上的部分以及第三区域上的部分。主台面部具有设置在第一区域上且第一导电型半导体层上的作为分布布格拉反射器的第一半导体叠层、设置在第一半导体叠层上的活性层、设置在活性层上的作为分布布格拉反射器的第二半导体叠层以及设置在第二半导体叠层上的第二导电型半导体层。第一副台面部设置在第二区域上且第一导电型半导体层上。第二副台面部设置在第三区域上且第一导电型半导体层上。第一凸点设置在第一副台面部上的第一焊盘电极上。第二凸点设置在第二副台面部上的第二焊盘电极上。面部上的第二焊盘电极上。面部上的第二焊盘电极上。

【技术实现步骤摘要】
面发射半导体激光器


[0001]本公开涉及一种面发射半导体激光器。

技术介绍

[0002]在专利文献1中，公开了一种与适合在光通信系统中使用的光学部件相关的技术。该光学部件具备：光学元件，其在发光部或受光部上具有由透明的树脂构成的突起部；透光性树脂膜，其以与突起部抵接的方式载置光学元件；以及固定化机构，其以使突起部按压透光性树脂膜的方式将光学元件与透光性树脂膜固定。
[0003]在专利文献2中，公开了一种与通过倒焊而安装的连接体相关的技术。该连接体是在一面形成有第一电极的光学元件和在一面形成有与光学元件的第一电极连接的第二电极的衬底的连接体。第二电极具备凹部，经由接合材料而与第一电极连接。光学元件是面发光学元件或面受光学元件。接合材料是导体凸点或焊料。
[0004]在专利文献3中，公开了一种与面型光学元件相关的技术。该面型光学元件具备：衬底；受光发光部，其具有沿与衬底垂直的方向输出光的发光部或被沿相同方向输入光的受光部中的至少一方；以及浸入阻止区域，其形成在受光发光部的周围，具有比受光发光部的周围的露出部差的润湿性而阻止底部填充树脂向受光发光部浸入。浸入阻止区域在受光发光部的周围呈圆环状设置。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2005
‑
333018号公报
[0008]专利文献2：日本特开2008
‑
53423号公报
[0009]专利文献3：日本特开2009
‑
21430号公报

