多线TRL校准件的制备方法及多线TRL校准件技术

本发明专利技术提供一种多线TRL校准件的制备方法及多线TRL校准件。该方法包括：多线TRL校准件包括一个直通、与直通的横截面相同且不同长度的多个传输线以及反射，方法包括：根据衬底参数和金属参数，得到传输线横截面尺寸；根据传输线横截面尺寸，确定多个不同长度的传输线以及确定开路的横截面尺寸或者短路的横截面尺寸；进行半导体工艺加工，得到校准件；对校准件中的直通、传输线和反射进行参数标定，得到多线TRL校准件。本发明专利技术能够解决了目前国内没有多线TRL校准件的制备方式导致缺乏多线TRL校准件的问题。准件的问题。准件的问题。

【技术实现步骤摘要】
多线TRL校准件的制备方法及多线TRL校准件


[0001]本专利技术涉及晶原级半导体器件微波特性测量
，尤其涉及一种多线TRL校准件的制备方法及多线TRL校准件。

技术介绍

[0002]在对被测芯片测量前，需对在片S参数测量系统进行校准，常见的校准方法有传输线
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反射
‑
反射
‑
匹配(Line
‑
Re
‑
flect
‑
Reflect
‑
Match，LRRM)校准件、开路
‑
短路
‑
负载
‑
直通(Short
‑
Open
‑
Load
‑
Thru，SOLT)校准件和直通
‑
反射
‑
传输线(Thru
‑
Reflect
‑
Line，TRL)校准件等，配合国外生产厂商提供的校准件使用。在片S参数的测量准确度取决于其使用的校准方法和校准件。
[0003]随着在片S参数测量需求的增加，商用在片多线TRL校准件的用量也随之增加，而目前商用在片多线TRL校准件主要是进口，国内尚无在片多线TRL校准件的制备方式，导致缺乏多线TRL校准件。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种多线TRL校准件的制备方法及多线TRL校准件，以解决目前没有多线TRL校准件制备方法的问题。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种多线TRL校准件的制备方法，包括：
[0006]多线TRL校准件包括一个直通、与所述直通的横截面相同且不同长度的多个传输线以及反射，所述反射包括两个开路或者两个短路，所述多线TRL校准件的制备方法包括：
[0007]获取衬底参数和所述衬底上设置的金属的参数，根据所述衬底参数和所述金属参数，得到传输线横截面尺寸，所述衬底参数包括衬底厚度和衬底介电常数，所述金属参数包括金属的电导率和金属厚度；
[0008]根据所述传输线横截面尺寸，确定多个不同长度的传输线；
[0009]根据所述传输线横截面尺寸，确定开路的横截面尺寸或者短路的横截面尺寸；
[0010]根据所述多个不同长度的传输线、所述开路的横截面尺寸或者所述短路的横截面尺寸进行半导体工艺加工，得到校准件；
[0011]对所述校准件中的直通、传输线和反射进行参数标定，得到多线TRL校准件。
[0012]在一种可能的实现方式中，每个开路或者每个短路中的两片金属尺寸完全一致；
[0013]所述根据所述传输线横截面尺寸，确定开路或者短路，包括：
[0014]将所述传输线的宽度，确定为所述开路或者所述短路的宽度，将所述传输线的长度确定为所述开路或者所述短路的长度；
[0015]根据所述开路或者所述短路的宽度，确定构成所述开路或者所述短路的两片金属之间的距离。
[0016]在一种可能的实现方式中，对所述校准件中的直通的参数标定方式与传输线的参数标定方式相同；
[0017]对所述校准件中的传输线进行参数标定，包括：
[0018]获取所述传输线的长度；
[0019]根据确定所述传输线的相速；
[0020]其中，v
p
表示所述传输线的相速，l表示所述传输线的长度，ε
eff
表示有效介电常数，c表示光在真空中的传播速度。
[0021]在一种可能的实现方式中，对所述校准件中的反射进行参数标定，包括：
[0022]将所述校准件中的所述两个开路或者两个短路的结构设置为对称结构；
[0023]延时设置为0ps。
[0024]在一种可能的实现方式中，在所述获取衬底参数和所述衬底上设置的金属的参数，根据所述衬底参数和所述金属参数，得到传输线横截面尺寸之后，还包括：
[0025]当所述横截面尺寸满足预设校准件频率要求时，对所述横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸；
[0026]基于所述最优横截面尺寸设置多组传输线，确定所述多组传输线中特征阻抗与预设阻抗值最接近的目标传输线。
[0027]在一种可能的实现方式中，所述对所述横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸，包括：
