【技术实现步骤摘要】
晶圆湿法减薄方法
[0001]本申请涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种用于提高晶圆刻蚀量一致性的晶圆湿法减薄方法。
技术介绍
[0002]半导体集成电路制造工艺向着更薄化趋势发展，从而对晶圆的厚度有了更加严格的要求。为了使得器件具有较高的热力学一致性，使得垂直功率器件具有较高的电学一致性，而对晶圆间的晶圆厚度一致性的要求越来越高。
[0003]但是在通过研磨结合湿法刻蚀的工艺对晶圆进行减薄过程中，刻蚀药液对晶圆的刻蚀速度随着该刻蚀药液的累计使用时长的增加而降低，从而导致相同刻蚀时间的晶圆刻蚀量降低，导致减薄后不同的晶圆厚度差异较大。
技术实现思路
[0004]本申请提供了一种晶圆湿法减薄方法，可以解决相关技术中因刻蚀药液对晶圆的刻蚀速度随着该刻蚀药液的累计使用时长的增加而降低，从而导致相同刻蚀时间的晶圆刻蚀量降低，导致减薄后不同的晶圆厚度差异较大的问题。
[0005]为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请提供一种晶圆湿法减薄方法，所述晶圆湿法减薄方法包括依次进行的以下步骤：>[0006]获取刻本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆湿法减薄方法，其特征在于，所述晶圆湿法减薄方法包括依次进行的以下步骤：获取刻蚀药液的累计使用时长变量与刻蚀速度变量之间的对应关系；获取当前目标晶圆，确定对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺时，所述刻蚀药液的当前累计使用时长；基于所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长，和所述对应关系，确定与所述刻蚀药液的所述当前累计使用时长对应的当前刻蚀速度；基于所述当前刻蚀速度和预设的刻蚀减薄量，计算出对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺的当前刻蚀时长；使用所述刻蚀药液，以所述当前刻蚀时长，对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺。2.如权利要求1所述的晶圆湿法减薄方法，其特征在于，在所述使用所述刻蚀药液，以所述当前刻蚀时长，对所述当前目标晶圆进行湿法减薄工艺的步骤完成后，还进行：使得所述刻蚀药液累计使用时长变量的值增加；基于判断增加后的所述刻蚀药液累计使用时长变量的值是否大于预设累计使用时长，确定是否更换刻蚀药液。3.如权利要求2所述的晶圆湿法减薄方法，其特征在于，所述基于判断增加后的所述刻蚀药液累计使用时长变量的值是否大于预设累计使用时长，确定是否更换刻蚀药液的步骤，包括：当增加后的所述刻蚀药液累计使用时长变量的值大于预设累计使用时长，确定更换刻蚀药液；使得刻蚀药液累...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙运龙，陈裕，谭秀文，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。