技术实现思路

[0010]专利技术所要解决的问题
[0011]已知有在衬底上具备包含垂直共振器的半导体台面部的面发射半导体激光器。在这样的面发射半导体激光器中，在半导体台面部的周边，配置用于向与半导体台面部形成接触的电极供给电流的焊盘电极。在对布线衬底的安装面以倒装芯片的方式安装面发射半导体激光器的情况下，为了防止半导体台面部的顶面与布线衬底接触，需要使焊盘电极表面的高度足够高。在一个例子中，焊盘电极表面的高度与半导体台面部的高度为同等或者比后者高。该情况下，在衬底上设置副台面部，在该副台面部上配置焊盘电极。在焊盘电极上设置焊料等的凸点。
[0012]在具备上述构成的面发射半导体激光器中，要求减小焊盘电极所具有的寄生电容来提高高频特性。本公开的目的在于：提供一种能够减小焊盘电极所具有的寄生电容的面发射半导体激光器。
[0013]用于解决问题的手段
[0014]本公开的第一面发射半导体激光器具备衬底、第一导电型半导体层、主台面部、第一副台面部、第二副台面部、绝缘膜、第一电极、第二电极、第一导电体、第二导电体、第一凸点和第二凸点。衬底具有包含第一区域、第二区域以及第三区域的主面。第一导电型半导体层设置在主面上，且第一区域上的部分和第三区域上的部分相互分离。主台面部具有设置在衬底的第一区域上且第一导电型半导体层上的作为分布布格拉反射器的第一半导体叠层、设置在第一半导体叠层上的活性层、设置在活性层上的作为分布布格拉反射器的第二半导体叠层、以及设置在第二半导体叠层上的第二导电型半导体层。第一副台面部设置在衬底的第二区域上且第一导电型半导体层上。第二副台面部设置在衬底的第三区域上且第一导电型半导体层上。绝缘膜具有设置在与主台面部相连的第一导电型半导体层上的第一开口、以及设置在主台面部的第二导电型半导体层上的第二开口，并设置在主台面部、第一副台面部以及第二副台面部的侧面以及上表面。第一电极经由绝缘膜的第一开口而与第一导电型半导体层形成接触。第二电极经由绝缘膜的第二开口而与第二导电型半导体层形成接触。第一导电体包含设置在第一副台面部上且绝缘膜上的第一焊盘电极，并与第一电极电连接。第二导电体包含设置在第二副台面部上且绝缘膜上的第二焊盘电极，并沿着第二副台面部以及主台面部的各侧面在绝缘膜上延伸而到达第二电极。第一凸点设置在第一焊盘电极上。第二凸点设置在第二焊盘电极上。
[0015]本公开的第二面发射半导体激光器具备衬底、第一导电型半导体层、主台面部、第一副台面部、第二副台面部、绝缘膜、第一电极、第二电极、第一导电体、第二导电体、第一凸点和第二凸点。衬底具有包含第一区域、第二区域以及第三区域的主面。第一导电型半导体层设置在主面中的除第三区域以外的其他区域中的至少包含第一区域的区域上。主台面部具有设置在衬底的第一区域上且第一导电型半导体层上的作为分布布格拉反射器的第一半导体叠层、设置在第一半导体叠层上的活性层、设置在活性层上的作为分布布格拉反射器的第二半导体叠层、以及设置在第二半导体叠层上的第二导电型半导体层。第一副台面部包含电介质，并设置在衬底的第二区域上。第二副台面部包含电介质，并设置在衬底的第三区域上。绝缘膜具有设置在第一导电型半导体层上的第一开口、以及设置在第二导电型半导体层上的第二开口，并至少设置在主台面部的上表面以及侧面。第一电极经由绝缘膜的第一开口而与第一导电型半导体层形成接触。第二电极经由绝缘膜的第二开口而与第二导电型半导体层形成接触。第一导电体包含设置在第一副台面部上的第一焊盘电极，并与第一电极电连接。第二导电体包含设置在第二副台面部上的第二焊盘电极，沿着第二副台面部的侧面延伸，并沿着主台面部的侧面在绝缘膜上延伸而到达第二电极。第一凸点设置在第一焊盘电极上。第二凸点设置在第二焊盘电极上。
[0016]专利技术的效果
[0017]根据本公开，能够提供一种能够减小焊盘电极所具有的寄生电容的面发射半导体激光器。
附图说明
[0018]图1是表示本公开的第一实施方式所涉及的面发射半导体激光器的俯视图。
[0019]图2是表示沿着图1所示的II
‑
II线的剖面的图。
[0020]图3是主面的俯视图。
[0021]图4是表示半导体激光器的制作方法的一个例子中的工序的剖面图。
[0022]图5是表示半导体激光器的制作方法的一个例子中的工序的剖面图。
[0023]图6是表示半导体激光器的制作方法的一个例子中的工序的剖面图。
[0024]图7是表示半导体激光器的制作方法的一个例子中的工序的剖面图。
[0025]图8是表示半导体激光器的制作方法的一个例子中的工序的剖面图。
[0026]图9是表示半导体激光器的制作方法的一个例子中的工序的剖面图。
[0027]图10是表示半导体激光器的制作方法的一个例子中的工序的剖面图。
[0028]图11是表示半导体激光器的制作方法的一个例子中的工序的剖面图。
[0029]图12是第一实施方式的一个变形例所涉及的半导体激光器的俯视图。
[0030]图13是第一实施方式的另一变形例所涉及的半导体激光器的俯视图。
[0031]图14是第一实施方式的再一变形例所涉及的半导体激光器的俯视图。
[0032]图15是表示本公开的第二实施方式所涉及的半导体激光器的俯视图。
[0033]图16是表示沿着图15所示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种面发射半导体激光器，其中，所述面发射半导体激光器具备：衬底，其具有包含第一区域、第二区域以及第三区域的主面；第一导电型半导体层，其设置在所述主面上，且所述第一区域上的部分和所述第三区域上的部分相互分离；主台面部，其具有设置在所述衬底的所述第一区域上且所述第一导电型半导体层上的作为分布布格拉反射器的第一半导体叠层、设置在所述第一半导体叠层上的活性层、设置在所述活性层上的作为分布布格拉反射器的第二半导体叠层、以及设置在所述第二半导体叠层上的第二导电型半导体层；第一副台面部，其设置在所述衬底的所述第二区域上且所述第一导电型半导体层上；第二副台面部，其设置在所述衬底的所述第三区域上且所述第一导电型半导体层上；绝缘膜，其具有设置在与所述主台面部相连的所述第一导电型半导体层上的第一开口、以及设置在所述主台面部的所述第二导电型半导体层上的第二开口，并设置在所述主台面部、所述第一副台面部以及所述第二副台面部的侧面以及上表面；第一电极，其经由所述绝缘膜的所述第一开口而与所述第一导电型半导体层形成接触；第二电极，其经由所述绝缘膜的所述第二开口而与所述第二导电型半导体层形成接触；第一导电体，其包含设置在所述第一副台面部上且所述绝缘膜上的第一焊盘电极，并与所述第一电极电连接；第二导电体，其包含设置在所述第二副台面部上且所述绝缘膜上的第二焊盘电极，并沿着所述第二副台面部以及所述主台面部的各侧面在所述绝缘膜上延伸而到达所述第二电极；第一凸点，其设置在所述第一焊盘电极上；以及第二凸点，其设置在所述第二焊盘电极上。2.根据权利要求1所述的面发射半导体激光器，其中，所述第一副台面部以及所述第二副台面部具有与所述主台面部相同的叠层结构。3.根据权利要求1或2所述的面发射半导体激光器，其中，所述面发射半导体激光器还具备贯通所述第一导电型半导体层而到达所述衬底的凹部，所述第一导电型半导体层中的所述第一区域上的部分和所述第三区域上的部分隔着所述凹部而相互分离。4.根据权利要求3所述的面发射半导体激光器，其中，所述凹部以将所述第一区域包围的方式沿着所述第一区域的外缘延伸。5.根据权利要求1至4中任一项所述的面发射半导体激光器，其中，所述衬底的所述主面还包含第四区域，该面发射半导体激光器还具备：第三副台面部，其设置在所述衬底的所述第四区域上且所述第一导电型半导体层上；以及
第三凸点，其设置在所述第三副台面部上，并与所述第一导电体以及所述第二导电体均绝缘。6.根据权利要求1至5中任一项所述的面发射半导体激光器，其中，所述第一凸点以及所述第二凸点包含Au。7.根据权利要求1至6中任一项所述的面发射半导体激光器，其中，所述第二导电体包含第一部分、第二部分以及第三部分，所述第三部分位于所述第二电极上，所述第一部分从所述第三部分延伸至所述第二部分，所述第二部分从所述第二焊盘电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山雄司，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：