[0028]将所述横截面尺寸在第一预设步进范围内变化，得到多组横截面尺寸；
[0029]对所述多组横截面尺寸、预设长度的传输线进行仿真，将所有传输线中S
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最小值对应的横截面尺寸确定为最优横截面尺寸。
[0030]在一种可能的实现方式中，所述基于所述最优横截面尺寸设置多组传输线，确定所述多组传输线中特征阻抗与预设阻抗值最接近的目标传输线，包括：
[0031]将所述最优横截面尺寸在第二预设步进范围内变化，得到多组最优横截面尺寸，并基于所述多组最优横截面尺寸和每组最优横截面尺寸对应的至少一个个长度进行不同的传输线版图加工；
[0032]采用预设电阻对传输线特征阻抗进行标定；
[0033]基于传输线版图和预设电阻，测量每根传输线的特征阻抗，确定与所述预设电阻的阻抗值最接近的特征阻抗对应的传输线为目标传输线。
[0034]在一种可能的实现方式中，判断所述横截面尺寸满足预设校准件频率要求的方法，包括：
[0035]根据所述横截面尺寸计算校准件频率；
[0036]当所述校准件频率大于或等于所述预设校准件频率时，确定所述横截面尺寸满足预设校准件频率要求。
[0037]在一种可能的实现方式中，所述根据所述横截面尺寸计算校准件频率，包括：
[0038]根据计算校准件频率；
[0039]其中，f表示校准件频率，g表示中心导体与对应地板的间距，w表示中心导体的宽
度，μ0表示空气磁导率，ε0表示空气的介电常数，ε
r
表示衬底介电常数，h表示衬底厚度。
[0040]第二方面，本专利技术实施例提供了一种多线TRL校准件，包括：采用上述任一种可能的实施例提供的多线TRL校准件的制备方法制备得到。
[0041]本专利技术实施例提供一种多线TRL校准件的制备方法及多线TRL校准件，通过设计传输线的横截面尺寸、多个长度不同的传输线，再设计开路或者短路，根据设计的传输线以及开路或者短路进行半导体制备，得到校准件，再进行参数标定，从而得到多线TRL校准件，解决了目前国内没有多线TRL校准件的制备方式导致缺乏多线TRL校准件的问题。
附图说明
[0042]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0043]图1是本专利技术实施例提供的多线TRL校准件的制备方法的实现流程图；
[0044]图2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多线TRL校准件的制备方法，其特征在于，多线TRL校准件包括一个直通、与所述直通的横截面相同且不同长度的多个传输线以及反射，所述反射包括两个开路或者两个短路，所述多线TRL校准件的制备方法包括：获取衬底参数和所述衬底上设置的金属的参数，根据所述衬底参数和所述金属参数，得到传输线横截面尺寸，所述衬底参数包括衬底厚度和衬底介电常数，所述金属参数包括金属的电导率和金属厚度；根据所述传输线横截面尺寸，确定多个不同长度的传输线；根据所述传输线横截面尺寸，确定开路的横截面尺寸或者短路的横截面尺寸；根据所述多个不同长度的传输线、所述开路的横截面尺寸或者所述短路的横截面尺寸进行半导体工艺加工，得到校准件；对所述校准件中的直通、传输线和反射进行参数标定，得到多线TRL校准件。2.根据权利要求1所述的多线TRL校准件的制备方法，其特征在于，所述两个开路的金属片尺寸保持一致，或者所述两个短路的金属片尺寸保持一致；所述根据所述传输线横截面尺寸，确定开路或者短路，包括：将所述传输线的宽度，确定为所述开路或者所述短路的宽度，将所述传输线的长度确定为所述开路或者所述短路的长度；根据所述开路或者所述短路的宽度，确定构成所述开路或者所述短路的两片金属之间的距离。3.根据权利要求1所述的多线TRL校准件的制备方法，其特征在于，对所述校准件中的直通的参数标定方式与传输线的参数标定方式相同；对所述校准件中的传输线进行参数标定，包括：获取所述传输线的长度；根据确定所述传输线的相速；其中，v
p
表示所述传输线的相速，l表示所述传输线的长度，ε
eff
表示有效介电常数，c表示光在真空中的传播速度。4.根据权利要求1所述的多线TRL校准件的制备方法，其特征在于，对所述校准件中的反射进行参数标定，包括：将所述校准件中的所述两个开路或者两个短路的结构设置为对称结构；延时设置为0ps。5.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的多线TRL校准件的制备方法，其特征在于，在所述获取衬底参数和所述衬底上设置的金属的参数，根据所述衬底参...

【专利技术属性】
技术研发人员：王一帮，梁法国，吴爱华，霍晔，栾鹏，刘晨，孙静，徐森锋，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：